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다이아몬드 나노 휘스커 제조방법

  • 기술번호 : KST2015124308
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 직경이 나노 크기인 다이아몬드 나노 휘스커 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 직경이 나노크기인 다이아몬드 휘스커를 제조할 수 없었으며, 이에 본 발명은 기판의 상부에 다이아몬드막을 형성하고, 이종물질간에 박막을 형성함에 있어서 초기 핵형성단계에서 나타나는 다양한 박막표면구조를 이용하여 상기 다이아몬드막에 이종물질의 나노 크기를 갖는 마스크 패턴을 형성하고, 상기 나노 크기의 마스크패턴을 식각마스크로 사용하여 반응성 식각에 의하여 상기 다이아몬드막을 식각하는 단계로 이루어지는 나노 크기의 다이아몬드 휘스커 제조방법을 제공한다. 상기 마스크 패턴은 핵이 비연속적으로 서로 분리된 상태의 아이랜드(island) 성장에 의한 박막표면구조 또는 표면이 울퉁불퉁한 스트란스키-크라스타노프(Stranski-Krastanov) 성장에 의한 박막표면구조인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 다이아몬드를 사용한 다양한 복합소재를 제조할 수 있으며, 또한, 새로운 형태의 전계방출 냉 음극으로 응용을 가능케 하여 우수한 성능의 전계방출소자의 실용화를 앞당길 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C30B 29/04 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) C01B 21/06 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1019990018825 (1999.05.25)
출원인 학교법인 명지학원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0307310-0000 (2001.08.20)
공개번호/일자 10-2000-0052285 (2000.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20011029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1019990002551   |   1999.01.27
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.05.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 명지학원 대한민국 서울특별시 서대문구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시노원구
2 백은송 대한민국 충청남도천안시
3 전동렬 대한민국 경기도용인

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
2 명지대학교 대한민국 서울 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.05.25 수리 (Accepted) 1-1-1999-0051583-24
2 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.08.13 수리 (Accepted) 1-1-1999-5291648-05
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0325836-69
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.01.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0015510-41
6 의견서
Written Opinion		 2001.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2001-0015511-97
7 등록결정서
Decision to grant		 2001.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0213680-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2002-0090002-33
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2005-5076477-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.17 수리 (Accepted) 4-1-2008-5163516-35
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2010-5047359-23
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

기판의 상부에 다이아몬드막을 형성하고,

이종물질간에 박막을 형성함에 있어서 초기 핵형성단계에서 나타나는 다양한 박막표면구조를 이용하여 상기 다이아몬드막에 이종물질의 나노 크기를 갖는 마스크 패턴을 형성하고,

상기 나노 크기의 마스크패턴을 식각마스크로 사용하여 반응성 식각에 의하여 상기 다이아몬드막을 식각하는 단계로 이루어지는 나노 크기의 다이아몬드 휘스커 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 핵이 비연속적으로 서로 분리된 상태의 아이랜드(island) 성장에 의한 박막표면구조 또는 표면이 울퉁불퉁한 스트란스키-크라스타노프(Stranski-Krastanov) 성장에 의한 박막표면구조인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 나노 휘스커 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 마스크 형성단계는 별도의 마스크용 막을 증착하지 않고, 반응 챔버 벽이나 기판지지대에서 플라즈마나 이온과 반응하여 나온 물질이 기판에 증착되도록 하고, 그 증착된 물질을 나노 크기의 패턴을 갖는 마스크로 사용하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 나노 휘스커 제조방법

4 4

제 1항에 있어서, 상기 나노 크기의 마스크는 Mo, W 등의 금속, 실리콘 산화막, 질화막 중 선택된 하나를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 나노 휘스커 제조방법

5 5

제 1항에 있어서, 상기 식각단계는 반응성 플라즈마를 사용하며, 기판에 음의 바이어스를 인가하여 반응성 이온이 다이아몬드막을 기판과 수직인 방향으로 식각하도록 하거나, 반응성 이온빔을 이용하여 이방성 식각하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 나노 휘스커 제조방법

6 6

제 5항에 있어서, 상기 반응성 플라즈마는 고주파 플라즈마, 자장 인가 고주파 플라즈마, 전자공명 플라즈마, 마이크로파 플라즈마 중 하나인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 나노 휘스커 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06652762 US 미국 FAMILY
2 US20030052080 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003052080 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6652762 US 미국 DOCDBFAMILY
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