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광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 합성수지판

  • 기술번호 : KST2015134453
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 가전제품 등 다양한 물품의 디자인 소재로 응용 가능한 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법은 표면에 광결정 패턴이 형성된 마스터 스탬프를 고분자 시트(Polymer Sheet) 상부에 위치시키는 제1단계; 상기 마스터 스탬프에 형성된 광결정 패턴을 상기 고분자 시트 표면에 전사하여 고분자 몰드를 형성하고, 상기 마스터 스탬프와 고분자 시트를 분리하는 제2단계; 상기 형성된 고분자 몰드 표면에 실리콘옥사이드 계열 물질을 증착하는 제3단계; 액상 또는 기상 SAM(Self Assembled Monolayer) 코팅을 통하여, 상기 실리콘옥사이드 계열 물질 표면에 이형용 막을 형성하는 제4단계; 상기 고분자 몰드에 용융상태의 합성수지를 포어링(pouring)하는 제5단계; 캐스팅법(casting method) 또는 몰딩법(molding method)을 이용하여 상기 고분자 몰드에 형성된 광결정 패턴을 상기 합성수지 표면에 전사하는 제6단계; 및 상기 제6단계를 통하여 광결정 패턴이 형성된 합성수지와 상기 고분자 몰드를 분리하는 제7단계를 포함하여 이루어진다.
Int. CL B29C 59/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B29C 59/022(2013.01) B29C 59/022(2013.01) B29C 59/022(2013.01)
출원번호/일자 1020090006407 (2009.01.28)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0993395-0000 (2010.11.03)
공개번호/일자 10-2010-0087425 (2010.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20101109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.01.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울특별시 서초구
2 홍성훈 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0050253-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428702-73
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2009-0067671-86
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0307790-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0554043-84
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0554044-29
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0488994-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면에 광결정 패턴이 형성된 마스터 스탬프를 고분자 시트(Polymer Sheet) 상부에 위치시키는 제1단계; 상기 마스터 스탬프에 형성된 광결정 패턴을 상기 고분자 시트 표면에 전사하여 고분자 몰드를 형성하고, 상기 마스터 스탬프와 고분자 시트를 분리하는 제2단계; 상기 형성된 고분자 몰드 표면에 실리콘옥사이드 계열 물질을 증착하는 제3단계; 액상 또는 기상 SAM(Self Assembled Monolayer) 코팅을 통하여, 상기 실리콘옥사이드 계열 물질 표면에 이형용 막을 형성하는 제4단계; 상기 고분자 몰드에 용융상태의 합성수지를 포어링(pouring)하는 제5단계; 캐스팅법(casting method) 또는 몰딩법(molding method)을 이용하여 상기 고분자 몰드에 형성된 광결정 패턴을 상기 합성수지 표면에 전사하는 제6단계; 및 상기 제6단계를 통하여 광결정 패턴이 형성된 합성수지와 상기 고분자 몰드를 분리하는 제7단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2단계는, 상기 마스터 스탬프와 고분자 시트를 접촉시키고, 상기 고분자 시트의 유리전이온도(Tg)보다 높은 온도로 가열하는 제2-1단계; 압력을 가하여 상기 마스터 스탬프 표면에 형성된 광결정 패턴을 상기 고분자 시트 표면에 전사하는 제2-2단계; 및 온도를 상기 고분자 시트의 유리전이온도보다 낮은 온도로 낮추고, 상기 마스터 스탬프와 고분자 시트를 분리하는 제2-3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제3단계는 상기 고분자 몰드 표면에 실리콘 옥사이드 계열 물질을 5~30nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제4단계는 (heptadecafluoro-1,1,2,2-tetra-hydrodecyl)trichlorosilane 및 Cl3Si(C2H4)C8F17 중 하나의 물질을 SAM 코팅하는 것을 특징으로 하는 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 마스터 스탬프는 SiC, SiO2, Si3N4, Al2O3, MgO, Si 및 Ni 중에서 어느 하나의 물질로 된 것을 특징으로 하는 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 마스터 스탬프는 표면에 이형물질이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 고분자 시트는 PVC(poly-vinyl chloride), COP(cyclo-olefin polymer), PMMA(poly(methyl methacrylate) 및 PC(polycarbonate) 중에서 선택되는 열가소성 수지인 것을 특징으로 하는 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 고분자 시트는 에폭시(Epoxy)계 수지의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 합성수지는 PDMS(polydimethylsiloxane), PVA(poly-vinyl alcohol), PUA(polyurethane acrylate) 및 PC(polycarbonate) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 합성수지는 자외선 경화형 레진 또는 열 경화형 레진인 것을 특징으로 하는 광결정이 형성된 합성수지판 제조 방법
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 제조 방법으로 제조된 광결정이 형성된 합성 수지판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.