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슬랩 도파로 영역, 테이퍼링 영역, 직선 영역 및 자발 초점 영역을 갖는 기판;상기 기판 상에 배치된 하부 클래드 층;상기 하부 클래드 층 상에 배치되고, 슬랩과 상기 슬랩에 연결되는 립들을 포함하는 코어; 및상기 코어 및 상기 하부 클래드 층 상의 상부 클래드를 포함하되,상기 슬랩은:상기 슬랩 도파로 영역 상의 제 1 부분; 및상기 제 1 부분과 인접하여 상기 테이퍼링 영역, 상기 직선 영역, 및 상기 자발 초점 영역 상에 배치된 제 2 부분을 포함하되,상기 립들은:상기 자발 초점 영역 내의 트렌치들에 의해 상기 제 2 부분 상에 정의되는 하부 립들; 및상기 하부 립들 상에 각각 배치되는 상부 립들을 포함하되,상기 자발 초점 영역 내의 상기 트렌치들은 상기 슬랩 도파로 영역으로부터 제공되는 광 신호를 상기 하부 립들에 집중하여 상기 광 신호의 산란을 방지하는 커플러
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제 1 항에 있어서, 상기 하부 립들의 선폭은 상기 상부 립들의 선폭보다 넓은 커플러
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제 1 항에 있어서,상기 하부 립들은 상기 상부 립들보다 짧은 커플러
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제 1 항에 있어서,상기 상부 립들은 상기 슬랩 도파로 영역 상에서 상기 직선 영역 방향으로 선폭이 증가되도록 역테이퍼진(inverse-tapered) 커플러
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제 1 항에 있어서,상기 슬랩은 상기 슬랩 도파로 영역, 상기 테이퍼링 영역, 및 상기 직선 영역 내에서 동일한 높이를 갖고,상기 하부 립들은 상기 직선 영역, 상기 테이퍼링 영역, 및 상기 슬랩 도파로 영역 상의 상기 슬랩과 동일한 높이를 갖는 커플러
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제 1 항에 있어서, 상기 상부 립들은 상기 하부 립들보다 낮은 굴절률을 갖는 커플러
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제 1 항에 있어서,상기 하부 립들은 결정 실리콘을 포함하고, 상기 상부 립들은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막을 포함하는 커플러
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제 1 항에 있어서,상기 상부 립들은 상기 슬랩 도파로 영역 상에서 상기 직선 영역 방향으로 선폭이 줄어들도록 순방향으로 테이퍼진(forward-tapered) 커플러
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분은 서로 다른 높이를 갖는 커플러
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제 1 항에 있어서,상기 슬랩의 상기 제 1 및 제 2 부분은 하부 슬랩이고, 상기 슬랩은 상기 슬랩 도파로 영역의 상기 슬랩의 상기 제 1 부분 상에 배치되어 상기 하부 슬랩보다 높은 굴절률을 갖는 상부 슬랩을 더 포함하는 커플러
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제 15 항에 있어서,상기 하부 슬랩과 상기 하부 립들은 결정 실리콘을 포함하고,상기 상부 슬랩과 상기 상부 립들은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산질화막을 포함하는 커플러
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입력 스타 커플러;상기 입력 스타 커플러에 인접하여 배치된 출력 스타 커플러; 및상기 출력 스타 커플러와 상기 입력 스타 커플러에 연결되는 복수개의 배열 도파로들을 구비한 배열 도파로 구조체를 포함하되,상기 출력 스타 커플러는: 슬랩 도파로 영역, 테이퍼링 영역, 직선 영역 및 자발 초점 영역을 갖는 기판;상기 기판 상에 배치된 하부 클래드 층;상기 하부 클래드 층 상에 배치되고, 슬랩과 상기 슬랩에 연결되는 립들을 포함하는 코어; 및상기 코어 및 상기 하부 클래드 층 상의 상부 클래드를 포함하되,상기 슬랩은:상기 슬랩 도파로 영역 상의 제 1 부분; 및상기 제 1 부분과 인접하여 상기 테이퍼링 영역, 상기 직선 영역, 및 상기 자발 초점 영역 상에 배치된 제 2 부분을 포함하되,상기 립들은:상기 자발 초점 영역 내의 트렌치들에 의해 상기 제 2 부분 상에 정의되는 하부 립들; 및상기 하부 립들 상에 각각 배치되는 상부 립들을 포함하되,상기 자발 초점 영역 내의 상기 트렌치들은 상기 슬랩 도파로 영역으로부터 제공되는 광 신호를 상기 하부 립들에 집중하여 상기 광 신호의 산란을 방지하는 배열 도파로 격자
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제 17 항에 있어서,상기 배열 도파로들은:배열 슬랩들; 및상기 배열 슬랩들 상에 배치된 배열 리지 도파로들을 포함하는 배열 도파로 격자
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제 18 항에 있어서,상기 배열 리지 도파로들은:상기 배열 슬랩들 상에 배치되어 상기 하부 립들에 연결되는 하부 배열 리지 도파로들; 및상기 하부 배열 리지 도파로들 상에 배치되어 상기 상부 립들에 연결되는 상부 배열 리지 도파로들을 포함하는 배열 도파로 격자
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