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나노 결정, 그 제조방법, 및 이를 포함하는 소자

  • 기술번호 : KST2015136250
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 코어 용액에 제2첨가제가 함유된 전구체 용액을 고정 속도 또는 가변 속도로 연속적으로 주입하는 단계를 포함하여 형상 선택성(shape selectivity) 및 균일성이 향상된 나노 결정, 그 제조방법 및 이를 포함하는 소자가 제공된다.
Int. CL B82B 1/00 (2017.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) H01L 31/042 (2014.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020120139848 (2012.12.04)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1462005-0000 (2014.11.10)
공개번호/일자 10-2014-0072441 (2014.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20141119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.04)
심사청구항수 29

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 차국헌 대한민국 서울 서초구
2 이성훈 대한민국 서울특별시 관악구
3 임재훈 대한민국 서울 도봉구
4 배완기 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-1006306-36
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0024493-88
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0066154-42
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0198590-70
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0474078-65
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0474079-11
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0727650-86
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
코어; 및 상기 코어의 표면으로부터 선택적인 방향에 적어도 하나의 암을 포함하며, 상기 암의 평균 길이는 300nm 이하이고, 하나의 결정 내에 상기 암의 길이는 하기 수학식 1로 표시되는 범위의 균일한 분포를 갖는 나노 결정: 003c#수학식 1003e# 0 ≤(암의 최대길이 - 암의 최소길이)≤ 6nm±3nm
2 2
제1항에 있어서, 상기 암은 동일한 암 내에서 동일하거나 상이한 직경을 갖는 나노 결정
3 3
제2항에 있어서, 상기 암의 직경은 하기 수학식 2로 표시되는 범위의 분포를 갖는 나노 결정: 003c#수학식 2003e# 0 003c# 암의 직경 ≤ 15nm±1nm
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노 결정은 1개 내지 30개의 암을 갖는 나노 결정
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노 결정은 모노포드(monopod)형, 바이포드(bipod)형, 트리포드(tripod)형, 테트라포드(tetrapod)형, 및 멀티포드(multipod)형으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 형상을 포함하는 나노 결정
6 6
제1항에 있어서, 상기 나노 결정은 상기 암의 말단부와 인접하는 나노 결정의 코어 또는 상기 코어의 표면으로부터 형성된 적어도 하나의 암의 중간부 또는 말단부와 서로 연결된 나노 결정
7 7
제1항에 있어서, 상기 나노 결정은 코어 및 암의 조성이 동일하거나 상이한 나노 결정
8 8
제1항에 있어서, 상기 나노 결정은 IV족 원소 또는 II족 내지 VI족으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상의 화합물의 조성을 갖는 나노 결정
9 9
제1항에 있어서, 상기 나노 결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, AlP, AlAs, AlN, InP, InAs, InN, GaP, GaAs, GaN, PbS, PbSe, PbTe, SnS, SnSe, SnTe, Si, Ge, In2S2, In2Se3, In2Te3, Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3, Al2O3, Al2Se3, 및 Al2Te3으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 조성을 포함하는 나노 결정
10 10
질소 분위기 또는 불활성 분위기 하에 제1첨가제가 함유된 코어 용액을 준비하는 단계; 및상기 코어 용액에 제2첨가제가 함유된 전구체 용액을 고정 속도 또는 가변 속도로 연속적으로 주입하는 단계;를 포함하고,상기 코어의 표면으로부터 선택적인 방향에 적어도 하나의 암을 포함하며,상기 암의 평균 길이는 300nm 이하이고, 상기 암의 길이는 하기 수학식 1로 표시되는 범위의 분포를 갖는 나노 결정의 제조방법: 003c#수학식 1003e# 0 ≤ (암의 최대길이 - 암의 최소길이) ≤ 10nm±3nm
