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초고속 광 수신 모듈 및 그것의 제작 방법
- 기술번호 : KST2015101596
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명에 따른 광 수신 모듈은 복수의 금속층들 및 복수의 세라믹층들이 적층되어 형성되는 세라믹 기판, 상기 세라믹 기판 위에 형성되어 고주파 전기 신호를 전송하는 고주파 전송 선로, 상기 세라믹 기판에 실장되어 광신호를 상기 고주파 전기 신호로 변환하는 광 검출기, 상기 광 검출기에 직류 전원을 공급하는 전원 공급선, 그리고 상기 고주파 전송 선로에 연결되어 외부에 상기 고주파 전기 신호를 전달하는 고주파 커넥터를 포함하고, 상기 광 검출기는 상기 세라믹 기판에 가공되는 단차에 실장되고, 상기 단차에 의해서 상기 광 검출기와 상기 고주파 전송 선로 각각의 접속점들의 높이가 보정된다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 적층 구조로 제작 가능한 세라믹 기판을 이용하여 제작 공정이 단순하고, 고속 전송 특성을 향상시킬 수 있는 초고속 광 수신 모듈 및 그것의 제작 방법을 제공할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | G02B 6/12 (2006.01.01) G02B 6/10 (2006.01.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020130021452 (2013.02.27) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-2091474-0000 (2020.03.16) |
| 공개번호/일자 | 10-2014-0108437 (2014.09.11) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20200323) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2017.09.19) |
| 심사청구항수 | 17 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주지호 | 대한민국 | 경기도 고양시 일산서구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인 고려 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.02.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0178031-20 |
| 2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0045359-84 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2017.09.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0912019-48 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2018.07.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2018.08.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2018-0145375-56 |
| 7 | 심사처리보류(연기)보고서 Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination |
2018.12.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2018-0145430-70 |
| 8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2019.01.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0012032-93 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2019.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0221750-56 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2019.03.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-0221751-02 |
| 11 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2019.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0546338-83 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2019.09.16 | 보정각하 (Rejection of amendment) | 1-1-2019-0942610-39 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2019.09.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0942609-93 |
| 14 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2020.01.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0034335-40 |
| 15 | 보정각하결정서 Decision of Rejection for Amendment |
2020.01.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0034334-05 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2020.02.13 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2020-0154819-71 |
| 17 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2020.02.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-0154818-25 |
