맞춤기술찾기
이전대상기술
나노 와이어 트랜지스터 및 그의 제조 방법
- 기술번호 : KST2015141357
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 나노 와이어 수용홈을 형성하여 나노 와이어의 형성시 나노 와이어의 성장 제어를 용이하게 함으로써, 일정한 공간에 일정한 크기의 나노 와이어가 형성되게 할 수 있는 나노 와이어 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.일례로, 서브스트레이트; 상기 서브스트레이트의 상부에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층의 상부에 형성되는 게이트 전극; 상기 버퍼층의 상부에 상기 게이트 전극을 덮도록 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 씨드층; 상기 씨드층을 덮도록 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 전극층; 및 상기 게이트 절연막의 상부 중 상기 게이트 전극과 대응하는 영역에 상기 씨드층과 접촉하도록 형성되는 나노 와이어를 포함하는 나노 와이어 트랜지스터가 개시된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100098934 (2010.10.11) |
| 출원인 | 경기대학교 산학협력단, 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1184498-0000 (2012.09.13) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0037276 (2012.04.19) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120919) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.10.11) |
| 심사청구항수 | 32 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 경기대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주상현 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 2 | 권오경 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
| 3 | 서미숙 | 대한민국 | 경기도 용인시 수지구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서만규 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암) |
| 2 | 서경민 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 서울특별시 성동구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.10.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0655768-57 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.09.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.10.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0082317-94 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.10.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0625784-11 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.12.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0987128-34 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.12.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0987129-80 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.05.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0295729-58 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0432613-40 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.05.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0432614-96 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0508871-64 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.07.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5105476-10 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5027621-72 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5027623-63 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 서브스트레이트;상기 서브스트레이트의 상부에 형성되는 버퍼층;상기 버퍼층의 상부에 형성되는 게이트 전극;상기 버퍼층의 상부에 상기 게이트 전극을 덮도록 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 씨드층;상기 씨드층을 덮도록 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 전극층; 및상기 게이트 절연막의 상부 중 상기 게이트 전극과 대응하는 영역에 상기 씨드층과 접촉하도록 형성되는 나노 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 상기 나노 와이어를 수용하는 나노 와이어 수용홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 나노 와이어에서 상기 씨드층과 접촉하는 면은 상기 게이트 절연막의 상면과 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막과 상기 전극층 사이에 형성되는 희생층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서,상기 희생층은 상기 나노 와이어를 수용하는 나노 와이어 수용홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서,상기 나노 와이어에서 상기 씨드층과 접촉하는 면은 상기 희생층의 상면과 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 씨드층은 상기 나노 와이어를 수용하는 나노 와이어 수용홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 씨드층은상기 나노 와이어의 일측과 연결되는 제 1 씨드층; 및상기 제 1 씨드층과 이격되며, 상기 나노 와이어의 타측과 연결되는 제 2 씨드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 전극층은상기 제 1 씨드층을 덮는 제 1 전극; 및제 1 전극과 이격되며 상기 제 2 씨드층을 덮는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 전극층은 상기 나노 와이어를 노출하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 씨드층은 Au, graphite, ZnO, AuZnO, Cu, Al, AuAl, Ni, SnO2, In2O3, ZnS 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서,상기 나노 와이어는CaS:Eu, ZnS:Sm, ZnS:Mn, Y2O2S:Eu, Y2O2S:Eu,Bi, Gd2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce, SrY2S4: Eu, (Ca,Sr)S:Eu, SrS:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu,Bi,ZnS:Tb, ZnS:Ce,Cl, ZnS:Cu,Al, Gd2O2S:Tb, Gd2O3:Tb,Zn, Y2O3: Tb,Zn, SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2S:Tb, ZnO:Ag, ZnO:Cu,Ga, CdS:Mn, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, YBO3:Ce,Tb, Ba2SiO4:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, (Ba,Sr)Al2O4:Eu, Sr2Si3O8,2SrCl2:Eu,SrS:Ce, ZnS:Tm, ZnS:Ag,Cl, ZnS:Te, Zn2SiO4:Mn, YSiO5:Ce, (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu, BaMgAl10O17:Eu, BaMg2Al16O27:Eu,YAG(Yittrium, Alumium, Garnet) 또는 CaAl2O3와 SrAl2O3를 합성한 CaxSrx-1Al2O3:Eu+2를 이용한 혼합물 또는 화합물, 또는ZnO, In2O3, SnO2, SiGe, GaN, InP, InAs, Ge, GaP, GaAs, GaAs/P, InAs/P, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 나노 와이어는 Ce, Tm, Ag, Cl, Te, Mn, Eu, Bi, Tb, Cu, Zn, Ga으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물 또는 화합물인 도펀트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 14 |
