| 1 |
1
기판 상에 위치하는 클래드층;상기 기판과 상기 클래드층 사이에 위치하고, 제1 영역 및 제2 영역에 위치하는 패턴들을 포함하는 코어층; 및상기 기판과 상기 클래드층 사이의 상기 제1 영역에 위치하고, 인가되는 전기 에너지에 기초하여 상기 제1 영역을 통과하는 패턴들을 통해 전파되는 광 신호의 파장을 조절하는 파장 조절 유닛을 포함하되,상기 클래드층은 열광학 계수(Thermo-Optic Coefficient; TOC)가 상기 코어층에 포함된 물질과 반대인 부호를 갖는 물질을 포함하는 광도파로
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 코어층은,양의 열광학 계수를 가지는 실리콘 물질을 포함하는 광도파로
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 클래드층은,상기 제1 영역에 위치하고, 열광학 계수가 상기 코어층에 포함된 실리콘 물질보다 작은 물질을 포함하는 제1 클래드층; 및상기 제2 영역에 위치하고, 음의 열광학 계수를 갖는 물질을 포함하는 제2 클래드층을 포함하는 광도파로
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 제1 영역은,상기 제2 영역보다 크기가 작은 영역인 광도파로
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 파장 조절 유닛은,상기 인가되는 전기 에너지에 기초하여 열을 발생하고, 상기 발생된 열을 상기 제1 영역을 통과하는 패턴들에게 제공하여 상기 제1 영역을 통과하는 패턴들을 통해 전파되는 광 신호의 파장을 조절하는 광도파로
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 광도파로는,상기 기판과 상기 코어층 사이에 위치하는 슬랩 도파로(Slab Waveguide)를 더 포함하는 광도파로
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 광도파로는,이를 기반으로 하는 광소자에 사용되는 광도파로
|
| 8 |
8
기판; 및상기 기판 상에 위치하는 링 공진기를 포함하고,상기 링 공진기는,상기 기판 상에 위치하는 클래드층;상기 기판과 상기 클래드층 사이에 위치하고, 제1 영역 및 제2 영역에 위치하는 적어도 하나의 링 도파로를 포함하는 코어층; 및상기 기판과 상기 클래드층 사이의 상기 제1 영역에 위치하고, 인가되는 전기 에너지에 기초하여 상기 제1 영역을 통과하는 링 도파로를 통해 전파되는 광 신호의 파장을 조절하는 파장 조절 유닛을 포함하되,상기 클래드층은 열광학 계수(Thermo-Optic Coefficient)가 상기 코어층에 포함된 물질과 반대인 부호를 갖는 물질을 포함하는 광도파로를 기반으로 하는 광소자
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 코어층은,양의 열광학 계수를 가지는 실리콘 물질을 포함하는 광도파로를 기반으로 하는 광소자
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 클래드층은,상기 제1 영역에 위치하고, 열광학 계수가 상기 코어층에 포함된 실리콘 물질보다 작은 물질을 포함하는 제1 클래드층; 및상기 제2 영역에 위치하고, 음의 열광학 계수를 갖는 물질을 포함하는 제2 클래드층을 포함하는 광도파로를 기반으로 하는 광소자
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 제1 영역은,상기 제2 영역보다 크기가 작은 광도파로를 기반으로 하는 광소자
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,상기 파장 조절 유닛은,상기 인가되는 전기 에너지에 기초하여 열을 발생하고, 상기 발생된 열을 상기 제1 영역을 통과하는 링 도파로에게 제공하여 상기 제1 영역을 통과하는 링 도파로를 통해 전파되는 광 신호의 파장을 조절하는 광도파로를 기반으로 하는 광소자
|
| 13 |
13
제8항에 있어서,상기 링 공진기는,상기 기판과 상기 코어층 사이에 위치하는 슬랩 도파로(Slab Waveguide)를 더 포함하는 광도파로를 기반으로 하는 광소자
|
| 14 |
14
기판; 및상기 기판 상에 위치하는 마하-젠더 간섭계(Mach-Zehnder Interferometer; MZI)를 포함하고,상기 마하-젠더 간섭계는,상기 기판 상에 위치하는 클래드층;상기 기판과 상기 클래드층 사이에 위치하고, 제1 영역 및 제2 영역에 위치하는 복수의 암 도파로들을 포함하는 코어층; 및상기 기판과 상기 클래드층 사이의 상기 제1 영역에 위치하고, 인가되는 전기 에너지에 기초하여 상기 제1 영역을 통과하는 복수의 암 도파로들을 통해 전파되는 광 신호의 파장을 조절하는 파장 조절 유닛을 포함하되,상기 클래드층은 열광학 계수(Thermo-Optic Coefficient)가 상기 코어층에 포함된 물질과 반대인 부호를 갖는 물질 및 상기 코어층에 포함된 물질보다 열광학 계수가 작은 물질 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 광도파로를 기반으로 하는 광소자
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 코어층은,양의 열광학 계수를 가지는 실리콘 물질을 포함하는 광도파로를 기반으로 하는 광소자
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 클래드층은,상기 제1 영역에 위치하고, 열광학 계수가 상기 코어층에 포함된 실리콘 물질보다 작은 물질을 포함하는 제1 클래드층; 및상기 제2 영역에 위치하고, 음의 열광학 계수를 갖는 물질을 포함하는 제2 클래드층을 포함하는 광도파를 기반으로 하는 광소자
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 제1 영역은,상기 제2 영역보다 크기가 작은 영역인 광도파로를 기반으로 하는 광소자
|
| 18 |
18
제14항에 있어서,상기 파장 조절 유닛은,상기 인가되는 전기 에너지에 기초하여 열을 발생하고, 상기 발생된 열을 상기 제1 영역을 통과하는 복수의 암 도파로들에게 제공하여 상기 제1 영역을 통과하는 복수의 암 도파로들을 통해 전파되는 광 신호의 파장을 조절하는 광도파로를 기반으로 하는 광소자
|
| 19 |
19
제14항에 있어서,상기 마하-젠더 간섭계는,상기 기판과 상기 코어층 사이에 위치하는 슬랩 도파로(Slab Waveguide)를 더 포함하는 광도파로를 기반으로 하는 광소자
|
| 20 |
20
제14항에 있어서,상기 클래드층이 상기 코어층에 포함된 물질보다 열광학 계수가 작은 물질을 포함하는 경우, 상기 제1 영역을 통과하는 복수의 암 도파로들의 폭과 상기 제2 영역에 위치하는 복수의 암 도파로들의 폭은 서로 다른 크기를 가지는 광도파를 기반으로 하는 광 소자
|
