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탄화규소 나노선의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015121244
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄화규소 나노선의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 규소(Si)와 탄소(C)를 동시에 제공하는 단일 전구체로서 특히 디클로로메틸비닐실란(dichloromethylvinylsilane, CH2CHSiC(CH3)Cl2)을 사용하고 이를 유입량이 조절된 운반가스와 함께 고온으로 유지되는 환원분위기의 반응기 내로 주입하여 기판 상에 증착시킴으로써, 지름이 매우 작고, 우수한 단결정성을 가지는 탄화규소 나노선을 재현성 있게 제조할 수 있으므로 우수한 전계 방출 특성을 나타내는 전계 방출 소자의 제조가 가능하게 한 탄화규소 나노선의 제조방법에 관한 것이다. 나노선, 탄화규소, 전계 방출 소자
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01)
출원번호/일자 1020060113643 (2006.11.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0918293-0000 (2009.09.14)
공개번호/일자 10-2008-0044604 (2008.05.21) 문서열기
공고번호/일자 (20090918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.17)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최영진 대한민국 서울특별시 용산구
2 박재관 대한민국 서울 노원구
3 최경진 대한민국 서울특별시 중랑구
4 김동완 대한민국 서울특별시 금천구
5 박재환 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)
3 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0841306-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.08.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0052411-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0524978-53
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0859482-30
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0859481-95
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0154779-85
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0361430-10
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0449826-27
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0515490-62
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0515491-18
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0585101-48
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0878897-09
14 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.01.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0002900-22
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0094629-94
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0264564-66
17 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2009.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0334202-29
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0334201-84
19 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0405407-25
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0405410-63
21 등록결정서
Decision to grant		 2009.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0365528-60
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
24 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에, 금, 니켈 및 코발트 중에서 선택된 1종의 금속 또는 이들 금속이 2종 이상 포함된 합금 중에서 선택된 촉매를 10 ∼ 100 Å의 두께로 증착하여 금속촉매층을 형성하는 과정과, 900 ∼ 1200 ℃ 범위로 유지되는 환원 분위기에서 디클로로메틸비닐실란(dichloromethylvinylsilane)의 반응원료물질과 운반가스(carrier gas)를 각각 1 ∼ 20 sccm 유량과 100 ∼ 1000 sccm 유량으로 함께 주입하면서 10 ∼ 120 분간 유지하여, 상기 촉매층에서 반응원료물질이 반응 및 증착하여 직경 20 ∼ 200 ㎚ 및 길이 10 ∼ 100 ㎛ 범위인 탄화규소(silicon carbide) 나노선으로 성장하는 과정, 을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄화규소(silicon carbide) 나노선의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 또는 사파이어인 것을 특징으로 하는 탄화규소(silicon carbide) 나노선의 제조방법
4 4
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.