14 제 4 항에 있어서,상기 희생층은SiO2 또는 SiNx를 포함하는 절연 물질로 형성되거나,Al, ITO 및 Ti 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 15 |
15 서브스트레이트;상기 서브스트레이트의 상부에 형성되는 버퍼층;상기 버퍼층의 상부에 형성되는 씨드층;상기 씨드층을 덮도록 상기 버퍼층의 상부에 형성되는 전극층;상기 전극층의 상부에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 게이트 전극; 및상기 게이트 절연막의 하부 중 상기 게이트 전극과 대응되는 영역에 상기 씨드층과 접촉하도록 형성되는 나노 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 씨드층은 상기 나노 와이어를 수용하는 나노 와이어 수용홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 17 |
17 제 15 항에 있어서,상기 씨드층은상기 나노 와이어의 일측과 연결되는 제 1 씨드층; 및상기 제 1 씨드층과 이격되며, 상기 나노 와이어의 타측과 연결되는 제 2 씨드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서,상기 전극층은상기 제 1 씨드층을 덮는 제 1 전극; 및제 1 전극과 이격되며 상기 제 2 씨드층을 덮는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 19 |
19 제 15 항에 있어서,상기 전극층은 상기 나노 와이어를 노출하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 20 |
20 제 15 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 씨드층을 덮도록 상기 버퍼층의 상부에 형성되며, 상기 씨드층과 상기 전극층 사이에 개재되는 블럭층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 21 |
21 제 20 항에 있어서, 상기 블럭층은상기 제 1 씨드층과 상기 제 1 전극 사이에 개재되는 제 1 블럭; 및제 1 블럭과 이격되며 상기 제 2 씨드층과 상기 제 2 전극 사이에 개재되는 제 2 블럭을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터 |
| 22 |
22 서브스트레이트의 상부에 형성된 버퍼층의 상부에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성 단계;상기 버퍼층의 상부에 상기 게이트 전극을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 게이트 절연막 형성 단계;상기 게이트 절연막의 상부에 씨드층을 형성하는 씨드층 형성 단계;상기 씨드층을 덮도록 상기 게이트 절연막의 상부에 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계;상기 게이트 절연막의 상부 중 상기 게이트 전극과 대응하는 영역에 나노 와이어 수용홈을 형성하는 나노 와이어 수용홈 형성 단계; 및상기 나노 와이어 수용홈에 나노 와이어를 형성하는 나노 와이어 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터의 제조 방법 |
| 23 |
23 제 22 항에 있어서,상기 나노 와이어 수용홈 형성 단계는 상기 게이트 절연막에 상기 나노 와이어 수용홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터의 제조 방법 |
| 24 |
24 제 22 항에 있어서,상기 게이트 절연막과 상기 전극층 사이에 희생층을 형성하는 희생층 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터의 제조 방법 |
| 25 |
25 제 24 항에 있어서, 상기 나노 와이어 수용홈 형성 단계는 상기 희생층에 상기 나노 와이어 수용홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 나논 와이어 트랜지스터의 제조 방법 |
| 26 |
26 제 24 항에 있어서,상기 나노 와이어 수용홈 형성 단계는 상기 씨드층에 상기 나노 와이어 수용홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터의 제조 방법 |
| 27 |
27 제 22 항에 있어서,상기 나노 와이어 수용홈 형성 단계는 에칭 방법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터의 제조 방법 |
| 28 |
28 제 22 항에 있어서, 상기 나노 와이어 형성 단계는 상기 씨드층으로부터 나노 와이어 형성 물질을 성장시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터의 제조 방법 |
| 29 |
29 제 28 항에 있어서, 상기 나노 와이어 형성 단계는 thermal CVD, laser ablation CVD(LACVD), plasma enhanced CVD(PECVD), LPCVD, MOCVD 중에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터의 제조 방법 |
| 30 |
30 서브스트레이트의 상부에 형성된 버퍼층의 상부에 희생층을 형성하는 희생층 형성 단계;상기 희생층의 양측을 덮도록 상기 버퍼층의 상부에 씨드층을 형성하는 씨드층 형성 단계;상기 씨드층을 덮도록 상기 버퍼층의 상부에 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계;상기 희생층을 제거하여 나노 와이어 수용홈을 형성하는 나노 와이어 수용홈 형성 단계;상기 나노 와이어 수용홈에 나노 와이어를 형성하는 나노 와이어 형성 단계;상기 전극층과 나노 와이어의 상부에 게이트 절연막을 형성하는 게이트 절연막 형성 단계; 및상기 게이트 절연막 중 상기 나노 와이어와 대응하는 영역에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터의 제조 방법 |
| 31 |
31 제 30 항에 있어서, 상기 전극층 형성 단계는 상기 나노 와이어 수용홈 형성 단계 이전에 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터의 제조 방법 |
| 32 |
32 제 30 항에 있어서, 상기 씨드층 형성 단계와 상기 전극층 형성 단계 사이에 상기 씨드층을 덮도록 상기 버퍼층의 상부에 블럭층을 형성하는 블럭층 형성 단계를 더 포함하며, 상기 전극층 형성 단계는 상기 나노 와이어 형성 단계 이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 트랜지스터의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 원천기술개발사업 | 경기대학교 산학협력단 / 한양대학교 산학협력단 | 미래기반기술개발사업 | 신개념의 NSEA방식을 이용한 NIT 융합형 나노 디스플레이 개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1184498-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20101011 출원 번호 : 1020100098934 공고 연월일 : 20120919 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120829 청구범위의 항수 : 32 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 나노 와이어 트랜지스터 및 그의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170914 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
| 1 |
(권리자) 경기대학교 산학협력단 경기도 수원시 영통구... |
| 2 |
(말소권자) 경기대학교 산학협력단 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 646,500 원 | 2012년 09월 13일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 536,420 원 | 2015년 09월 22일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 520,800 원 | 2016년 07월 05일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.10.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0655768-57 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.09.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.10.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0082317-94 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.10.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0625784-11 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.12.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0987128-34 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.12.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0987129-80 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2012.05.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0295729-58 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0432613-40 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.05.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0432614-96 |