11 11
제10항에 있어서, 상기 제1첨가제 및 제2첨가제 중 적어도 하나는 -SO42-, -HSO4-, -F-, -Cl-, -Br-, -I-, -CF3COO-, -COO-, -NO2-, -SCN-, -CN-, 및 PHO32-으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온을 갖는 염을 포함하는 나노 결정의 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 제1첨가제 또는 제2첨가제는 1가 내지 4가의 암모늄 양이온과 할로겐 음이온의 염, 1가 내지 4가의 암모늄 양이온과 pKa가 1미만인 강산의 짝염기 음이온의 염, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 양이온과 할로겐 음이온의 염, 및 직쇄 또는 분지의 C2-C30 알킬포스폰산(alkylphosphonic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 나노 결정의 제조방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 제1첨가제 및 제2첨가제 중 적어도 하나에 직쇄 또는 분지의 C2-C30 알킬 카르복시산, 직쇄 또는 분지의 C2-C30 알킬아민, 직쇄 또는 분지의 C2-C30 알킬포스파인(alkylphosphine), 및 직쇄 또는 분지의 C2-C30 알킬포스파인 옥사이드(alkylphosphine oxide)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 계면활성제를 추가로 혼합하는 나노 결정의 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 제1첨가제는 상기 제1첨가제 및 계면활성제의 전체 1몰에 대해 0
15 15
제13항에 있어서, 상기 제2첨가제는 상기 제2첨가제 및 계면활성제의 전체 1몰에 대해 0
16 16
제10항에 있어서, 상기 코어 용액 또는 상기 전구체 용액은 트리옥틸포스파인(trioctylphosphine, TOP), 트리옥틸포스파인 옥사이드(trioctylphosphine oxide, TOPO), 직쇄 또는 분지의 C2-C30 알킬아세테이트(alkylacetate), C2 -C30 트리알킬아민(trialkylamine), 톨루엔, 1,2-디에톡시-에탄(1-diethoxy-ethane), 1-옥타데센(1-octadecene), 및 테트라코산(tetracosane)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 용매를 포함하는 나노 결정의 제조방법
17 17
제10항에 있어서, 상기 제1첨가제가 함유된 코어 용액을 준비하는 단계는 100℃ 내지 320℃의 온도에서 가열하는 공정을 포함하는 나노 결정의 제조방법
18 18
제10항에 있어서, 상기 코어 용액 또는 상기 전구체 용액은 IV족 원소의 염 또는 II족 내지 VI족 원소의 염으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상을 포함하는 나노 결정의 제조방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 IV족 원소의 염은 게르마늄 테트라클로라이드(germanium tetrachloride), 게르마늄 옥사이드(germanium oxide), 게르마늄 에톡사이드(germanium ethoxide), 주석 아세테이트(tin acetate), 주석 비스아세틸아세토네이트(tin bisacetylacetonate), 주석 브로마이드(tin bromide), 주석 클로라이드(tin chloride), 주석 플루오라이드(tin fluoride), 주석 옥사이드(tin oxide), 주석 설페이트(tin sulfate), 납 카복시레이트(lead carboxylate), 납 브로마이드(lead bromide), 납 클로라이드(lead chloride), 납 플루오라이드(lead floride), 납 옥사이드(lead oxide), 납 퍼클로레이트(lead perchlorate), 납 니트레이트(lead nitrate), 납 설페이트(lead sulfate), 및 납 카보네이트(lead carbonate)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 나노 결정의 제조방법
20 20
제18항에 있어서, 상기 II족 내지 VI족 원소의 염은 직쇄 또는 분지의 C2-C20 알킬아연(alkylzinc), 직쇄 또는 분지의 C2-C20 알킬카드뮴(alkylcadmium), 직쇄 또는 분지의 C2-C20 알킬수은(alkylmercury), 아연 카르복시레이트(zinc carboxylate), 카드뮴 카르복시레이트(cadmium carboxylate), 수은 카르복시레이트(mercury carboxylate), 아연 플루오라이드(zinc fluoride), 아연 클로라이드(zinc chloride), 아연 브로마이드(zinc bromide), 아연 아이오다이드(zinc iodide), 카드뮴 플루오라이드(cadmium fluoride), 카드뮴 클로라이드(cadmium chloride), 카드뮴 브로마이드(cadmium bromide), 카드뮴 아이오다이드(cadmium iodide), 수은 플루오라이드(mercury fluoride), 수은 클로라이드(mercury chloride), 수은 브로마이드(mercury bromide), 수은 아이오다이드(mercury iodide), 아연 시아나이드(zinc cyanide), 카드뮴 시아나이드(cadmium