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기판 상에 자성체막을 형성하는 단계;상기 자성체막 상에 전자빔 조사에 의해 결정화가능한 비정질 탄소박막을 증착하는 단계;상기 탄소박막에 전자빔을 원하는 나노배열패턴에 따라 조사하는 단계 - 여기서, 상기 탄소박막 중 전자빔이 조사된 영역은 결정화됨-;상기 전자빔이 조사된 영역으로 정의되는 탄소박막패턴이 형성되도록 상기 탄소박막의 비정질영역을 제거하는 단계;상기 탄소박막패턴을 마스크로 이용하여 상기 자성체막을 식각함으로써 나노자성체 어레이를 형성하는 단계; 및상기 탄소박막패턴을 상기 나노 자성체 어레이로부터 제거하는 단계를 포함하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소박막은 C60 플러렌계 탄소박막인 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 탄소박막을 증착하는 단계는,C60 플러렌 분말을 가열하여 C60 분자를 승화시킴으로써 상기 자성체막 상에 탄소박막을 열증착하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 탄소박막은 20㎚ ∼ 150㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 탄소박막의 비정질영역 제거단계는, 톨루엔
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제1항에 있어서,상기 탄소박막의 전자빔에 대한 임계감광도는 0
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제1항에 있어서,상기 자성체막 형성단계와 상기 탄소박막 증착단계 사이에, 상기 자성체막 상에 금속막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 탄소박막패턴 형성단계와 상기 자성체막 건식식각단계 사이에, 상기 탄소박막패턴에 의해 정의되는 금속막패턴이 형성되도록 상기 금속막을 건식식각하는 단계를 더 포함하며,이로써, 상기 자성체막 건식식각단계에서 사용되는 마스크는 상기 금속막패턴과 상기 탄소박막패턴으로 구성된 복합구조의 마스크이며, 상기 탄소박막패턴을 제거하는 단계는 상기 나노자성체 어레이로부터 상기 복합구조의 마스크를 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 금속막은 상기 탄소박막보다 식각률이 낮은 금속물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속막은 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr)인 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제7항에 있어서,상기 자성체막의 두께는 5㎚ ∼ 100㎚의 두께를 가지며, 상기 금속막의 두께는 20㎚ ∼ 150㎚의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제7항에 있어서,상기 자성체막 또는 금속막 건식식각단계는, 이온밀링, 반응성 이온밀링 또는 플라즈마 식각공정에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금속막을 건식식각하는 단계는 CF2Cl2가스를 이용한 플라즈마식각에 의해 실시되며, 상기 자성체막을 건식식각하는 단계는 Ar가스를 이용한 이온밀링에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제7항에 있어서,상기 복합구조의 마스크를 제거하는 단계는, 금속막을 습식에칭하여 상기 탄소박막패턴을 상기 나노자성체 어레이로부터 분리하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제1항에 있어서,상기 자성체막은, Fe, Co, Ni, FeCo, NiFe, FeCr, CoCr, CoPt, AlNiCo 및 CoSm로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속자성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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제1항에 있어서,상기 자성체막은, La(1-x)SrxMnO3(0003c#x003c#1) 또는 CrO2으로 이루어진 반금속(half metal)물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법
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자성체막 상에 감광제막으로서 사용될 전자빔의 조사에 의해 결정화가능한 비정질 탄소박막을 증착하는 단계;상기 탄소박막에 전자빔을 원하는 패턴에 따라 조사하는 단계 - 여기서, 상기 탄소박막 중 전자빔이 조사된 영역은 결정화됨-; 및상기 전자빔이 조사된 영역으로 정의되는 탄소박막패턴이 형성되도록 상기 탄소박막의 비정질영역을 제거하는 단계를 포함하는 전자빔 리소그래피방법
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제16항에 있어서, 상기 탄소박막은 C60 플러렌계 탄소박막인 것을 특징으로 하는 전자빔 리소그래피방법
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제17항에 있어서, 상기 탄소박막을 증착하는 단계는,C60 플러렌 분말을 가열하여 C60 분자를 승화시킴으로써 상기 자성체막 상에 탄소박막을 열증착하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자빔 리소그래피방법
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