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나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조 방법,이를 이용한 단일층 나노스피어 고분자 패턴 형성 방법 및상기 단일층 나노스피어 패턴을 이용한 응용방법

  • 기술번호 : KST2015134175
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법, 나노임프린트 기술을 이용한 단일층 나노스피어 고분자 패턴 형성 방법 및 상기 단일층 나노스피어 고분자 패턴을 이용한 응용방법이 제공되며, 본 발명에 따른 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿은 기판상에 나노스피어를 적층하는 단계; 상기 나노스피어의 외곽층을 템플릿용 고분자 층에 전사하는 단계; 상기 템플릿용 고분자층으로부터 상기 나노스피어를 제거하여 나노스피어 형상의 템플릿을 완성하는 단계를 포함하며, 넓은 면적에서 균일한 모폴로지를 갖는 단일층 나노스피어 고분자 패턴 구조를 기판상에 형성시킬 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) G03F 7/20 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020080002594 (2008.01.09)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0930924-0000 (2009.12.02)
공개번호/일자 10-2009-0076568 (2009.07.13) 문서열기
공고번호/일자 (20091210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.09)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울 노원구
2 홍성훈 대한민국 서울 동대문구
3 황재연 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0018424-90
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2009-0033440-16
6 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0474988-72
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 나노스피어층을 적층하는 단계; 상기 나노스피어층의 외곽층을 템플릿용 고분자 층에 전사하는 단계; 상기 템플릿용 고분자층으로부터 상기 나노스피어를 제거하여 나노스피어 형상의 템플릿을 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 템플릿용 고분자 층은 폴리염화비닐(PVC), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 나노스피어의 제거단계는 상기 나노스피어를 선택적으로 용해시키는 용액에 상기 고분자층을 침지시킴으로써 진행되는 것을 특징으로 하는 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 나노스피어의 적층은 나노스피어가 분산된 용액을 상기 기판상에 도포시킴으로써 진행되는 것을 특징으로 하는 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 용액은 BOE(buffered oxide etcher)인 것을 특징으로 하는 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 전사단계는, 기판상에 적층된 상기 나노스피어에 상기 템플릿용 고분자층을 접촉시켜 가압하는 단계; 상기 템플릿용 고분자층을 연화시켜 상기 나노스피어의 형상이 상기 템플릿용 고분자층에 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 가압은 10 내지 20bar로 진행되는 것을 특징으로 하는 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
8 8
제 6항에 있어서, 상기 템플릿용 고분자층의 연화는 상기 템플릿용 고분자층의 유리전이온도 이상으로 온도를 가열시킴으로써 진행되는 것을 특징으로 하는 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 전사단계는 기판상에 적층된 상기 나노스피어 상에 템플릿용 고분자를 도포시키는 단계; 나노스피어 상에 도포된 상기 템플릿용 고분자를 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 전사단계 이전에 기판상에 적층된 상기 나노스피어를 스핀-코팅하는 것을 특징으로 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 템플릿용 고분자는 열 경화성 수지이며, 상기 경화단계는 열을 가함으로써 진행되는 것을 특징으로 하는 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
12 12
제 9항에 있어서, 상기 템플릿용 고분자의 UV 경화성 수지이며, 상기 경화단계는 UV를 조사함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노스피어 형틀 형태의 나노임프린트용 템플릿 제조방법
13 13
기판 상에 경화성 수지를 도포하는 단계; 상기 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 따라 제조된 템플릿을 경화성 수지가 도포된 상기 기판상에 가압하는 단계; 상기 경화성 수지를 경화시키는 단계; 경화된 상기 경화성 수지로부터 상기 템플릿을 제거하는 단계를 포함하는 단일층 나노스피어 고분자 패턴 형성 방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 경화성 수지는 UV 경화성 수지이며, 상기 경화단계는 UV조사에 의하여 진행되는 것을 특징으로 하는 단일층 나노스피어 고분자 패턴 형성 방법
15 15
제 13항에 있어서, 상기 경화성 수지는 열경화성 수지이며, 상기 경화단계는 열을 가함으로써 진행되는 것을 특징으로 하는 단일층 나노스피어 고분자 패턴 형성 방법
16 16
제 13항에 있어서, 상기 템플릿은 상기 가압단계 이전에 이형처리되는 것을 특징으로 하는단일층 나노스피어 고분자 패턴 형성 방법
17 17
제 16항에 있어서, 상기 이형처리는 상기 템플릿 상에 실리카(SiO2)를 증착시키는 단계 및 상기 실리카 표면을 헵타데카플루오로-1,1,2,2,-테트라-히드로데실트리클로로실란(heptadecafluoro-1,1,2,2-tetra-hydrodecyltrichlorosilane)으로 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일층 나노스피어 고분자 패턴 형성 방법
18 18
식각하고자 하는 박막 상에 제 13항 내지 제 17항에 따른 방법에 의하여 나노스피어 단일층을 패턴 형성하는 단계 상기 나노스피어 단일층의 나노스피어 크기를 감소시켜, 상기 박막의 일부를 외부로 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 박막을 식각공정으로 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자막 식각 방법
19 19
제 18항에 있어서, 상기 나노스피어 크기의 감소는 플라즈마 식각 공정에 의하여 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자막 식각 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.