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광도파로 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015084401
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광도파로 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체 기판에 활성부를 정의하는 트렌치를 형성하고, 활성부를 부분적으로 산화시키는 것을 포함한다. 활성부의 산화되지 않은 부분은 코어에 포함되고, 활성부의 산화된 부분은 클래딩(cladding)에 포함된다.
Int. CL G02B 6/12 (2006.01) H01S 5/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080123097 (2008.12.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1192230-0000 (2012.10.09)
공개번호/일자 10-2010-0064592 (2010.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20121016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.05)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인규 대한민국 대전광역시 유성구
2 서동우 대한민국 대전광역시 유성구
3 김경옥 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0839737-54
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0135001-40
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2008.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0858608-63
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006408-14
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0071384-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0273928-86
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0273927-30
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0571500-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
반도체 기판에 트렌치를 형성하여, 활성부를 정의하는 것;상기 활성부의 윗측면 및 상부면 상에 캐핑 반도체 패턴을 형성하는 것; 및상기 활성부를 부분적으로 산화시키는 것을 포함하되, 상기 활성부의 산화되지 않은 부분은 광신호가 통과하는 코어(core)이고, 상기 활성부의 산화된 부분은 클래딩(cladding)에 포함되는 광도파로 형성 방법
2 2
청구항 1항에 있어서,상기 캐핑 반도체 패턴을 형성하는 것은 상기 활성부의 아랫측면을 노출시키는 것을 포함하고,상기 활성부를 부분적으로 산화시키는 것은, 산화 공정을 수행하여 상기 활성부의 아랫부분 및 상기 캐핑 반도체 패턴을 산화시켜 상기 클래딩을 형성하는 것을 포함하는 광도파로 형성 방법
3 3
청구항 2항에 있어서,상기 산화 공정시에, 상기 캐핑 반도체 패턴은 완전히 산화되는 광도파로 형성 방법
4 4
청구항 2항에 있어서,상기 캐핑 반도체 패턴을 형성하는 것은,상기 트렌치를 채우는 희생막 패턴을 형성하는 것;상기 희생막 패턴을 리세스시켜 상기 활성부의 윗측면을 노출시키는 것;상기 기판 상에 캐핑 반도체막을 콘포말하게(conformally) 형성하는 것;상기 리세스된 희생막 패턴 상의 캐핑 반도체막을 제거하여, 상기 캐핑 반도체 패턴을 형성하고 상기 리세스된 희생막 패턴을 노출시키는 것; 및상기 리세스된 희생막 패턴을 제거하여 상기 활성부의 아랫측면을 노출시키는 것을 포함하는 광도파로 형성 방법
5 5
청구항 4항에 있어서,상기 캐핑 반도체막을 형성하기 전에,상기 활성부의 상부면 및 노출된 윗측면 상에 버퍼막을 형성하는 것을 더 포함하는 광도파로 형성 방법
6 6
청구항 5항에 있어서,상기 버퍼막은 상기 클래딩과 동일한 물질로 형성되는 광도파로 형성 방법
7 7
청구항 4항에 있어서,상기 캐핑 반도체 패턴은 상기 활성부의 상기 윗측면 및 상기 상부면과 접촉하고,상기 활성부의 윗측면 및 상부면을 포함하는 표면부가 산화되는 광도파로 형성 방법
8 8
청구항 2항에 있어서,상기 클래딩은 상기 광도파로의 상부면, 하부면 및 측면을 둘러싸는 광도파로 형성 방법
9 9
청구항 2항에 있어서,상기 클래딩은 상기 트렌치를 채우는 광도파로 형성 방법
10 10
청구항 2항에 있어서,상기 캐핑 반도체 패턴은 상기 반도체 기판을 이루는 반도체 원소와 동일한 반도체 원소를 포함하는 광도파로 형성 방법
11 11
청구항 1항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘 기판이고, 상기 클래딩은 실리콘 산화막으로 형성되는 광도파로 형성 방법
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1 US08017420 US 미국 FAMILY
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1 US2010144075 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8017420 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC