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셀레늄납 나노로드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132739
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비스무스 나노파티클을 촉매로 이용한 셀레늄납 나노로드의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01G 21/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C01B 19/04 (2006.01)
CPC C01B 19/04(2013.01) C01B 19/04(2013.01) C01B 19/04(2013.01) C01B 19/04(2013.01) C01B 19/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110040969 (2011.04.29)
출원인 고려대학교 산학협력단, 주식회사 세종소재
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0122669 (2012.11.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 주식회사 세종소재 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김민석 대한민국 서울특별시 강동구
3 하호 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0321590-73
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0356721-77
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006993-00
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0390237-50
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.01.16 수리 (Accepted) 9-1-2017-0001854-86
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0564795-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2017-5209322-53
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0126028-60
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비스무스 나노파티클을 촉매로 이용한 셀레늄납 나노로드의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 셀레늄납 나노로드의 제조방법은 셀레늄 및 산화납을 더 이용하는 것을 특징으로 하는 셀레늄납 나노로드의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 비스무스 나노파티클, 셀레늄 및 제1 용매를 혼합하고 초음파를 조사하여 제1 용액을 형성하는 단계;상기 제1 용액과 산화납을 포함하는 제2 용액을 160~200℃에서 혼합하여 제3 용액을 형성하는 단계; 및상기 제3 용액을 상온에서 냉각시켜 셀레늄납 나노로드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 셀레늄납 나노로드의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 비스무스 나노파티클은,염화비스무스(BiCl3)와 제2 용매의 혼합용액과 폴리(1-비닐피롤리돈)-그래프트-(1-헥사데센){poly(1-vinylpyrrolidone)-graft-(1-hexadecene)}과 1-옥타데센(1-octadecene의 혼합용액을 혼합한 제4 용액을 형성하는 단계;상기 제4 용액과 나트륨비스(트리메틸실릴)아미드(sodium bis(trimethylsilyl)amide)를 혼합하여 교반한 제5 용액을 형성하는 단계; 및상기 제5 용액을 가열하고 상온에서 냉각시킨 후 세척하여 비스무스 나노파티클을 형성하는 단계를 포함하는 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 셀레늄납 나노로드의 제조방법
5 5
청구항 3에 있어서,상기 제1 용매는 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine: TOP), 트리에틸아미노포스핀(tridiethylaminophosphine: TDP) 및 트리부틸포스핀(tributylphophine: TBP)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 셀레늄납 나노로드의 제조방법
6 6
청구항 3에 있어서,상기 산화납을 포함하는 제2 용액은 산화납(PbO), 1-옥타데센(1-octadecene), 올레산(oleic acid) 및 1-테트라데실포스폰산(1-tetradecylphosphonic acid)을 혼합하고 교반하여 형성된 용액인 것을 특징으로 하는 셀레늄납 나노로드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술진흥원 고려대학교 산학협력단 국제공동기술개발사업 Development of hign-performance theromoelectriic composites and sputtering targets by SPS(2010-BS-101002-001)