cyanide), 수은 시아나이드(mercury cyanide), 아연 카보네이트(zinc carbonate), 카드뮴 카보네이트(cadmium carbonate), 수은 카보네이트(mercury carbonate), 아연 옥사이드(zinc oxide), 카드뮴 옥사이드(cadmium oxide), 수은 옥사이드(mercury oxide), 아연 퍼옥사이드(zinc peroxide), 카드뮴 퍼옥사이드(cadmium peroxide), 수은 퍼옥사이드(mercury peroxide), 아연 퍼클로레이트(zinc perchlorate), 카드뮴 퍼클로레이트(cadmium perchlorate), 수은 퍼클로레이트(mercury perchlorate), 아연 설페이트(zinc sulfate), 카드뮴 설페이트(cadmium sulfate), 수은 설페이트(mercury sulfate), 카드뮴 아세틸아세토네이트(cadmium acetylacetonate), 카드뮴 포스파인(cadmium phosphine), 갈륨 아세틸아세토네이트(gallium acetylacetonate), 갈륨 클로라이드(gallium chloride), 갈륨 플루오라이드(gallium fluoride), 갈륨 옥사이드(gallium oxide), 갈륨 니트레이트(gallium nitrate), 갈륨 설페이트(gallium sulfate), 인듐 클로라이드(indium chloride), 인듐 옥사이드(indium oxide), 인듐 니트레이트(indium nitrate), 인듐 설페이트(indium sulfate), 게르마늄 테트라클로라이드(germanium tetrachloride), 게르마늄 옥사이드(germanium oxide), 게르마늄 에톡사이드(germanium ethoxide), 주석 아세테이트(tin acetate), 주석 비스아세틸아세토네이트(tin bisacetylacetonate), 주석 브로마이드(tin bromide), 주석 클로라이드(tin chloride), 주석 플루오라이드(tin fluoride), 주석 옥사이드(tin oxide), 주석 설페이트(tin sulfate), 납 카복시레이트(lead carboxylate), 납 브로마이드(lead bromide), 납 클로라이드(lead chloride), 납 플루오라이드(lead fluoride), 납 옥사이드(lead oxide), 납 퍼클로레이트(lead perchlorate), 납 니트레이트(lead nitrate), 납 설페이트(lead sulfate), 납 카보네이트(lead carbonate), 질산(nitric acid), 암모늄 니트레이트(ammonium nitrate), 트리메틸실릴 포스파인(trimethylsilyl phosphine), 직쇄 또는 분지의 C2-C30 알킬 포스파인(alkylphosphine) 또는 C3-C30 시클로알킬 포스파인(cycloalkyl phosphine), 아세닉 옥사이드(arsenic oxide), 아세닉 클로라이드(arsenic chloride), 아세닉 설페이트(arsenic sulfate), 아세닉 브로마이드(arsenic bromide), 아세닉 아이오다이드(arsenic iodide), 직쇄 또는 분지의 C2-C20 알킬티올(alkyl thiol), 설퍼-트리옥틸포스파인(sulfur-trioctylphosphine), 설퍼-트리부틸포스파인(sulfur-tributylphosphine), 설퍼-트리페닐포스파인(sulfur-triphenylphosphine), 텔루르-트리옥틸포스파인(tellure-trioctylphosphine), 텔루르-트리부틸포스파인(tellure-tributylphosphine), 및 텔루르-트리페닐포스파인(tellure-triphenylphosphine)으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상을 포함하는 나노 결정의 제조방법
21 21
제10항에 있어서, 상기 전구체 용액은 전구체 1몰에 대해 0
22 22
제10항에 있어서, 상기 전구체 용액을 고정 속도 또는 가변 속도로 연속적으로 주입하는 단계는 상기 코어 용액에 상기 전구체 용액을 0
23 23
제10항에 있어서, 상기 나노 결정은 암의 개수가 1 내지 30인 나노 결정의 제조방법
24 24
제10항에 있어서, 상기 나노 결정의 암의 직경의 크기는 점진적으로 조절되는 나노 결정의 제조방법
25 25
제10항에 있어서, 상기 나노 결정은 모노포드형, 바이포드형, 트리포드형, 테트라포드형, 및 멀티포드형으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 형상을 포함하는 나노 결정의 제조방법
26 26
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 나노 결정을 포함하는 소자
27 27
제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 나노 결정의 제조방법에 의해 제조된 나노 결정을 포함하는 소자
28 28
제26항에 있어서, 상기 소자는 광전지 소자 또는 압력 센서를 포함하는 소자
29 29
제27항에 있어서, 상기 소자는 광전지 소자 또는 압력 센서를 포함하는 소자
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1 WO2014088211 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 서울대학교 거대과학기술개발/기후변화대응기초원천기술개발과제 고효율 태양 에너지 수집용 광학 구조 연구
2 교육과학기술부 서울대학교 리더연구자지원사업 지능형 유도조합체 연구단