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가스센서 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131469
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스센서 제조 방법에 관한 것으로, 고감도의 가스 센서를 제조하기 위하여, 백금 금속 기판 상에 물리적 기상 증착법을 이용하여 금을 얇게 입히고 열처리 공정을 수행하여 나노와이어(Nanowire) 시드를 형성하고, 금속산화물을 화학적 기상 증착법으로 도포하여 상기 시드를 이용하여 가스센서의 감지부가 되는 나노와이어를 성장시키고, 나노와이어의 표면에 수증기를 응결시킨 후 나노와이어 표면에 금속산화물 분말을 흡착시킴으로써, 가스센서가 목표 기체와 접촉하는 표면적이 최대가 되도록 하는 발명에 관한 것이다.
Int. CL G01N 27/12 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020080010408 (2008.01.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0932596-0000 (2009.12.09)
공개번호/일자 10-2009-0084318 (2009.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20091217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기 성남시 분당구
2 최승혁 대한민국 서울 성북구
3 이미림 대한민국 서울 동대문구
4 김인기 대한민국 서울 용산구
5 이동기 대한민국 서울 동대문구
6 노경민 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0084019-93
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0074264-36
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428696-86
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0480798-90
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 기판 상에 금속산화물 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 나노와이어의 표면에 수증기를 응결시키는 단계; 및 수증기가 응결된 상기 나노와이어 표면에 다공성 분말을 흡착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 금속 기판은 백금을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 금속산화물 나노와이어를 형성하는 단계는 상기 금속 기판 상부에 금 박막을 형성하는 단계; 상기 금 박막 표면에 열을 가하여 나노와이어 시드로 사용되는 구형 입자를 형성하는 단계; 및 상기 구형 입자 하부에 금속산화물 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 금속산화물은 SnO2, ZnO, Fe2O3 및 TiO2 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가스센서 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 분말은 SnO2, ZnO, Fe2O3 및 TiO2 중 선택된 어느 하나로 형성된 분말을 사용하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 분말을 흡착시키는 단계는 상기 금속 기판을 수평면에 대하여 1 ~ 5도 범위 내에서 유동시키면서 수행하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.