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서로 다른 절연 물질이 적층된 기판;상기 기판의 양 측에 형성되는 소스와 드레인; 및상기 기판의 상단에 형성되며 압전 물질(Piezoelectric Material)로 이루어지는 게이트를 포함하고, 상기 게이트에 전기적 신호가 가해지는 경우, 상기 압전 물질에 의해 상기 기판은 변형(Strain)이 발생되어 상기 서로 다른 절연 물질이 적층된 경계면에 금속 절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되고, 상기 금속 절연체 전이에 의해 채널이 형성되어 상기 소스와 상기 드레인 사이에 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 압전 물질은전기적 신호를 역학적인 힘으로 전환하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 절연 물질은ABO3형태의 페로브스카이트형 구조(Perovskite Structure)를 이루는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 기판은 SrTiO3로 형성되는 제1 층;LaAlO3로 형성되는 제2 층을 포함하며,상기 제1 층의 상부에 상기 제2 층이 적층되어 상기 SrTiO3의 두께에 따라 상기 금속 절연체 전이가 발생되는 두께가 조절되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 기판은 서로 다른 절연 물질이 교번되어 다수의 층을 이루는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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기판;상기 기판의 양 측에 형성되는 소스와 드레인;상기 기판의 상단에 형성되며, 압전 물질(Piezoelectric Material)로 이루어지는 게이트; 및상기 게이트의 하단에 위치하며, 서로 다른 절연 물질로 적층되어 형성되는 게이트 층을 포함하고, 상기 게이트에 전기적 신호가 가해지는 경우, 상기 압전 물질에 의해 상기 게이트 층은 변형(Strain)이 발생되어 상기 서로 다른 절연 물질이 적층된 경계면에 금속 절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되고, 상기 금속 절연체 전이의 형성에 따라 옥사이드(Oxide)로 이루어진 상기 게이트 층의 두께가 조절되어 상기 소스와 상기 드레인 사이에 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 압전 물질은전기적 신호를 역학적인 힘으로 전환하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 게이트 층의 상기 절연 물질은ABO3형태의 페로브스카이트형 구조(Perovskite Structure)를 이루는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 게이트 층은 SrTiO3로 형성되는 제1 층;LaAlO3로 형성되는 제2 층을 포함하며, 상기 제1 층의 상부에 상기 제2 층이 적층되어 상기 SrTiO3의 두께에 따라 상기 금속 절연체 전이가 발생되는 두께가 조절되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제7항에 있어서, 상기 게이트 층은 서로 다른 절연 물질이 교번되어 다수의 층을 이루는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 기판은 LaTiO3로 형성되는 제1 층;LaAlO3로 형성되는 제2 층을 포함하며,상기 제1 층과 상기 제2 층은 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제 1항 또는 제13항에 있어서,상기 기판에 역학적 힘이 가해지면,상기 기판의 절연 물질에 자기 전이(Magnetic Transition)가 발생하여, 상기 기판의 변형에 의해 전자들의 스핀(Spin) 방향이 전환되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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제14항에 있어서,상기 기판을 형성하는 전자들의 스핀 방향이 상기 소스 및 상기 드레인을 형성하는 전자들의 스핀 방향과 일치하는 경우 전류가 흐르며, 상기 기판을 형성하는 전자들의 스핀 방향이 상기 소스 및 상기 드레인을 형성하는 전자들의 스핀 방향과 일치하지 않는 경우 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
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서로 다른 절연 물질을 적층시켜 기판을 형성하는 단계;상기 기판의 양 측에 소스와 드레인을 형성하는 단계; 상기 기판의 상단에 압전 물질(Piezoelectric Material)로 이루어진 게이트를 형성하는 단계; 상기 게이트에 전기적 신호가 가해지는 경우, 상기 압전 물질에 의해 전기적 신호가 역학적 힘으로 전환되는 단계; 및 상기 역학적 힘에 의해, 상기 기판은 변형(Strain)이 발생되어 상기 서로 다른 절연 물질이 적층된 경계면에 금속 절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되는 단계를 포함하고, 상기 금속 절연체 전이에 의해 채널이 형성되어 상기 소스와 상기 드레인 사이에 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 트랜지스터를 제조하는 방법
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제16항에 있어서,상기 서로 다른 절연 물질을 적층시켜 기판을 형성하는 단계는, SrTiO3로 이루어진 제1 층을 형성하는 단계; 및 LaAlO3로 이루어진 제2 층 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 층의 상부에 상기 제2 층이 적층되어 상기 SrTiO3의 두께에 따라 상기 금속 절연체 전이가 발생되는 두께가 조절되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터를 제조하는 방법
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제16항에 있어서,상기 서로 다른 절연 물질을 적층시켜 기판을 형성하는 단계는, LaTiO3로 이루어진 제1 층을 형성하는 단계;LaAlO3로 이루어진 제2 층을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터를 제조하는 방법
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제16항 또는 제19항에 있어서,상기 게이트에서 전기적 신호를 역학적 힘으로 전환하는 단계;상기 역학적 힘에 의해, 상기 기판의 절연 물질에 자기 전이(Magnetic Transition)가 발생하여, 상기 기판의 변형에 의해 전자들의 스핀(Spin) 방향이 전환되는 단계를 더 포함하는 트랜지스터를 제조하는 방법
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제20항에 있어서,상기 기판의 절연 물질에 자기 전이가 발생하여, 상기 기판의 변형에 의해 전자들의 스핀 방향이 전환되는 단계는, 상기 기판을 형성하는 전자들의 스핀 방향이 상기 소스 및 상기 드레인을 형성하는 전자들의 스핀 방향과 일치하는 경우 전류가 흐르며, 상기 기판을 형성하는 전자들의 스핀 방향이 상기 소스 및 상기 드레인을 형성하는 전자들의 스핀 방향과 일치하지 않는 경우 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 하는 트랜지스터를 제조하는 방법
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기판을 형성하는 단계;상기 기판의 양 측에 소스와 드레인을 형성하는 단계;상기 기판의 상단에 서로 다른 절연 물질을 적층시켜 게이트 층을 형성하는 단계; 및상기 게이트 층의 상단에 압전 물질(Piezoelectric Material)로 이루어진 게이트를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 게이트에 전기적 신호가 가해지는 경우, 상기 압전 물질에 의해 상기 게이트 층은 변형(Strain)이 발생되어 상기 서로 다른 절연 물질이 적층된 경계면에 금속 절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되고, 상기 금속 절연체 전이의 형성에 따라 옥사이드(Oxide)로 이루어진 상기 게이트 층의 두께가 조절되어 상기 소스와 상기 드레인 사이에 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 트랜지스터를 제조하는 방법
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제22항에 있어서,상기 기판의 상단에 서로 다른 절연 물질을 적층시켜 게이트 층을 형성하는 단계는, SrTiO3로 이루어진 제1 층을 형성하는 단계; 및 LaAlO3로 이루어진 제2 층 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 층의 상부에 상기 제2 층이 적층되어 상기 SrTiO3의 두께에 따라 상기 금속 절연체 전이가 발생되는 두께가 조절되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터를 제조하는 방법
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