| 18 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2020.03.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0184937-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제 1 금속층, 상기 제 1 금속층 상에 형성되는 제 1 세라믹층, 상기 제1 세라믹층 상에 형성되는 제 2 금속층, 및 상기 제 2 금속층 상에 형성되는 제 2 세라믹층을 포함하는 세라믹 기판;상기 제 2 세라믹층 상에 형성되어 고주파 전기 신호를 전송하는 고주파 전송 선로;상기 세라믹 기판에 실장되고, 상기 세라믹 기판의 두께 방향으로 상기 제 1 금속층, 상기 제 1 세라믹층, 및 상기 제 2 금속층과 중첩하고 상기 제 2 세라믹층과 중첩하지 않고, 광신호를 상기 고주파 전기 신호로 변환하는 광 검출기;상기 광 검출기에 직류 전원을 공급하는 전원 공급선; 그리고상기 고주파 전송 선로에 연결되어 외부에 상기 고주파 전기 신호를 전달하는 고주파 커넥터를 포함하고,상기 제 1 세라믹층의 상기 광 검출기가 실장되는 영역에, 제 1 두께를 갖는 홈이 형성되고,상기 제 2 세라믹층의 상기 광 검출기가 실장되는 영역에 개구가 형성되고, 상기 제 2 세라믹층은 상기 고주파 전송 선로가 기준 임피던스를 유지하도록 제 2 두께를 갖고,상기 광 검출기의 두께는 제 2 두께보다 크고,상기 제 1 및 제 2 두께들에 의해서 상기 광 검출기와 상기 고주파 전송 선로 각각의 접속점들의 높이가 보정되는 광 수신 모듈 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 광 검출기와 상기 고주파 전송 선로 각각의 접속점들의 높이는 상기 세라믹 기판의 밑면으로부터 수직 방향으로 같은 높이인 것을 특징으로 하는 광 수신 모듈 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속층은 접지와 연결되고, 상기 제 2 금속층은 상기 제 1 금속층과 금속 비아로 연결되는 광 수신 모듈 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 금속층들은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mb), 구리(Cu) 또는 은(Ag) 중에서 적어도 하나의 재질로 형성되는 광 수신 모듈 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 세라믹층들은 알루미나, 질화 알루미늄 또는 탄화규소 중에서 적어도 하나의 재질로 형성되는 광 수신 모듈 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 전원 공급선은 상기 세라믹 기판 위에 형성된 회로 패턴에 연결되고,상기 회로 패턴은 상기 광 검출기와 연결되는 광 수신 모듈 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서,상기 직류 전원의 저주파 잡음을 제거하는 잡음 제거 회로를 더 포함하고,상기 잡음 제거 회로의 부품들은 상기 회로 패턴 위에 실장되는 광 수신 모듈 |
| 9 |
9 제 7 항에 있어서,상기 회로 패턴의 접지 부분은 금속 비아를 통해 상기 제 2 금속층과 연결되는 광 수신 모듈 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 고주파 전송 선로는 단일 선로, 디퍼렌셜 형태의 선로 또는 어레이 형태의 선로 중에서 적어도 하나로 형성되는 광 수신 모듈 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 고주파 전송 선로는 마이크로스트립 라인, 단일 평면 도파로 또는 접지형 단일 평면 도파로 중에서 적어도 하나로 형성되는 광 수신 모듈 |
| 12 |
12 제 1 금속층, 상기 제 1 금속층 상에 형성되는 제 1 세라믹층, 상기 제1 세라믹층 상에 형성되는 제 2 금속층, 및 상기 제 2 금속층 상에 형성되는 제 2 세라믹층을 포함하는 세라믹 기판;상기 제 2 세라믹층 상에 형성되어 고주파 전기 신호를 전송하는 고주파 전송 선로;상기 세라믹 기판에 실장되고, 상기 세라믹 기판의 두께 방향으로 상기 제 1 금속층, 상기 제 1 세라믹층, 및 상기 제 2 금속층과 중첩하고 상기 제 2 세라믹층과 중첩하지 않고, 광신호를 상기 고주파 전기 신호로 변환하는 광 검출기;상기 세라믹 기판의 두께 방향으로 상기 제 1 금속층, 상기 제 1 세라믹층, 및 상기 제 2 금속층과 중첩하고 상기 제 2 세라믹층과 중첩하지 않고, 상기 광 검출기로부터 수신한 상기 고주파 전기 신호를 증폭하는 전치 증폭기;상기 광 검출기 및 상기 전치 증폭기에 직류 전원을 공급하는 전원 공급선; 그리고상기 고주파 전송 선로에 연결되어 외부에 상기 고주파 전기 신호를 전달하는 고주파 커넥터를 포함하고,상기 광 검출기가 실장되는 영역에 제 1 두께를 갖고 상기 전치 증폭기가 실장되는 영역에 제 2 두께를 갖는 홈이 상기 제 1 세라믹층에 형성되고,상기 제 2 세라믹층에 상기 광 검출기 및 상기 전치 증폭기가 실장되는 영역에 개구가 형성되고, 상기 제 2 세라믹층은 상기 고주파 전송 선로가 기준 임피던스를 유지하도록 제 3 두께를 갖고,상기 광 검출기의 두께 및 상기 전치 증폭기의 두께는 상기 제3 두께보다 크고,상기 제 1 및 제 3 두께들에 의해서 상기 광 검출기와 상기 전치 증폭기 각각의 접속점들의 높이가 보정되고, 상기 제 2 및 제 3 두께들에 의해서 상기 전치 증폭기와 상기 고주파 전송 선로 각각의 접속점들의 높이가 보정되는 광 수신 모듈 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 광 검출기와 상기 전치 증폭기 각각의 접속점들의 높이는 상기 세라믹 기판의 밑면으로부터 수직 방향으로 같은 높이인 것을 특징으로 하고,상기 전치 증폭기와 상기 고주파 전송 선로 각각의 접속점들의 높이는 상기 세라믹 기판의 밑면으로부터 수직 방향으로 같은 높이인 것을 특징으로 하는 광 수신 모듈 |
| 14 |
14 제 1 금속층, 제 1 세라믹층, 제 2 금속층, 및 제 2 세라믹층을 적층하여 세라믹 기판을 형성하는 단계;고주파 전기 신호를 전송하는 고주파 전송 선로를 상기 세라믹 기판 위에 형성하는 단계;상기 세라믹 기판의 두께 방향으로 상기 제 1 금속층, 상기 제 1 세라믹층, 및 상기 제 2 금속층과 중첩하고 상기 제 2 세라믹층과 중첩하지 않도록, 광신호를 상기 고주파 전기 신호로 변환하는 광 검출기를 상기 세라믹 기판에 실장하는 단계; 그리고외부에 상기 고주파 전기 신호를 전달하는 고주파 커넥터를 상기 고주파 전송 선로에 연결하는 단계를 포함하고,상기 제 1 세라믹층의 상기 광 검출기가 실장되는 영역에, 제 1 두께를 갖는 홈이 형성되고,상기 제 2 세라믹층의 상기 광 검출기가 실장되는 영역에 개구가 형성되고, 상기 제 2 세라믹층은 상기 고주파 전송 선로가 기준 임피던스를 유지하도록 제 2 두께를 갖고,상기 광 검출기의 두께는 제 2 두께보다 크고,상기 제 1 및 제 2 두께들에 의해서 상기 광 검출기와 상기 고주파 전송 선로 각각의 접속점들의 높이가 보정되는 광 수신 모듈 제작 방법 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서,상기 광 검출기와 상기 고주파 전송 선로 각각의 접속점들의 높이는 상기 세라믹 기판의 밑면으로부터 수직 방향으로 같은 높이인 것을 특징으로 하는 광 수신 모듈 제작 방법 |
| 16 |
16 제 14 항에 있어서,상기 세라믹 기판을 형성하는 단계는:제 1 금속 비아 및 상기 홈을 포함하는 상기 제 1 세라믹층을 형성하는 단계;상기 제 1 세라믹층의 밑면에 접지와 연결되는 상기 제 1 금속층을 형성하는 단계;상기 제 1 금속 비아를 상기 제 1 금속층과 같은 재질로 채우는 단계;상기 제 1 세라믹층 위에 상기 제 2 금속층을 형성하는 단계;상기 제 2 금속층 위에 제 2 금속 비아 및 상기 개구를 포함하는 상기 제 2 세라믹층을 형성하는 단계; 그리고상기 제 2 금속 비아를 상기 제 2 금속층과 같은 재질로 채우는 단계를 포함하는 광 수신 모듈 제작 방법 |
| 17 |
17 제 14 항에 있어서,상기 세라믹 기판 위에 회로 패턴을 형성하는 단계; 그리고상기 광 검출기에 직류 전원을 공급하는 전원 공급선을 상기 회로 패턴에 연결하는 단계를 더 포함하고,상기 회로 패턴은 상기 광 검출기와 연결되는 광 수신 모듈 제작 방법 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서,상기 직류 전원의 저주파 잡음을 제거하는 잡음 제거 회로를 상기 회로 패턴에 실장하는 단계를 더 포함하는 광 수신 모듈 제작 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US20140239160 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20160195432 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2014239160 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 한국전자통신연구원 | 산업원천기술개발사업(ETRI지원사업) | 실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 칩기술 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-2091474-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20130227 출원 번호 : 1020130021452 공고 연월일 : 20200323 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20200311 청구범위의 항수 : 17 유별 : G02B 6/12 발명의 명칭 : 초고속 광 수신 모듈 및 그것의 제작 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 344,000 원 | 2020년 03월 17일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.02.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0178031-20 |
| 2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0045359-84 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2017.09.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0912019-48 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2018.07.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2018.08.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2018-0145375-56 |
| 7 | 심사처리보류(연기)보고서 | 2018.12.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2018-0145430-70 |
| 8 | 의견제출통지서 | 2019.01.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0012032-93 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2019.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0221750-56 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2019.03.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-0221751-02 |
| 11 | 최후의견제출통지서 | 2019.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0546338-83 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 | 2019.09.16 | 보정각하 (Rejection of amendment) | 1-1-2019-0942610-39 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2019.09.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0942609-93 |
| 14 | 거절결정서 | 2020.01.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0034335-40 |
| 15 | 보정각하결정서 | 2020.01.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0034334-05 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2020.02.13 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2020-0154819-71 |
| 17 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2020.02.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-0154818-25 |
| 18 | 등록결정서 | 2020.03.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0184937-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415122053 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10038764 |
| 연구과제명 | 실리콘 나노포토닉스기반 차세대 컴퓨터칩기술 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201103~201602 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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