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용액합성법을 이용한 황화카드뮴 나노선의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131788
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저온의 용액합성법을 이용하여 높은 밀도와 결정성을 갖는 황화카드뮴 나노선의 제조방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 용액합성법을 이용한 황화카드뮴 나노선의 제조방법은 (a)200~240℃의 온도에서 카드뮴옥사이드(CdO)를 1-ODE 용매와 올레익산, TOPO 및 HDA로 구성되는 계면활성제에 용해하여 제1용액을 제조하는 단계; (b)75~85℃의 온도에서 황을 TBP에 용해하여 제2용액을 제조하는 단계; (c)표면이 비스무스(Bi) 촉매로 코팅되어 있는 FTO 소다석회유리기판을 상기 제1용액에 장입한 후, 상기 제2용액을 제1용액에 첨가하여, FTO 소다석회유리기판 상에 황화카드뮴 나노선을 성장시키는 단계; (d)상기 황화카드뮴 나노선이 목표 길이가 될 때까지 성장시키기 위하여, 215~225℃에서 유지하는 단계; 및 (e)상기 황화카드뮴 나노선이 성장된 FTO 소다석회유리기판을 클로로포름과 아세톤 중 적어도 하나의 세척액을 이용하여 세척하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01G 9/08 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01G 11/02(2013.01) C01G 11/02(2013.01) C01G 11/02(2013.01) C01G 11/02(2013.01)
출원번호/일자 1020080136997 (2008.12.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1076523-0000 (2011.10.18)
공개번호/일자 10-2010-0078674 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20111024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.30)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기 성남시 분당구
2 곽우철 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0905662-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428699-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0047089-06
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0221780-28
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0221781-74
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0564461-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a)카드뮴옥사이드(CdO)를 1-ODE 용매와 올레익산, TOPO 및 HDA로 구성되는 계면활성제에 용해시켜, 제1용액을 제조하는 단계; (b)황(S)을 TBP에 용해시켜, 제2용액을 제조하는 단계; 및 (c)표면이 비스무스(Bi) 촉매로 코팅되어 있는 FTO 소다석회유리기판을 상기 제1용액에 장입한 후, 상기 제2용액을 상기 제1용액에 첨가하여, 상기 FTO 소다석회유리기판 상에 황화카드뮴 나노선을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴 나노선의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1용액은 중량비로 1-ODE:올레익산 10:1 ~ 30:1, 1-ODE:TOPO 10:1 ~100:1 및 1-ODE:HDA 100:1 ~ 300:1로 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴 나노선의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1용액은 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2용액은 황(S)이 4~6wt% 함량비로 용해되어 있는 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴 나노선의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (b)단계는 75~85℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴 나노선의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (c)단계에서 상기 제1용액의 1~20vol% 비율로 상기 제2용액을 첨가하는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 나노선의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (a)단계는 200~240℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴 나노선의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 비스무스 촉매는 스퍼터링(Sputtering)을 통해 상기 FTO 소다석회유리기판 표면에 코팅이 이루어진 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴 나노선의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 (c)단계는, 상기 FTO 소다석회유리기판 장입 후, 215~225℃에서 10ml의 제1용액에 상기 제2용액을 0
11 11
제1항에 있어서, (d)상기 황화카드뮴 나노선이 성장된 FTO 소다석회유리기판을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴 나노선의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 (d)단계는 클로로포름(Chloroform)과 아세톤(Acetone) 중 적어도 하나의 세척액을 이용하는 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴 나노선의 제조방법
13 13
(a)200~240℃의 온도에서 카드뮴옥사이드(CdO)를 1-ODE 용매와 올레익산, TOPO 및 HDA로 구성되는 계면활성제에 용해시켜 제1용액을 제조하는 단계; (b)75~85℃의 온도에서 황(S)을 TBP에 용해시켜 제2용액을 제조하는 단계; (c)표면이 비스무스(Bi) 촉매로 코팅되어 있는 FTO 소다석회유리기판을 상기 제1용액에 장입한 후, 상기 제1용액의 1~20vol% 비율로 상기 제2용액을 상기 제1용액에 첨가하여, 상기 FTO 소다석회유리기판 상에 황화카드뮴 나노선을 성장시키는 단계; (d)상기 황화카드뮴 나노선이 목표 길이가 될 때까지 성장시키기 위하여, 215~225℃에서 유지하는 단계; 및 (e)상기 황화카드뮴 나노선이 성장된 FTO 소다석회유리기판을 클로로포름(Chloroform)과 아세톤(Acetone) 중 적어도 하나의 세척액을 이용하여 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액합성법을 이용한 황화카드뮴 나노선의 제조방법
14 14
제1항 내지 제7항, 제9항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 기재된 제조방법에 의해 제조된 황화카드뮴 나노선
15 15
제14항에 있어서, HCP 우르짜이트(Wurtzite) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 나노선
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.