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광 검출기 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015093220
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 검출기의 제조방법 및 이에 의해 형성된 광 검출기를 제공한다. 이 광 검출기의 제조방법은, 제1 단결정 반도체층 및 제1 단결정 반도체층으로부터 돌출된 광 도파로를 형성하는 것, 제1 단결정 반도체층 상에 광 도파로를 덮는 절연막을 형성하는 것, 절연막을 식각하여 광 도파로의 상부면을 노출시키는 오프닝을 형성하는 것, 노출된 광 도파로의 상부면으로부터 제2 단결정 반도체층을 형성하는 것, 제2 단결정 반도체층의 상부면으로부터 도펀트들로 도핑된 다결정 반도체층을 선택적으로 형성하는 것을 포함할 수 있다. 광 검출기, 광 도파로, 선택적 성장
Int. CL G02B 6/12 (2006.01) H01L 31/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090119308 (2009.12.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1287196-0000 (2013.07.10)
공개번호/일자 10-2011-0062547 (2011.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.03)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상훈 대한민국 서울특별시 양천구
2 김경옥 대한민국 서울특별시 강남구
3 김인규 대한민국 대전광역시 유성구
4 서동우 대한민국 대전광역시 유성구
5 주지호 대한민국 경기도 고양시 일산서구
6 장기석 대한민국 대전광역시 대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0748354-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0003950-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0038645-40
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0167388-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0167386-65
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0467840-98
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 단결정 반도체층 및 상기 제1 단결정 반도체층으로부터 돌출된 광 도파로를 형성하는 것;상기 제1 단결정 반도체층 상에 상기 광 도파로를 덮는 절연막을 형성하는 것;상기 절연막을 식각하여 상기 광 도파로의 상부면을 노출시키는 오프닝을 형성하는 것;상기 오프닝 내에, 상기 노출된 광 도파로의 상부면으로부터 제2 단결정 반도체층을 형성하는 것; 그리고상기 제2 단결정 반도체층의 상부면으로부터, 도펀트들로 도핑된 다결정 반도체층을 선택적으로 형성하는 것을 포함하되,상기 제2 단결정 반도체층을 형성하는 것과 상기 다결정 반도체층을 형성하는 것은 동일 반응 챔버 내에서 연속적으로 수행되는 광 검출기의 제조방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제1 단결정 반도체층에 제1 도전형의 도펀트들을 도핑하는 것을 더 포함하되, 상기 제1 도전형의 도펀트들을 도핑하는 것은, 상기 제2 단결정 반도체층이 형성되기 이전에 수행되는 광 검출기의 제조방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 다결정 반도체층은 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형의 도펀트들로 도핑되며, 상기 제2 도전형의 도펀트들은 인 시츄 공정에 의해 상기 다결정 반도체층 내에 도핑되는 광 검출기의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 제1 단결정 반도체층은 실리콘 단결정을 포함하고, 상기 제2 단결정 반도체층은 게르마늄 단결정 또는 실리콘-게르마늄 단결정을 포함하는 광 검출기의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 제1 단결정 반도체층을 형성하는 것은, SOI(silicon on insulator)형 기판의 실리콘층을 건식 식각하는 것을 포함하는 광 검출기의 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 제2 단결정 반도체층 및 상기 다결정 반도체층은 감압 화학기상증착법 또는 초고진공 화학기상증착법에 의해 형성되는 광 검출기의 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 제2 단결정 반도체층을 형성하는 것은, 제1 온도에서 수행되는 제1 형성 단계와, 상기 제1 온도와 상이한 제2 온도에서 상기 제1 형성단계 이후 수행되는 제2 형성 단계를 포함하되, 상기 제1 온도는 상기 제2 온도보다 낮은 광 검출기의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 제1 형성 단계는, 300 내지 500℃의 온도 및 30 내지 80 Torr 압력하에서 GeH4가스를 제공하는 것을 포함하고, 상기 제2 형성 단계는, 600 내지 700℃의 온도 및 30 내지 80 Torr 압력하에서 GeH4가스를 제공하는 것을 포함하는 광 검출기의 제조방법
10 10
청구항 1에 있어서, 상기 다결정 반도체층을 형성하는 것은, SiH4 및 GeH4중 선택된 적어도 하나와 운반 가스를 제공하는 것을 포함하며, 650 내지 750℃의 온도 및 30 내지 80 Torr의 압력 하에서 수행되는 광 검출기의 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 다결정 반도체층을 형성하는 것은 HCl 가스를 제공하는 것을 더 포함하는 광 검출기의 제조방법
12 12
청구항 1에 있어서, 상기 오프닝은 상기 광 도파로의 폭과 동일하거나 좁은 폭을 갖는 광 검출기의 제조방법
13 13
청구항 1에 있어서, 상기 오프닝을 형성하는 것은, 건식 식각 공정을 수행하는 것을 포함하는 광 검출기의 제조방법
14 14
기판; 상기 기판 상에 차례로 적층된 매몰 산화막 및 제1 단결정 반도체층;상기 제1 단결정 반도체층으로부터 돌출된 광 도파로;상기 광 도파로의 측벽과 자기 정렬되는 측벽을 갖는 제2 단결정 반도체층; 및상기 광 도파로 및 상기 제2 단결정 반도체층의 측벽들과 자기 정렬되는 측벽을 갖는 다결정 반도체층을 포함하되, 상기 광 도파로는 상기 제1 단결정 반도체층으로부터 돌출된 부분을 포함하며, 상기 제2 단결정 반도체층의 상부면은 비평탄화된 광 검출기
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 다결정 반도체층의 상부면의 프로파일은 상기 제2 단결정 반도체층의 상부면의 프로파일과 동일한 광 검출기
16 16
청구항 14에 있어서, 상기 제1 단결정 반도체층 상에 상기 광 도파로의 측벽들을 둘러싸는 제1 층간 절연막을 더 포함하되, 상기 광 도파로의 상부면의 가장자리는 상기 제1 층간 절연막의 상부면보다 낮게 위치하는 광 검출기
17 17
청구항 16에 있어서,상기 다결정 반도체층의 상부면은 상기 제1 층간 절연막의 상부면보다 높게 위치하는 광 검출기
18 18
청구항 16에 있어서, 상기 제1 층간 절연막 상의 제2 층간 절연막;상기 다결정 반도체층과 전기적으로 연결되며, 상기 제2 층간 절연막을 관통하는 제1 전극 콘택;상기 제1 단결정 반도체층과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 층간 절연막 및 제2 층간 절연막을 관통하는 제2 전극 콘택을 더 포함하는 광 검출기
19 19
청구항 18에 있어서, 상기 다결정 반도체층은 다결정 실리콘을 포함하되, 상기 다결정 반도체층과 상기 제1 전극 콘택 사이의 실리사이드층을 더 포함하는 광 검출기
20 20
청구항 14에 있어서, 상기 제1 단결정 반도체층은 제1 도전형의 도펀트들로 도핑되고, 상기 다결정 반도체층은 상기 제1 도전형과 반대의 도전형을 갖는 제2 도전형의 도펀트들로 도핑되며, 상기 제2 단결정 반도체층은 도펀트들로 도핑되지 않는 광 검출기
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1 FR2953646 FR 프랑스 DOCDBFAMILY
2 US2011133187 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC