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레이스트랙 메모리 제조방법

  • 기술번호 : KST2015135204
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성장치를 이용함으로써, 노치(notch)가 규칙적으로 형성된 마그네틱 나노선(magnetic nanowire)을 용이하게 형성할 수 있는 레이스트랙 메모리(racetrack memory)의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 레이스트랙 메모리 제조방법은 격자이미지가 노치가 규칙적으로 형성되어 있는 나노선 패턴인 대상물질을 챔버에 위치시킨 후, 대상물질에 전자빔을 조사한다. 그리고 자성물질과 전자빔 레지스트가 순차적으로 적층되어 있는 기판에 대상물질을 통과한 전자빔을 조사한 후, 현상 및 식각하여 노치가 규칙적으로 형성되어 있는 마그네틱 나노선을 형성한다.
Int. CL H01L 43/12 (2006.01.01) H01L 27/22 (2006.01.01) G11C 11/16 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090072411 (2009.08.06)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1023498-0000 (2011.03.11)
공개번호/일자 10-2011-0014845 (2011.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20110321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기범 대한민국 서울 관악구
2 김현미 대한민국 서울 관악구
3 위정섭 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0481331-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0003892-39
4 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0055677-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
챔버에 위치한 결정구조를 갖는 대상물질에 전자빔을 조사시킴으로써, 상기 대상물질을 통과한 투과전자빔과 회절전자빔의 간섭에 의해 형성된 격자이미지로부터 패턴을 형성하는 패턴 형성장치를 이용하여 레이스트랙 메모리(racetrack memory)를 제조하는 방법으로, 상기 격자이미지가 노치(notch)가 규칙적으로 형성되어 있는 나노선(nanowire) 패턴인 대상물질을 상기 챔버에 위치시키는 단계; 상기 대상물질에 전자빔을 조사하는 단계; 자성물질과 전자빔 레지스트가 순차적으로 적층되어 있는 기판을 상기 대상물질을 통과한 전자빔에 노출시키는 단계; 상기 대상물질을 통과한 전자빔에 노출된 전자빔 레지스트를 현상하여, 노치가 규칙적으로 형성되어 있는 전자빔 레지스트 나노선 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 전자빔 레지스트 나노선 패턴을 이용하여 상기 자성물질을 식각함으로써, 노치가 규칙적으로 형성되어 있는 마그네틱 나노선(magnetic nanowire)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이스트랙 메모리 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 대상물질은 결정질 Si3N4이고, 상기 결정질 Si3N4의 (124)면이 전자빔이 조사되는 방향으로 위치하는 것을 특징으로 하는 레이스트랙 메모리 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 자성물질은 Fe, Co, Ni, Gd, Ho, Tb, Mn 및 Pd 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어진 화합물인 것을 특징으로 하는 레이스트랙 메모리 제조방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전자빔 레지스트는 HSQ(hydrogen silsesquioxane)인 것을 특징으로 하는 레이스트랙 메모리 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 특정연구개발사업 원자이미지를 이용한 양자점 형성기술 개발