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금속 산화물 나노 입자의 형성 방법 및 금속 산화물 나노입자가 분포된 발광층을 포함하는 발광 소자 및 그 발광소자 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015140938
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법 및 금속 산화물 나노 입자가 분포된 발광층을 포함하는 발광 소자 및 그 발광 소자 제작 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 절연성 고분자 물질과 전도성 고분자 물질이 혼합된 혼합물 박막으로 형성되며, 상기 혼합물 박막의 내부에 발광 매개체인 금속 산화물 나노 입자가 분포되어 있는 발광층을 포함하는 발광 소자가 제공될 수 있다. 여기서, 금속 산화물 나노 입자는 본 발명의 실시예에 따라 절연성 고분자 물질의 전구체와 전도성 고분자 물질이 혼합된 제1 혼합물 박막을 형성하는 단계; 상기 제1 혼합물 박막의 일면에 금속 박막을 형성하는 단계; 및 열처리를 통해 상기 전구체를 경화시켜 상기 절연성 고분자 물질과 상기 전도성 고분자 물질이 혼합된 제2 혼합물 박막을 형성하고, 상기 경화 과정에서 상기 제2 혼합물 박막의 내부에 분포되는 금속 산화물 나노 입자를 형성하는 단계에 의해 제조될 수 있다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01)
CPC H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020070126041 (2007.12.06)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0928305-0000 (2009.11.17)
공개번호/일자 10-2009-0059279 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20091125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.06)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 리, 푸샨 중국 서울 성동구
3 정재훈 대한민국 서울 광진구
4 김영호 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0878220-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0040318-73
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0768198-01
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0221639-97
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0431167-16
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0431152-32
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0470080-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연성 고분자 물질과 전도성 고분자 물질이 혼합된 혼합물 박막으로 형성되며, 상기 혼합물 박막의 내부에 발광 매개체인 금속 산화물 나노 입자가 분포되어 있는 발광층을 포함하는 발광 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 절연성 고분자 물질은 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 발광 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자 물질은 N형의 폴리비닐카바졸인 것을 특징으로 하는 발광 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 입자는 ZnO, Cu2O, SnO2, MgO2, ZrO2, Zr1-XCdXO, Zn1-XCoXO 및 Zn1-XMnXO 중 어느 하나의 나노 입자이며, 여기서, x는 0 003c# x 003c# 1의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 발광 소자는 2개의 전극을 포함하되, 상기 발광층은 상기 2개의 전극 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 2개의 전극 중 적어도 하나는 투명 전극으로 구현되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 투명 전극은 ITO(indium-tin-oxide) 전극인 것을 특징으로 하는 발광 소자
8 8
절연성 고분자 물질의 전구체와 전도성 고분자 물질이 혼합된 제1 혼합물 박막을 형성하는 단계; 상기 제1 혼합물 박막의 일면에 금속 박막을 형성하는 단계; 및 열처리를 통해 상기 전구체를 경화시켜 상기 절연성 고분자 물질과 상기 전도성 고분자 물질이 혼합된 제2 혼합물 박막을 형성하고, 상기 경화 과정에서 상기 제2 혼합물 박막의 내부에 분포되는 금속 산화물 나노 입자를 형성하는 단계 를 포함하는 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 혼합물 박막을 형성하는 단계는, 상기 절연성 고분자 물질의 전구체와 상기 전도성 고분자 물질을 용매에 녹인 혼합 용액을 제조하는 단계; 상기 혼합 용액을 기판 상에 스핀 코팅하는 단계; 및 상기 기판 상에 스핀 코팅된 혼합 용액에서 상기 용매를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 용매는 엔-메틸-2-피롤리돈(NMP)인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 용매의 제거는 135℃에서 30분 동안의 가열 공정에 의하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 혼합 용액을 제조하는 단계는, 상기 절연성 고분자 물질의 전구체를 상기 용매에 질량비 1:3 비율로 용해시킨 전구체 용액을 제조하는 단계; 및 상기 전구체 용액과 상기 전도성 고분자 물질을 몰비 1:1 비율로 혼합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법
13 13
제8항에 있어서, 상기 절연성 고분자 물질의 전구체는 비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드-피-페닐렌디아민(BPDA-PDA) 형의 폴리아믹산이되, 상기 전구체의 경화에 의해 형성되는 상기 절연성 고분자 물질은 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법
14 14
제8항에 있어서, 상기 전도성 고분자 물질은 N형의 폴리비닐카바졸인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법
15 15
제8항에 있어서, 상기 금속 박막은 상기 전구체의 경화 과정에서 발생된 산소와 결합함을 통해 상기 제2 혼합물 박막의 내부에서 금속 산화물 나노 입자의 형태로 변환 분포되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법
16 16
제8항에 있어서, 상기 금속 박막은 아연, 구리, 주석, 지르코늄, 지르코늄-카드뮴 합금, 아연-코발트 합금 및 아연-망간 합금 중 어느 하나의 재료로 형성되되, 상기 금속 산화물 나노 입자는 상기 금속 박막을 형성하는 재료에 상응하여 ZnO, Cu2O, SnO2, MgO2, ZrO2, Zr1-XCdXO, Zn1-XCoXO 및 Zn1-XMnXO 중 어느 하나의 나노 입자로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법
17 17
제8항에 있어서, 상기 열처리는 질소(N2) 환경에서 350℃에서 2 ~ 4 시간동안 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노 입자의 형성 방법
18 18
제8항 내지 제17항 중 어느 한 항에 의해 형성된 금속 산화물 나노 입자가 내부에 분포된 발광층을 제작하는 단계; 상기 발광층의 일면 및 타면에 전극을 각각 형성하는 단계; 및 상기 전극에 전원 공급을 위한 구동 회로를 연결하는 단계 를 포함하는 발광 소자의 제작 방법
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1 WO2009072780 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2009072780 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2009072780 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2009072780 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 한양대학교 국가지정연구실 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구