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광소자용 실리콘 질화물 박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015093933
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비정질 실리콘 양자점과 희토류 원소가 함께 분산되어 포함되며 비정질 실리콘 양자점에 의해 희토류 원소가 여기되어 광을 방출시키는 광소자용 실리콘 질화물 박막 및 그 제조방법을 제공한다. 이를 이용하면, 비정질 실리콘 양자점이 희토류 원소의 발광특성을 매우 향상시켜 우수한 성능의 광소자를 만들 수 있다. 양자점, 비정질 실리콘 양자점, 희토류, 광소자
Int. CL H01L 29/15 (2011.01) H01L 29/06 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020030097049 (2003.12.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0615430-0000 (2006.08.17)
공개번호/일자 10-2005-0065889 (2005.06.30) 문서열기
공고번호/일자 (20060825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박래만 대한민국 대전광역시유성구
2 김태엽 대한민국 서울특별시 은평구
3 성건용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2003-0496077-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0068914-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0601659-64
5 의견서
Written Opinion		 2006.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0052526-66
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0052520-93
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0268088-60
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.06.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0017629-90
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0468934-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광소자용 실리콘 질화물 박막에 있어서, 비정질 실리콘 양자점과 희토류 원소가 함께 분산되어 포함되며, 상기 비정질 실리콘 양자점에 의해 희토류 원소가 여기되어 광을 방출시키는 것을 특징으로 하는 광소자용 실리콘 질화물 박막
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 희토류 원소는 어븀(Er), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb) 또는 이터븀(Yb)
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘 양자점의 크기가 1 내지 5 나노미터인 것을 특징으로 하는 광소자용 실리콘 질화물 박막
4 4
비정질 실리콘 양자점이 분산된 실리콘 질화물을 성장하는 단계; 및 상기 실리콘 질화물 박막 내에 희토류 원소를 도핑하는 단계를 포함하되, 상기 비정질 실리콘 양자점에 의해 희토류 원소가 여기되어 광을 방출시키는 것을 특징으로 광소자용 실리콘 질화물 박막 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 희토류 원소의 도핑은 이온 주입법을 이용하는 것을 특징으로 하는 광소자용 실리콘 질화물 박막 제조방법
6 6
비정질 실리콘 양자점이 분산된 실리콘 질화물을 성장하는 중에 상기 실리콘 질화물 박막 내에 희토류 원소를 도핑하는 단계를 포함하며, 상기 비정질 실리콘 양자점에 의해 희토류 원소가 여기되어 광을 방출시키는 것을 특징으로 광소자용 실리콘 질화물 박막 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 희토류 원소의 도핑은 금속 유기 원료를 이용하여 실리콘 질화물 박막 내에 도핑하는 것을 특징으로 광소자용 실리콘 질화물 박막 제조방법
8 8
제 4 항 또는 제 6 항에 있어서, 희토류 원소의 도핑 단계 이후에, 600 내지 1000 ℃에서 30 내지 60분 동안 열처리 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자용 실리콘 질화물 박막 제조방법
9 9
제 4 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘 양자점의 크기가 1 내지 5 나노미터인 것을 특징으로 하는 광소자용 실리콘 질화물 박막 제조방법
10 10
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11 10
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01548904 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01548904 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY

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1 EP1548904 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP1548904 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.