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(a) 탄소나노튜브가 포함된 현탁액을 생성하는 단계;(b) 상기 현탁액에 흑연 팁의 일단을 침전하고, 전기영동 방식에 따라서 침전된 상기 흑연 팁의 일단에 탄소나노튜브막을 형성하는 단계; 및(c) 상기 흑연 팁에 전위를 인가하여 상기 탄소나노튜브막을 수직 배향시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계는, (a1) 계면 활성제를 물에 용해시키는 단계; 및(a2) 계면 활성제가 용해된 물에 탄소나노튜브를 첨가하여 현탁액을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 방법
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제 2 항에 있어서, (a3) 상기 현탁액을 분산 안정화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 방법
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제 2 항에 있어서,상기 계면 활성제는 SDS(sodium dodecy sulfate)인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 흑연 팁의 일단과 상기 현탁액을 수용한 용기의 면을 사전에 정의된 거리만큼 이격시킨 후, 상기 흑연 팁에 양의 전위를 인가하고, 상기 용기에 음의 전위를 인가하여, 전기영동방식에 따라서 상기 흑연 팁의 일단에 상기 탄소나노튜브막을 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 (c1) 상기 탄소나노튜브막이 양전극과 사전에 정의된 거리만큼 이격되도록 상기 흑연 팁을 배치하는 단계; 및(c2) 상기 흑연 팁에 음 전위를 인가하고, 상기 양전극에 양 전위를 인가하여 상기 탄소나노튜브막을 전계에 의해서 수직 배향시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (c1) 단계는 상기 양 전극을 상기 흑연 팁에 대해서 아래에 배치하고, 상기 탄소나노튜브막이 상기 양 전극을 향하도록, 상기 흑연 팁을 중력 방향으로 상기 양전극에 대해서 수직으로 배치하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, (d) 상기 (c) 단계에서 수직 배향된 탄소나노튜브막에 대해서 열처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 방법
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제 8 항에 있어서, (e) 수직 배향된 탄소나노튜브막이 양전극과 사전에 정의된 거리만큼 이격되도록 상기 흑연 팁을 배치하고, 상기 양전극에 양의 전위를 인가하고, 상기 흑연 팁에 음 전위를 인가하여, 전계 방출 실험을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 방법
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절연 스테이지;상기 절연 스테이지에 고정된 전극기판;상기 전극기판 위에 배치되어 탄소나노튜브가 포함된 현탁액을 수용하는 도전성 재질의 용기;흑연 팁을 고정하는 흑연 팁 홀더; 상기 흑연 팁 홀더와 연결되어, 상기 흑연 팁의 높이를 조절하는 간격 조절기; 및상기 전극기판과 상기 흑연 팁에 전위를 인가하는 전압 발생원을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 장치
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제 10 항에 있어서, 상기 간격 조절기는상기 흑연 팁의 일단에 탄소나노튜브막을 형성하는 과정에서, 상기 흑연 팁의 일단과 상기 용기의 바닥면과의 간격이 사전에 정의된 간격만큼 이격되도록 조절하고, 상기 흑연 팁의 일단에 형성된 탄소나노튜브막을 수직 배향하는 과정에서, 상기 탄소나노튜브막이 형성된 상기 흑연 팁의 일단과 상기 전극기판과의 간격이 사전에 정의된 간격만큼 이격되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 장치
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제 10 항에 있어서, 상기 전극 기판에는상기 용기를 고정시키기 위한, 상기 용기의 밑바닥 형상과 동일한 형상의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 장치
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절연 스테이지;상기 절연 스테이지에 고정되고, 탄소나노튜브가 포함된 현탁액을 수용하는 수용홈이 형성된 전극기판;흑연 팁을 고정하는 흑연 팁 홀더; 상기 흑연 팁 홀더와 연결되어, 상기 흑연 팁의 높이를 조절하는 간격 조절기; 및상기 전극기판과 상기 흑연 팁에 전위를 인가하는 전압 발생원을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 장치
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제 13 항에 있어서, 상기 간격 조절기는상기 흑연 팁의 일단에 탄소나노튜브막을 형성하는 과정에서, 상기 흑연 팁의 일단과 상기 수용홈의 바닥면과의 간격이 사전에 정의된 간격만큼 이격되도록 조절하고, 상기 흑연 팁의 일단에 형성된 탄소나노튜브막을 수직 배향하는 과정에서, 상기 탄소나노튜브막이 형성된 상기 흑연 팁의 일단과 상기 전극기판과의 간격이 사전에 정의된 간격만큼 이격되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 수직 배향 장치
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