맞춤기술찾기

이전대상기술

자기 정렬된 양극 산화 타이타늄 나노튜브 배열 제조방법 및 그에 의한 양극산화 타이타늄 나노튜브 구조 제어

  • 기술번호 : KST2015135045
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 정렬된 양극 산화 타이타늄(Ti) 나노튜브 배열 제조방법 및 그에 의한 양극 산화 타이타늄 나노튜브의 구조 제어에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Ti 금속을, 전처리과정, 그리고 적합한 전해질 조건과 전압을 인가하여 양극산화 시켜 템플레이트 없이 타이타니아(TiO2) 나노튜브를 제조하고, 또한 나노튜브의 구조를 조절하는 방법에 관한 것으로, 나노튜브의 균일성과 제어성이 좋아 고효율 고집적도의 다양한 나노 소자에 적용 가능한 기술이다. 본 발명은, 자기 정렬된 (self-organized) 양극 산화 밸브 금속 나노튜브의 제조방법에 있어서, 본 발명에 따른 규칙적인 금속 산화물 나노튜브 제조는, 타이타늄에 국한되지 않고, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb) 및 텅스텐(W)과 같은 밸브 금속 또는 상기 군으로부터 일 이상 선택하여 이루어진 합금의 군 등의 다른 밸브 금속에도 응용될 수 있는 것으로서, 나노 수준에서 표면 개질된 다양한 금속 산화물 제조에 사용할 수 있으며, 다양한 소자로 적용될 수 있다. 양극 산화, 밸브금속, 타이타니아, 나노튜브, 자기 정렬, 전해연마
Int. CL B22F 1/00 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC B22F 1/0025(2013.01) B22F 1/0025(2013.01) B22F 1/0025(2013.01) B22F 1/0025(2013.01) B22F 1/0025(2013.01)
출원번호/일자 1020080133631 (2008.12.24)
출원인 서울대학교산학협력단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0075032 (2010.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.09)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이성훈 대한민국 서울특별시 관악구
2 신연미 대한민국 경기도 안성시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박진호 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, 옥명빌딩 *층 (송파동)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0889304-15
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0001282-33
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0075988-22
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0140563-46
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0209743-19
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0761076-66
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0446490-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0790905-39
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0884027-94
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0961778-93
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0022609-17
13 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2012.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0004923-10
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0107715-64
15 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period
2012.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0087705-95
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0195077-28
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0195132-42
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
19 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0518170-56
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
자기 정렬된 양극 산화 밸브 금속 나노 튜브의 제조방법에 있어서, 상기 밸브 금속은 Hf, Zr, Ta, Nb, Ti 및 W로 이루어진 군 또는 상기 군으로부터 일 이상 선택하여 이루어진 합금의 군으로 부터 선택되고, 상기 선택된 금속의 표면을 평탄화하기 위한 전처리 과정으로 화학적 연마 또는 기계적 연마과정을 거친 후, 양극 산화를 진행하는 것을 특징으로하는 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 밸브금속은 타이타늄이고, 상기 화학적 연마는 전해 연마이며, 전해연마의 전해질은 과염소산, 부탄올 및 메탄올의 혼합용액인 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 혼합용액은 60% 과염소산 : 부탄올 : 메탄올 = 1 : 6 : 9의 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 양극산화에 사용되는 전해질은 유기 용매에 불화암모늄(NH4F)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 혼합용액은 유기 용매에 불화암모늄을 포함하며, 불화암모늄의 농도는 0
6 6
Hf, Zr, Ta, Nb, Ti 및 W로 이루어진 군 또는 상기 군으로부터 일 이상 선택하여 이루어진 합금의 군으로부터 선택된 밸브금속의 표면을 평탄화하기 위하여 화학적 연마 또는 기계적 연마를 시키는 전처리 과정의 단계; 상기 전처리 과정을 거친 밸브금속을 1차 양극산화 시켜 다공성 나노튜브를 형성시키는 단계; 상기 1차 양극산화로 생성된 다공성 나노튜브를 제거하는 단계; 상기 산화피막이 제거된 밸브금속을 2차 또는 반복적인 양극산화를 시켜 다공성 나노튜브를 형성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 양극 산화 밸브 금속 나노 튜브의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 2차 양극산화로 생성된 다공성 나노튜브를 화학적 식각을 통하여 구멍 간격은 일정하게 유지하면서 나노튜브의 내경을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 7항에 있어서, 식각액은 불소이온을 포함하는 것을 특징으로하는 방법
9 9
제 6항에 있어서, 상기 양극산화과정에서, 양극산화 전해질의 농도 및/또는 양극산화 전압을 조절하여 나노튜브의 직경을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제 6항에 있어서, 상기 2차 양극산화과정에서, 양극산화시간을 조절함으로써 나노튜브의 길이를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제 7항, 제 9항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 양극산화과정에 사용되는 전해질은 불화암모늄을 포함하며, 그 농도는 0
12 12
제 7항, 제 9항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 양극산화과정에서 인가되는 양극산화 전압은 20 ~ 60 V 인 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제 7항, 제 9항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밸브금속은 타이타늄인 것을 특징으로 하는 방법
14 14
제 7항, 제 9항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전해연마의 전해질은 60% 과염소산 : 부탄올 : 메탄올 = 1 : 6 : 9의 부피비를 갖는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 서울대학교 산학협력재단 서울시 산학연 협력사업-기술기반구축사업 나노바이오 시스템 및 응용소재