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무전해 치환 도금 방법을 이용한 금 나노 구조체의 제조 방법으로서,금보다 환원 전위가 낮은 금속을 기질에 증착시켜 금속 층을 형성하는 단계; 및금 이온이 포함된 도금 용액을 금속 층과 반응시키는 단계를 포함하는 금 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금보다 환원 전위가 낮은 금속은, Ni, Pt, Ag 또는 Cu인 것을 특징으로 하는 금 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금 나노 구조체는 나노플라워(nanoflower) 또는 나노론(nanolawns) 구조인 것을 특징으로 하는 금 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 층을 형성하는 단계 이전에,Ti를 기질에 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반응시키는 단계 이후에,도금 용액을 냉각하여 금속 층에서 금 나노 구조를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반응시키는 단계에서,반응 온도는 80~90 ℃이고, 반응 중에 반응 시작 온도에서 1~5℃ 감소시키면서 반응시키는 것을 특징으로 하는 금 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반응시키는 단계에서,반응 시간이 2분 이상인 것을 특징으로 하는 금 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반응시키는 단계에서,용액의 반응 속도는 10~100rpm인 것을 특징으로 하는 금 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반응시키는 단계에서,금속 층을 증착한 후 금속의 산화가 일어나기 전에 도금 용액과 반응시키는 것을 특징으로 하는 금 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,제조된 금 나노 구조체에 양전하를 가진 고분자를 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 구조체의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 양전하를 가진 고분자는 폴리에틸렌 이민(polyethylene imine) 또는 그의 유도체, 폴리라이신(polylysine), 키토산(chitosan), 폴리아스파르트산 (poly-aspartic acid) , 스퍼민(spermine), 프로타민(protamine), 폴리아미도아민(polyamidoamine), 폴리프로필렌이민 (polypropyleneimine), 폴리브렌(polybrene), 폴리아크릴아마이드(polyacrylamide), 폴리비닐아민 (polyvinyl amine) 및 디이에이이 덱스트란(DEAE-dextran)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금 나노 구조체의 제조 방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조된 금 나노 구조체를 이용하고, 양자 수율이 50% 미만인 형광 분자를 이용하는 표면증강라만분광(Surface-Enhanced Raman Scattering: SERS) 신호 또는 형광 측정 방법
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제12항에 있어서,상기 형광분자는 Cy3인 것을 특징으로 하는 형광 측정 방법
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