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기판; 및
상기 기판 상의 링 공진기를 포함하고,
상기 링 공진기는:
상기 기판 상에, 하부 클래딩층 및 상부 클래딩층을 포함하는 클래딩층;
상기 하부 클래딩층 및 상부 클래딩층 사이에, 복수개의 링들을 포함하는 코어; 및
상기 코어와 상기 클래딩층 사이에 개재되고, 상기 코어의 굴절률보다 작고 상기 클래딩층의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 삽입층을 포함하는 광 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 링들은 서로 이격되고, 상기 삽입층은 상기 이격된 링들 사이의 공간에 제공되는 광 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 코어는 실리콘, 상기 클래딩층은 실리콘 산화물이고, 상기 삽입층은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물인 광 소자
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청구항 1에 있어서,
상기 링들 사이의 간격은 서로 다른 광 소자
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5
청구항 4에 있어서,
적어도 하나의 링에 인접한 상기 삽입층의 두께는 다른 링에 인접한 상기 삽입층의 두께와 다른 광 소자
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6
청구항 4에 있어서,
상기 링들 사이의 간격은 160nm 이상인 광 소자
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7
청구항 1에 있어서,
상기 광 소자는 상기 링 공진기로부터 이격된 CMOS 영역을 더 포함하고,
상기 CMOS 영역은, 상기 코어와 동일한 높이에 제공되고 상기 코어와 동일한 물질을 포함하는 채널층을 포함하는 트랜지스터를 포함하는 광 소자
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8
공진 영역을 포함하는 기판을 제공하고;
상기 공진 영역에서, 상기 기판 상의 코어층을 패터닝하여 복수개의 링들을 포함하는 코어를 형성하고;
상기 코어의 상기 링들 사이의 공간에 삽입층을 형성하고; 그리고
상기 삽입층 상에 클래딩층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 삽입층은 상기 코어의 굴절률 보다 작고 상기 클래딩층의 굴절률 보다 큰 굴절률을 갖는 광 소자 형성방법
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9
청구항 8에 있어서,
상기 코어층을 패터닝하는 것은 포토 리소그라피 공정을 사용하는 것을 포함하는 광 소자 형성방법
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10
청구항 9에 있어서,
상기 코어층을 패터닝하는 것은 상기 링들 사이의 간격이 160nm 이상이 되도록 하는 광 소자 형성방법
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11
청구항 8에 있어서,
상기 기판과 상기 코어층은 실리콘이고,
상기 기판은 상기 코어층, 및 상기 기판과 상기 코어층 사이에 개재된 매립 산화막을 포함하는 광 소자 형성방법
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12
청구항 11에 있어서,
상기 기판은 상기 공진 영역으로부터 이격된 CMOS 영역을 더 포함하고,
상기 코어층을 패터닝하는 것은, 상기 CMOS 영역에서, 트랜지스터의 채널층을 형성하는 것을 포함하는 광 소자 형성방법
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13
청구항 8에 있어서,
상기 코어층의 상기 링들 사이의 공간에 삽입층을 형성하는 것은 상기 링들 상에 상기 삽입층을 형성하는 것을 포함하는 광 소자 형성방법
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14
청구항 13에 있어서,
적어도 하나의 링 상의 상기 삽입층을 식각하여, 상기 적어도 하나의 링 상의 두께가 다른 링 상의 상기 삽입층의 두께보다 얇게 하여, 공진 파장의 스펙트럼을 조정하는 것을 더 포함하는 광 소자 형성방법
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15
청구항 8에 있어서,
상기 코어층은 실리콘, 상기 클래딩층은 실리콘 산화물이고, 상기 삽입층은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물인 광 소자 형성방법
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