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제1 전극과, 기준 전극 및 상기 제1 전극과 기준 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하며, 상기 전해질과 상기 제1 전극에 의하여 형성되는 커패시터(capacitor);상기 커패시터와 일단이 연결된 패스 트랜지스터;상기 트랜지스터의 게이트와 연결되어 상기 패스 트랜지스터의 턴온/턴오프(turn on/turn off)를 제어하는 워드 라인 드라이버; 및상기 패스 트랜지스터의 타단에 연결된 센스 앰프를 포함하는 다이내믹 램(Dynamic Ram)
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제1 항에 있어서,상기 전해질 내에 위치하는 도전성 나노 파티클들(conductive nano particles)을 더 포함하는 다이내믹 램
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제2 항에 있어서,상기 도전성 나노 파티클은 카본 나노 파티클인 다이내믹 램
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 전해질과 산화환원 반응을 일으키지 않는 물질인 다이내믹 램
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극은 금(Au), 백금(Pt) 및 그라핀(Graphene) 중 어느 하나로 형성된 다이내믹 램
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제1 항에 있어서,상기 커패시터에 정보를 쓰기 위한 쓰기 트랜지스터를 포함하는 쓰기 유닛을 더 포함하며, 상기 쓰기 트랜지스터는 일단이 쓰기 전압원(write voltage source)에 연결되고, 타단은 상기 패스 트랜지스터의 타단에 연결되며, 게이트는 쓰기 구동부에 연결되어 정보 저장소자에 정보를 쓰는 경우에 턴 온 되는 다이내믹 램
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제1 항에 있어서,상기 커패시터와 상기 트랜지스터를 연결하는 선로를 일정한 전압으로 충전하는 프리차지 트랜지스터를 포함하는 프리차지 유닛을 더 포함하며, 상기 프리차지 트랜지스터는 일단이 프리차지 전압원(precharge voltage source)에 연결되고, 타단은 상기 패스 트랜지스터의 타단에 연결되며, 게이트는 프리차지 드라이버에 연결되어 상기 선로를 일정한 전압으로 충전하는 경우에 턴 온되는 다이내믹 램
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산화막과 상기 산화막내에 포함된 전해질 및 상기 전해질에 전압를 인가하는 금속전극을 포함하는 정보 저장 소자;상기 정보저장소자와 일단이 연결된 패스 트랜지스터;상기 패스 트랜지스터의 게이트와 연결되어 상기 패스 트랜지스터의 턴온/턴오프(turn on/turn off)를 제어하는 워드 라인 드라이버; 및 상기 트랜지스터의 타단에 연결된 센스 앰프를 포함하는 다이내믹 램(Dynamic Ram)
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제8 항에 있어서,상기 금속전극은 상기 전압을 인가하여 상기 전해질의 수소이온농도를 변화시키는 다이내믹 램
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제8 항에 있어서,상기 산화막은 상기 전해질의 수소이온농도에 따라 표면전위가 달리 형성되는 다이내믹 램
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제8 항에 있어서,상기 센스 앰프는 상기 산화막의 표면전위를 입력받아 전기적 신호로 출력하는 ISFET(Ion Sensitive Field Effect Transistor)를 포함하는 다이내믹 램
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제8 항에 있어서,상기 산화막은 일 예로, 비도전성 산화막인 다이내믹 램
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제8 항에 있어서,상기 산화막은 탄탈륨산화막(Ta2O5), 알루미늄 산화막(Al2O3), 질화막(Si3O4), 실리콘산화막(SiO2) 중 어느 하나 이상을 포함하는 다이내믹 램
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제8 항에 있어서,상기 정보저장소자에 정보를 쓰기 위한 쓰기 트랜지스터를 포함하는 쓰기 유닛을 더 포함하며, 상기 쓰기 트랜지스터는 일단이 쓰기 전압원(write voltage source)에 연결되고, 타단은 상기 패스 트랜지스터의 타단에 연결되며, 게이트는 쓰기 구동부에 연결되어 정보 저장소자에 정보를 쓰는 경우에 턴 온 되는 다이내믹 램
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제8 항에 있어서,상기 정보저장소자와 상기 트랜지스터를 연결하는 선로를 일정한 전압으로 충전하는 프리차지 트랜지스터를 포함하는 프리차지 유닛을 더 포함하며, 상기 프리차지 트랜지스터는 일단이 프리차지 전압원(precharge voltage source)에 연결되고, 타단은 상기 패스 트랜지스터의 타단에 연결되며, 게이트는 프리차지 드라이버에 연결되어 상기 선로를 일정한 전압으로 충전하는 경우에 턴 온되는 다이내믹 램
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