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프린팅과 기상증착중합법을 이용한 유연성 있는 유기반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015135536
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 본 발명은 유연성(flexible) 있는 유기 박막 트랜지스터 (Organic Thin Film Transistor; OTFT)의 제조에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 프린팅 방법과 기상증착중합법을 이용하여 전기 전도도가 우수한 전도성 고분자가 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain) 전극으로 구성된 박막트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 전기 전도도가 우수한 전도성 고분자를 유연성이 있는 지지체 위에 프린팅과 기상증착중합법을 이용하여 간단하고 빠르게 유기 박막 트랜지스터의 게이트, 소스 및 드레인 전극을 형성할 수 있어 고가의 금속 전극을 대체 할 수 있는 장점을 가진다. 또한 전극 구성 물질로서 휨성이 우수한 전도성 고분자 물질을 사용함으로써, 차세대 디스플레이 중 하나로 분류되는 플렉스블 디스플레이 혹은 전자 종이를 구성하는 반도체 소자로서 적용이 가능하다는 장점을 지닌다. 전도성 고분자, 프린팅, 기상증착중합, 유기 박막 트랜지스터
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/10 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01)
출원번호/일자 1020090122086 (2009.12.09)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1102657-0000 (2011.12.28)
공개번호/일자 10-2011-0065206 (2011.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20120104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장정식 대한민국 서울특별시 관악구
2 조준혁 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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최종권리자

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1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0761587-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0021028-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0221247-51
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0481060-05
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0565529-53
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0565536-73
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0727014-54
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연성 있는 유기 박막 트랜지스터를 제조하는데 있어서, 지지체 위에 형성하고자 하는 전극부 위에 프린팅이 가능한 중합개시제용액을 제조하는 단계 상기 중합개시제용액이 지지체 위에서 정밀한 패턴을 형성할 수 있도록 중합개시제용액의 화학적 물성을 개질하는 단계 상기 중합개시제용액이 지지체 위에서 정밀한 패턴을 형성할 수 있도록 지지체 표면의 화학적 특성을 개질하는 단계 상기 중합개시제 용액을 지지체 상에 외부 전압이 인가되는 게이트 전극부위에 프린팅하고, 이를 기화된 전도성 고분자의 단량체가 존재하는 기상증착중합반응기 내에 위치하여, 중합반응을 진행하여 유기 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 단계 상기 형성된 게이트 전극 위에 적층하고자 하는 유기 절연막과 유기 반도체 층을 형성하는 단계 상기 형성된 유기 절연막과 유기 반도체 층에 형성하고자 하는 소스와 드레인 전극 부위에 중합개시제용액을 프린팅하기 위하여 표면을 개질하는 단계 및 상기 표면이 개질된 유기 절연층과 유기 반도체 활성층 위에 중합개시제용액을 프린팅하고, 이를 기화된 전도성 고분자의 단량체가 존재하는 기상증착중합반응기 내에 위치하여, 중합반응을 진행하여 유기 박막 트랜지스터의 소스와 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서, 유기 박막 트랜지스터의 구조가 소스 및 드레인 전극층이 먼저 형성되고, 그 위에 순서대로 유기 반도체층, 유기 절연막층, 게이트 층이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
3 3
제 1항에 있어서, 유기 박막 트랜지스터의 구조가 게이트 층이 먼저 형성되고, 그 위에 순서대로 유기 절연막층, 소스 및 드레인 전극층, 유기 반도체 층이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 지지체는 프린팅 공정에 적용될 수 있고, 휨성이 우수한 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 플라스틱 필름을 포함하는것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터
5 5
제 1항에 있어서, 전극부를 형성하는 전도성 고분자 물질에 있어서, 기상증창중합이 용이한 피롤(pyrrole), 아닐린(aniline), 싸이오펜(thiophene) 및 이들 단량체의 일부가 치환된 유도체를 이용하여 중합된 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리싸이오펜(polythiophene) 및 이들의 유도체 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
6 6
제 1항에 있어서, 게이트, 소스 및 드레인 전극을 형성하는 방법이 잉크젯 (inkjet) 프린팅, 그라이바(gravure) 프린팅, 오프셋(off-set) 프린팅, 플렉소 (Flexo) 프린팅, 스크린 (Screen) 프린팅 및 이들 프린팅 법을 혼용한 프린팅 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
7 7
제 1항에 있어서, 유기 절연막으로 사용되는 물질이 PMMA(polymethylmethacrylate), PS(polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자,폴리이미드(polyimide)와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene)을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 유기절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.