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전착법을 이용한 루테늄 산화물 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121014
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전착법을 이용한 루테늄 산화물 박막의 제조방법에 관한 것으로서, pH 1.0 내지 2.5 및 농도 0.001 내지 0.1M의 루테늄 염 함유 수용액 중에 대전극(counter electrode, cathode)과 작업전극(working electrode, anode)으로서의 기판 각각을 침지시킨 후 양 전극에 전압을 인가하는 본 발명의 전착법에 의하면, 높은 캐패시턴스 값을 갖는, 무정질의 루테늄 산화물 박막을 고온에서의 열처리 없이 온화한 조건에서 제조할 수 있으며, 이 박막은 전기화학 캐패시터의 전극으로서 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 28/65(2013.01) H01L 28/65(2013.01) H01L 28/65(2013.01)
출원번호/일자 1020030082026 (2003.11.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0578734-0000 (2006.05.04)
공개번호/일자 10-2005-0048173 (2005.05.24) 문서열기
공고번호/일자 (20060512) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.11.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주오심 대한민국 서울특별시노원구
2 정광덕 대한민국 서울특별시서초구
3 록핸드씨.디. 인도 서울특별시성북구
4 박봉옥 대한민국 서울특별시영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2003-0435589-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0035777-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0530055-54
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0755964-50
6 의견서
Written Opinion		 2005.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0755953-58
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0084823-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
루테늄 염 함유 수용액 중에 대전극(counter electrode, cathode)과 작업전극(working electrode, anode)으로서의 기판 각각을 침지시킨 후 상기 대전극과 작업전극에 전압을 인가하는 것을 포함하는, 전착법에 의한 루테늄 산화물 박막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,루테늄 염 함유 수용액이 1
3 3
제 1 항에 있어서,기판이 침지된 증착조를 0 내지 100℃의 온도로 유지하면서 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 루테늄 산화물 박막의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,1 내지 50 mA/cm2의 전류 밀도로 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 루테늄 산화물 박막의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,루테늄 염이 루테늄 삼염화물(RuCl3) 및 이의 수화물(RuCl3·xH2O), 루테늄 니트로실 삼염화물의 수화물(Ru(NO)Cl3·xH2O), 및 루테늄 니트로실 삼질화물(Ru(NO)(NO3)a(OH)b, 이때, a+b=3임) 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 루테늄 산화물 박막의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,작업전극으로서의 기판이 티타늄(Ti), 인듐-주석-산화물(ITO, Indium-Tin-Oxide), 스테인레스 스틸(stainless steel), 니켈(Ni) 및 탄소 기판 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 루테늄 산화물 박막의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,작업전극 기판이 표면에 탄소나노물질 층이 화학증착된 것임을 특징으로 하는 루테늄 산화물 박막의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,작업전극이 티타늄 기판이고, 대전극이 백금 기판임을 특징으로 하는 루테늄 산화물 박막의 제조방법
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제 2 항에 있어서,루테늄 염 함유 수용액의 pH를 HCl의 첨가에 의해 조절하는 것을 특징으로 하는 루테늄 산화물 박막의 제조방법
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13 12
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1 WO2005050721 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 AU2003288772 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU2003288772 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 WO2005050721 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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