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다원계 나노선 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131717
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노선 기반의 메모리 소자 구현에 사용되는 다원계 나노선을 다원계 용액을 사용하는 전기도금 방식으로 일시에 성장시킬 수 있는 다원계 나노선 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 다원계 나노선 제조방법은 (a) 복수개의 기공(12)을 갖는 양극 산화 알루미늄(anodized aluminum oxide) 나노틀(nanotemplate)(10)을 준비하는 단계; (b) 양극 산화 알루미늄 나노틀(10)의 일측면 상에 전극층(20)을 형성하는 단계; (c) 양극 산화 알루미늄 나노틀(10)을 소정의 다원계 용액에 주입한 후 이를 음극(cathode)으로 하는 전기도금 방식을 이용하여 양극 산화 알루미늄 나노틀(10)의 기공을 통하여 다원계 나노선(30)을 성장시키는 단계; 및 (d) 양극 산화 알루미늄 나노틀(10)을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 다원계, 나노선, 나노틀, 전구체, 양극 산화 알루미늄, 전기도금
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080137859 (2008.12.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1093364-0000 (2011.12.06)
공개번호/일자 10-2010-0079391 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20111214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영근 대한민국 서울특별시 강남구
2 지혜민 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 안부현 대한민국 경기도 고양시 덕양구
4 조문규 대한민국 서울특별시 마포구
5 민지현 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0908846-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0485433-66
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0047091-98
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0216355-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0307838-72
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0307787-31
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0708685-79
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 복수개의 기공을 갖는 양극 산화 알루미늄(anodized aluminum oxide) 나노틀(nanotemplate)을 준비하는 단계; (b) 상기 양극 산화 알루미늄 나노틀의 일측면 상에 전극층을 형성하는 단계; (c) 상기 양극 산화 알루미늄 나노틀을 Ge-Sb-Te계 용액에 주입한 후 이를 음극(cathode)으로 하는 전기도금 방식을 이용하여 상기 양극 산화 알루미늄 나노틀의 기공을 통하여 Ge-Sb-Te계 나노선을 성장시키는 단계; 및 (d) 상기 양극 산화 알루미늄 나노틀을 제거하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te계 나노선 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기공의 직경은 수십 내지 수백 나노미터인 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te계 나노선 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 전극층은 금(Au)을 포함하는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te계 나노선 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 Ge-Sb-Te계 용액은 전구체(precursor)로서 GeO2, SbO2 및 TeO2, 용매로서 염산 및 에틸글리세롤을 포함하는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te계 나노선 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 양극(anode)으로는 백금 전극을 사용하는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te계 나노선 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 상기 Ge-Sb-Te계 용액 내의 전구체의 혼합 비율 및 상기 전기도금 과정에서 인가되는 전류밀도값 중 적어도 하나의 변화에 따라 다원계 나노선의 조성이 결정되는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te계 나노선 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 (d) 단계에서 상기 양극 산화 알루미늄 나노틀은 NaOH 용액을 이용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te계 나노선 제조방법
11 11
제1항 내지 제3항, 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 Ge-Sb-Te계 나노선
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02204474 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02204474 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05525090 JP 일본 FAMILY
4 JP22156038 JP 일본 FAMILY
5 JP25177696 JP 일본 FAMILY
6 US20100163419 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2204474 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2204474 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2010156038 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2013177696 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP5525090 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2010163419 US 미국 DOCDBFAMILY
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