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양자점 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015135367
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양자점 제조 방법은 II족 전구체 용액과 III족 전구체 용액의 제1 혼합물을 반응기에 넣고 200℃ 내지 350℃로 가열하는 단계와, 제1 혼합물을 가열된 온도로 유지하면서 제1 혼합물에 V족 전구체 용액과 VI족 전구체 용액을 가하여 제2 혼합물을 제조하는 단계 및 제2 혼합물을 가열된 온도로 유지하여 양자점의 코어와 쉘을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100025434 (2010.03.22)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1664180-0000 (2016.10.04)
공개번호/일자 10-2011-0106175 (2011.09.28) 문서열기
공고번호/일자 (20161012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.20)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강종혁 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 신중한 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 박재병 대한민국 서울 서초구
4 이동훈 대한민국 경상남도 양산시 양주로 **,
5 남민기 대한민국 경기도 안성시 월덕천길 **
6 차국헌 대한민국 서울특별시 관악구
7 이성훈 대한민국 서울특별시 관악구
8 배완기 대한민국 서울특별시 관악구
9 임재훈 대한민국 서울특별시 관악구
10 정주현 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0180882-46
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0026826-14
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0269079-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0808397-35
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0276339-22
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0386589-21
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
13 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
14 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0102795-63
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0001342-70
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0192576-23
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0192593-00
18 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0507431-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
II족 전구체 용액과 III족 전구체 용액의 제1 혼합물을 반응기에 넣고 200℃ 내지 350℃로 가열하는 단계; 상기 제1 혼합물을 상기 가열된 온도로 유지하면서 상기 제1 혼합물에 V족 전구체 용액과 VI족 전구체 용액을 가하여 제2 혼합물을 제조하는 단계; 및상기 제2 혼합물을 상기 가열된 온도로 유지하여 양자점의 코어와 쉘을 형성하는 단계를 포함하고,상기 코어 및 상기 쉘은 하나의 단계에서 형성되는 것인 양자점 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 II족 전구체의 II족 원소는 아연, 카드뮴 및 수은으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 II족 전구체는 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연(diethyl zinc), 아연 카르복실레이트(zinc carboxylate), 아연 아세틸아세토네이트(zinc acetylacetonate), 아연 아이오다이드(zinc iodide), 아연 브로마이드(zinc bromide), 아연 클로라이드(zinc chloride), 아연 플루오라이드(zinc fluoride), 아연 카보네이트(zinc carbonate), 아연 시아나이드(zinc cyanide), 아연 나이트레이트(zinc nitrate), 아연 옥사이드(zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(zinc perchlorate), 아연 설페이트(zinc sulfate), 디메틸 카드뮴(dimethyl cadmium), 디에틸 카드뮴(diethyl cadmium), 카드뮴 옥사이드(cadmium oxide), 카드뮴 카보네이트(cadmium carbonate), 카드뮴 아세테이트 디하이드레이트(cadmium acetate dihydrate), 카드뮴 아세틸아세토네이트 (cadmium acetylacetonate), 카드뮴 플루오라이드(cadmium fluoride), 카드뮴 클로라이드(cadmium chloride), 카드뮴 아이오다이드(cadmium iodide), 카드뮴 브로마이드(cadmium bromide), 카드뮴 퍼클로레이트(cadmium perchlorate), 카드뮴 포스파이드 (cadmium phosphide), 카드뮴 나이트레이트(cadmium nitrate), 카드뮴 설페이트(cadmium sulfate), 카드뮴 카르복실레이트 (cadmium carboxylate), 수은 아이오다이드(mercury iodide), 수은 브로마이드(mercury bromide), 수은 플루오라이드(mercury fluoride), 수은 시아나이드(mercury cyanide), 수은 나이트레이트(mercury nitrate), 수은 퍼클로레이트(mercury perchlorate), 수은 설페이트(mercury sulfate), 수은 옥사이드 (mercury oxide), 수은 카보네이트(mercury carbonate) 수은 카르복실레이트(mercury carboxylate) 및 상기 전구체들을 기반으로 한 전구체 화합물들로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 III족 전구체의 III족 원소는 알루미늄, 갈륨 또는 인듐으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 