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10 이상의 종횡비를 가지는 도파기용 나노로드를 포함하는 패턴 형성 장치
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2
제 1 항에 있어서,
도파기용 나노로드는 단면의 평균직경이 2 nm 내지 15 nm인 패턴 형성 장치
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3
제 1 항에 있어서,
도파기용 나노로드는 길이가 30 nm 내지 225 nm인 패턴 형성 장치
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4
제 1 항에 있어서,
도파기용 나노로드는, C, Si, SiC, SiO2, Si3N4, ZnO, Ge, CdSe, CdTe 및 GaN로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상으로 구성되는 패턴 형성 장치
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삭제
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6
제 1 항에 있어서,
도파기용 나노로드를 고정 및 이동시킬 수 있는 제어 수단을 추가로 포함하는 패턴 형성 장치
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7
제 6 항에 있어서,
제어 수단이 SPM인 패턴 형성 장치
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8
제 1 항에 있어서,
도파기용 나노로드에 빛 또는 열을 조사할 수 있는 조사 장치를 추가로 포함하는 패턴 형성 장치
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9
제 8 항에 있어서,
조사 장치가 레이저, 수은 램프, 무전극 램프, 크세논 램프, 금속 할라이드 램프 또는 광섬유인 패턴 형성 장치
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10
10 이상의 종횡비를 가지는 도파기용 나노로드의 하단을 기판과 인접 배치하고,
상기 도파기용 나노로드의 상단에 빛 또는 열을 조사하는 과정을 포함하는 패턴 형성 방법
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11
제 10 항에 있어서,
인접 배치된 도파기용 나노로드의 하단 및 기판의 간격이 100 nm 이하인 패턴 형성 방법
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12
제 10 항에 있어서,
기판은 감광 물질이 도포된 반도체 웨이퍼인 패턴 형성 방법
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13
제 10 항에 있어서,
기판은 상부에 감광성 고분자 또는 감열성 고분자를 포함하는 패턴 형성 방법
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14
제 10 항에 있어서,
기판은 상부에 은 이온을 함유하는 조성물을 포함하는 패턴 형성 방법
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