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a) 졸-겔 (sol-gel) 방법에 의해서 오산화이바나듐 나노선 (V2O5 nanowire) 용액을 제조하는 단계;b) 상기 오산화이바나듐 나노선 용액을 물에 희석시키고, 랑뮈에-블라제 트러프 (Langmuir-Blodgett trough)에 투입하는 단계;c) 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액을 유기 용매에 희석시킨 다음, 이를 상기 랑뮈에-블라제 트러프의 오산화이바나듐 나노선 용액 표면 상에 도포하는 단계;d) 상기 랑뮈에-블라제 트러프에 장착된 배리어 (barrier)를 사용하여 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면 압력을 조정하는 단계;e) 상기 랑뮈에-블라제 트러프의 침지 막대 (dipping arm)에 기판을 고정한 다음, 상기 기판을 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면과 접촉시키는 단계; 및f) 상기 기판을 상기 침지 막대로부터 분리한 후 가열하는 단계를 포함하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 b) 단계의 희석 오산화이바나듐 나노선 용액은 상기 졸-겔 방법에 의해서 제조된 오산화이바나듐 나노선 1ml에 대해서 물 200ml 내지 2000ml를 혼합한 수용액인 것을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄은 염화 디옥타데실디메틸암모늄, 브롬화 디옥타데실디메틸암모늄 또는 요오드화 디옥타데실디메틸암모늄인 것을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 c) 단계의 유기 용매는 클로로포름, 클로로벤젠, 디클로로벤젠 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매인 것을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 c) 단계의 희석 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 농도는 0
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제1항에 있어서, 상기 c) 단계의 도포는 해밀토니안 주사기 (Hamiltonian syringe)를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 d) 단계의 계면 압력은 30 mN/m 내지 40 mN/m로 조정되는 것을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 e) 단계의 기판은 그 표면에 패턴화된 폴리머층이 적층된 스탬프임을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 폴리머는 폴리디메틸실록산인 것을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면과의 접촉은 상기 기판의 평면과 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면이 상호 평행하도록 접촉시키는 것을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면과의 접촉은 상기 기판의 평면과 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면이 상호 수직하도록 접촉시키는 것을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 e) 단계 이후에 상기 스탬프를 물 또는 에탄올로 세척하고, 상기 스탬프 표면 상에 질소 가스를 불어주는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 f) 단계의 가열은 60℃ 내지 70℃의 온도에서 3분 내지 10분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 패턴화된 폴리머층의 표면 상에 결합된 오산화이바나듐 나노선 박막을 상기 스탬프와는 다른 기판 상에 미세접촉 프린팅 (micro-contact printing) 방법에 의해서 전이시키는 것을 특징으로 하는 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
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제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 따른 방법에 의해서 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막
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