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유기 반도체 소자 및 그 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015096265
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 유기 반도체 소자는 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성되는 전자 채널층과, 상기 전자 채널층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하며, 상기 전자 채널층은, 상기 제1 전극 상에 형성되는 하부 유기물층과, 상기 하부 유기물층 상에 형성되며, 상호 이격 거리를 두고 배치된 소정 크기의 나노 입자를 갖는 나노 입자층과, 상기 나노 입자층의 상부에 형성되는 상부 유기물층을 포함한다. 이에 따라, 간단한 제작 공정을 이용하여 고집적화가 가능한 유기 반도체 소자를 제작할 수 있으며, 임계 전압 특성과 소자 축소화에 따른 소자 간의 불균일성을 해결하여 우수한 성능의 반도체 소자를 구현할 수 있다.메모리, 비휘발성 메모리, 유기물, 전기적 이 안정성, 전기전도도, 나노입자, 랑뮤어-블러짓 박막
Int. CL H01L 27/115 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 51/0512(2013.01) H01L 51/0512(2013.01)
출원번호/일자 1020060035654 (2006.04.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0744959-0000 (2007.07.26)
공개번호/일자 10-2007-0058937 (2007.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20070802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050117712   |   2005.12.05
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.20)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대한민국 대전 중구
2 유민기 대한민국 부산 사하구
3 김안순 대한민국 대전 중구
4 아칠성 대한민국 대전 서구
5 유한영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0274810-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0082163-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0114509-14
5 의견서
Written Opinion		 2007.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0247283-18
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0247293-75
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0397387-33
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성되는 전자 채널층과, 상기 전자 채널층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하며,상기 전자 채널층은,상기 제1 전극 상에 형성되는 하부 유기물층과,상기 하부 유기물층 상에 형성되며, 상호 이격 거리를 두고 배치된 소정 크기의 나노 입자를 갖는 나노 입자층과,상기 나노 입자층의 상부에 형성되는 상부 유기물층을 포함하는 유기 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 전자 채널층은 외부에서 전압이 인가되지 않는 경우, 고전도 상태 또는 저전도 상태를 유지하는 유기 반도체 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 전자 채널층은 외부에서 인가되는 전압에 따라, 고전도 상태에서 저전도 상태로 또는 저전도 상태에서 고전도 상태로 전환하는 스위칭 특성을 갖는 유기 반도체 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 나노 입자는 Al, Au, Ag, Co, Ni, Fe 또는 이들의 조합으로 이루어지는 금속 나노 입자인 유기 반도체 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노 입자의 크기는 1 ~ 20㎚ 범위에서 형성되는 유기 반도체 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 나노 입자 간 이격 거리는 상기 나노 입자의 크기와 같거나 상기 나노 입자 크기의 50% 이내에서 크거나 작은 거리를 갖는 유기 반도체 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 상부 유기물층과 상기 나노입자층 사이에 형성되는 단분자 유기막을 더 포함하는 유기 반도체 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 나노 입자층과 상기 하부 유기물층 사이에 형성되는 단분자 유기막을 더 포함하는 유기 반도체 소자
9 9
제1 전극을 형성하는 단계;상호 이격 거리를 두고 배치된 소정 크기의 나노 입자를 포함하는 나노 입자층과 상기 나노 입자층의 상부 및 하부에 형성된 상부 유기물층 및 하부 유기물층을 포함하는 전자 채널층을 상기 제1 전극 상에 형성하는 단계;상기 전자 채널층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 반도체 소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 전자 채널층을 형성하는 단계는, 상기 제1 전극 상에 상기 하부 유기물층을 형성하는 단계;상호 이격 거리를 두고 배치된 소정 크기의 상기 나노 입자를 포함하는 상기 나노 입자층을 상기 하부 유기물층 상에 형성하는 단계; 및상기 나노 입자층 상에 상기 상부 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 반도체 소자의 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 나노 입자층, 상기 상부 유기물층 및 상기 하부 유기물층은 랑뮤어 - 블러짓 방법으로 형성하는 유기 반도체 소자의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 나노 입자는 Al, Au, Ag, Co, Ni, Fe 또는 이들의 조합으로 이루어지는 금속 나노 입자인 유기 반도체 소자의 제조 방법
13 13
제9항에 있어서, 상기 나노 입자의 크기는 1 ~ 20㎚ 범위에서 형성되는 유기 반도체 소자의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 나노 입자 간 이격 거리는 상기 나노 입자의 크기와 같거나 상기 나노 입자 크기의 50% 이내에서 크거나 작은 거리를 갖는 유기 반도체 소자의 제조 방법
15 15
제9항에 있어서, 상기 상부 유기물층 및 상기 하부 유기물층은 반도체성 또는 절연성을 가지는 유기물로 이루어지는 유기 반도체 소자의 제조방법
16 16
제9항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계에서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 Al, Cu, Au, Pt 또는 도핑된 실리콘으로 이루어지는 유기 반도체 소자의 제조방법
17 17
제10항에 있어서,상기 나노 입자층을 형성하는 단계에서, 금속 나노 입자를 스핀 코팅 방법으로 형성하는 유기 반도체 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20070126001 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2007126001 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.