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정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막

  • 기술번호 : KST2015133963
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, a) 졸-겔 (sol-gel) 방법에 의해서 오산화이바나듐 나노선 (V2O5 nanowire) 용액을 제조하는 단계; b) 상기 오산화이바나듐 나노선 용액을 물에 희석시키고, 랑뮈에-블라제 트러프 (Langmuir-Blodgett trough)에 투입하는 단계; c) 상기 오산화이바나듐 나노선 희석 수용액에 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 분산을 용이하게 하기 위한 분산제를 첨가하는 단계; d) 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액을 유기 용매에 희석시킨 다음, 이를 상기 랑뮈에-블라제 트러프의 오산화이바나듐 나노선 희석 수용액 표면 상에 도포하고 방치하는 단계; e) 상기 랑뮈에-블라제 트러프에 장착된 배리어 (barrier)를 사용하여 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면 압력을 조정하는 단계; f) 상기 랑뮈에-블라제 트러프의 침지 막대 (dipping arm)에 기판을 고정한 다음, 상기 기판을 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면과 접촉시키는 단계; 및 g) 상기 기판을 상기 침지 막대로부터 분리하는 단계를 포함하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 오산화이바나듐 나노선 박막에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 졸-겔 합성법에 의해서 오산화이바나듐 나노선 박막을 제조하는 과정에 있어서, 나노선의 정렬도를 획기적으로 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 사후 세척 공정을 생략할 수 있어서 공정 단순화를 도모할 수 있으며, 제조된 나노선의 길이를 간편하게 재단할 수 있어서, 이를 이용하여 제조된 소자 특성의 재현성 확보 및 소자 특성 향상을 달성할 수 있다. 또한, 제조된 나노선 소자는 우수한 특성 및 재현성을 구비하므로, 전계 효과 트랜지스터 (Field Effect Transistor) 및 각종 센서의 제작 등에 광범위하게 활용될 수 있다. 오산화이바나듐 나노선 박막, 나노선 정렬
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) C01G 31/02 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020070136928 (2007.12.24)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0974623-0000 (2010.08.02)
공개번호/일자 10-2009-0069082 (2009.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20100809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.24)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재현 대한민국 울산 남구
2 하정숙 대한민국 서울특별시 노원구
3 김용관 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0928959-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0165319-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0435261-40
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0785974-03
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0785971-66
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0113180-01
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.03.30 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2010-0203397-98
10 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2010.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0029130-71
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0215566-33
12 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2010.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0033411-45
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.05.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0019758-45
14 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0235489-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 졸-겔 (sol-gel) 방법에 의해서 오산화이바나듐 나노선 (V2O5 nanowire) 용액을 제조하는 단계; b) 상기 오산화이바나듐 나노선 용액을 물에 희석시키기 위하여 상기 졸-겔 방법에 의해서 제조된 오산화이바나듐 나노선 1ml에 대해서 물 200ml 내지 2000ml를 혼합한 수용액을 제조하고, 상기 수용액을 랑뮈에-블라제 트러프 (Langmuir-Blodgett trough)에 투입하는 단계; c) 상기 오산화이바나듐 나노선 희석 수용액에 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 분산을 용이하게 하기 위하여 상기 오산화이바나듐 나노선 희석 수용액 100 부피부에 대해서 에탄올, 메탄올, 아세톤 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 분산제를 0
2 2
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3 3
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4 4
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5 5
제1항에 있어서, 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄은 염화 디옥타데실디메틸암모늄, 브롬화 디옥타데실디메틸암모늄 또는 요오드화 디옥타데실디메틸암모늄인 것을 특징으로 하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 d) 단계의 유기 용매는 클로로포름, 클로로벤젠, 디클로로벤젠 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 d) 단계의 희석 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 농도는 0
8 8
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9 9
제1항에 있어서, 상기 e) 단계의 계면 압력은 25 mN/m 내지 40 mN/m로 조정되는 것을 특징으로 하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
10 10
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11 11
제1항에 있어서, 상기 폴리머는 폴리디메틸실록산인 것을 특징으로 하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면과의 접촉은 상기 기판의 평면과 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면이 상호 평행하도록 접촉시키는 것을 특징으로 하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면과의 접촉은 상기 기판의 평면과 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면이 상호 수직하도록 접촉시키는 것을 특징으로 하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 기판의 평면과 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면 사이의 수직 접촉 이후에, 상기 배리어를 최대로 개방한 후 상기 기판을 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액으로부터 분리시키는 것을 특징으로 하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 배리어를 개방하기 이전에 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액의 계면에 거즈를 덮어서 상기 할로겐화 디옥타데실디메틸암모늄 용액과 공기 사이의 계면에 존재하는 할로겐화 디옥타데실디메틸 암모늄 박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 f) 단계 이후에 상기 스탬프를 물 또는 에탄올로 세척하고, 상기 스탬프 표면 상에 질소 가스를 불어주는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
17 17
제1항에 있어서, 상기 g) 단계 이후에 60℃ 내지 70℃의 온도에서 3분 내지 10분 동안 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
18 18
제1항에 있어서, 상기 패턴화된 폴리머층의 표면 상에 결합된 오산화이바나듐 나노선 박막을 상기 스탬프와는 다른 기판 상에 미세접촉 프린팅 (micro-contact printing) 방법에 의해서 전이시키는 것을 특징으로 하는 정렬도가 향상된 오산화이바나듐 나노선 박막의 제조방법
19 19
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2 US7875320 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 고려대학교 국가지정연구실사업 SiP (System in Package) 소자 응용을 위한 상향식(bottom-up) 다층 패터닝 공정