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입력 도파관(input waveguide);
상기 입력 도파관 주위에 배치된 복수개의 링 공진기들(ring resonators);
상기 링 공진기들 각각의 주위에 배치된 출력 도파관들(output waveguides); 및
상기 링 공진기들 중의 적어도 하나에 인접하게 형성되어, 해당 링 공진기의 표면 일부를 덮는 적어도 하나의 변조 클래드 패턴(clad pattern)을 구비하는 것을 특징으로 하는 파장분할다중화 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 변조 클래드 패턴들은 이에 인접하는 해당 링 공진기와의 접촉 면적에서 서로 다른 것을 특징으로 하는 파장분할다중화 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 변조 클래드 패턴은 상기 링 공진기보다 낮은 굴절률을 갖는 물질들 중의 적어도 한가지로 형성되는 것을 특징으로 하는 파장분할다중화 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 링 공진기는 실리콘으로 형성되고,
상기 변조 클래드 패턴은 상기 실리콘보다 낮은 굴절률을 갖는 무기물들 및 유기물들 중의 적어도 한가지로 형성되되,
상기 실리콘보다 낮은 굴절률을 갖는 무기물들은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물을 포함하고,
상기 실리콘보다 낮은 굴절률을 갖는 유기물들은 피엠엠에이(Poly Methyl Meta Acrylate; PMMA) 계열의 폴리머들, 폴리이미드(polyimide) 계열의 폴리머들, 폴리에테르(polyether) 계열의 폴리머들 및 아크릴레이트(acrylate) 계열의 폴리머들 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장분할다중화 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 링 공진기들은 동일한 모양, 동일한 물질 및 동일한 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 파장분할다중화 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 링 공진기들은 적어도 하나의 링 공진기를 포함하는 적어도 하나의 링 공진기 그룹을 포함하되,
하나의 링 공진기 그룹에 포함되는 링 공진기들은 모양, 물질 및 크기에서 동일하고,
서로 다른 링 공진기 그룹들에 포함되는 링 공진기들은 모양, 물질 및 크기 중의 적어도 하나에서 서로 다른 것을 특징으로 하는 파장분할다중화 소자
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입력 도파관;
상기 입력 도파관 주위에 배치된 복수개의 링 공진기들;
상기 링 공진기들 각각의 주위에 배치된 출력 도파관들; 및
상기 링 공진기들의 표면을 덮는 상부 클래드층 및 적어도 하나의 변조 클래드 패턴을 포함하는 클래드 구조체를 포함하되,
상기 링 공진기와 변조 클래드 패턴의 접촉 면적 및 상기 링 공진기와 상기 상부 클래드층의 접촉 면적 사이의 비율은 상기 링 공진기들마다 다른 것을 특징으로 하는 파장분할다중화 소자
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