III족 전구체는 알루미늄 포스페이트(aluminum phosphate), 알루미늄 아세틸아세토네이트(aluminum acetylacetonate), 알루미늄 클로라이드(aluminum chloride), 알루미늄 플루오라이드(aluminum fluoride), 알루미늄 옥사이드(aluminum oxide), 알루미늄 나이트레이트(aluminum nitrate), 알루미늄 설페이트(aluminum sulfate), 갈륨 아세틸아세토네이트(gallium acetylacetonate), 갈륨 클로라이드(gallium chloride), 갈륨 플루오라이드(gallium fluoride), 갈륨 옥사이드(gallium oxide), 갈륨 나이트레이트(gallium nitrate), 갈륨 설페이트(gallium sulfate), 인듐 클로라이드(indium chloride), 인듐 옥사이드(indium oxide), 인듐 나이트레이트(indium nitrate), 인듐 설페이트(indium sulfate), 인듐 카르복실레이트(indium carboxylate) 및 상기 전구체들을 기반으로 한 전구체 화합물들로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 V족 전구체의 V족 원소는 질소, 인 및 비소로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 V족 전구체는 알킬 포스핀(alkyl phosphine), 트리스트리알킬실릴 포스핀(tris(trialkylsilyl phosphine)), 트리스디알킬실릴포스핀(tris(dialkylamino phosphine)), 트리스디알킬아미노 포스핀(tris(dialkylamino) phosphine), 아세닉 옥사이드(arsenic oxide), 아세닉 클로라이드(arsenic chloride), 아세닉 설페이트(arsenic sulfate), 아세닉 브로마이드(arsenic bromide), 아세닉 아이오다이드(arsenic iodide), 나이트릭 옥사이드(nitric oxide), 나이트릭산(nitric acid) 암모늄 나이트레이트(Ammonium nitrate) 및 상기 전구체들을 기반으로 한 전구체 화합물들로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 알킬 포스핀은 트리에틸 포스핀(triethyl phosphine), 트리부틸 포스핀(tributyl phosphine), 트리옥틸 포스핀(trioctyl phosphine), 트리페닐 포스핀(triphenyl phosphine) 및 트리시클로헥실 포스핀(tricyclohexyl phosphine)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 VI족 전구체의 VI족 원소는 황, 셀레늄, 및 텔루르로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 VI족 전구체는 설퍼(sulfur), 알킬싸이올(alkylthiol), 트리알킬포스핀 설파이드(trialkylphosphine sulfide), 트리알케닐포스핀 설파이드(trialkenylphosphine sulfide), 알킬아미노 설파이드(alkylamino sulfide), 알케닐아미노 설파이드(alkenylamino sulfide), 트리알킬포스핀 셀레나이드(trialkylphosphine selenide), 트리알케닐포스핀 셀레나이드(trialkenylphosphine selenide), 알킬아미노 셀레나이드(alkylamino selenide), 알케닐아미노 셀레나이드(alkenylamino selenide), 트리알킬포스핀 텔루라이드(trialkylphosphine telluride), 트리알케닐포스핀 텔루라이드(trialkenylphosphine telluride), 알킬아미노 텔루라이드(alkylamino telluride), 알케닐아미노 텔루라이드(alkenylamino telluride) 및 상기 전구체들을 기반으로 한 전구체 화합물들로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 II족 전구체는 아연 올리에이트이고 상기 VI족 전구체는 트리옥틸포스핀 설파이드 또는 트리부틸포스핀 설파이드인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 V족 전구체 용액과 상기 VI족 전구체 용액은 상기 제1 혼합물에 동시에 주입되는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 V족 전구체 용액과 상기 VI족 전구체 용액의 주입 단계는 비활성 기체 또는 공기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 코어와 쉘을 형성하는 단계는 비활성 기체 또는 공기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 쉘은 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 또는 II-III-VI족 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 쉘은 ZnS 또는 InZnS인 것을 특징으로 하는 양자점 제조 방법
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1 CN102199425 CN 중국 FAMILY
2 EP02368964 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
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4 EP02368964 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP05739152 JP 일본 FAMILY
6 JP23194562 JP 일본 FAMILY
7 US08460632 US 미국 FAMILY
8 US20110227007 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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3 EP2368964 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2368964 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP2368964 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
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7 JP5739152 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US2011227007 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US8460632 US 미국 DOCDBFAMILY
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