| 10 | 등록결정서 | 2012.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0508871-64 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.07.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5105476-10 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5027621-72 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5027623-63 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345141196 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-50192 |
| 연구과제명 | 신개념의 NSEA방식을 이용한 NIT 융합형 나노 디스플레이 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 경기대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200909~201406 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345118468 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-0057214 |
| 연구과제명 | 나노와이어 트랜지스터 회로를 이용한 투명하고 휠수있는 고효율 저전력 디스플레이 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 경기대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200805~201102 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345121581 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0082683 |
| 연구과제명 | 산화물 나노구조체를 이용한 대면적 면발광 기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 경기대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200906~201205 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345141196 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-50192 |
| 연구과제명 | 신개념의 NSEA방식을 이용한 NIT 융합형 나노 디스플레이 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 경기대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200909~201406 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
| [1020110033593] | 플립 플롭 및 그를 포함하는 시프트 레지스터 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020100098934] | 나노 와이어 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100020203] | 나노 와이어 제조 방법 및 나노 와이어를 갖는 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020100020202] | 나노 와이어 발광 트랜지스터를 갖는 발광 표시 장치 | 새창보기 |
| [1020100020201] | 나노 와이어를 갖는 발광 표시 장치 | 새창보기 |
| [1020080136771] | 무기 발광 소자 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2016017872][한양대학교] | 아연 산질화물을 포함하는 박막, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 트랜지스터(thin film comprising Zinc oxynitride, method of fabricating the same, and transistor comprising the same) | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2022022355][한양대학교] | 반도체 메모리 장치 | 새창보기 |
| [KST2015228716][한양대학교] | 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법(Method of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor) | 새창보기 |
| [KST2017017417][한양대학교] | 반도체 소자 및 이의 제조 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2014060212][한양대학교] | 향상된 전하 이동도를 가지는 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2019000731][한양대학교] | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2021007768][한양대학교] | 듀얼 게이트 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2020014453][한양대학교] | 수소 확산 방지막을 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014059922][한양대학교] | Ｎ-형 유기-무기 나노복합 초격자 투명 반도체 박막, 상기의 제조 방법 및 전자 기기적 용도 | 새창보기 |
| [KST2015142340][한양대학교] | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2016018861][한양대학교] | 인듐 및 주석의 산화물을 포함하는 박막, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 트랜지스터(Thin film comprising Indium Tin Oxide(ITO), method of fabricating the same, and transistor comprising the same) | 새창보기 |
| [KST2015141578][한양대학교] | 미세 구조체를 가지는 유기 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2020008739][한양대학교] | 트랜지스터, 패널 및 트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014043258][한양대학교] | 산화아연계 반도체 박막의 제조방법, 이를 이용한 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2020009730][한양대학교] | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2018011237][한양대학교] | 반도체 박막의 제조 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2019031154][한양대학교] | 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015141443][한양대학교] | 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015141658][한양대학교] | 산화물 반도체층을 갖는 박막트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016008051][한양대학교] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법(Thin film transistor, and method of fabricating the same) | 새창보기 |
| [KST2014047514][한양대학교] | 다층 구조의 게이트 절연체를 포함하는 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2018009622][한양대학교] | 박막 트랜지스터 기판 및 표시 장치 | 새창보기 |
| [KST2020011814][한양대학교] | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2019002222][한양대학교] | 고유전체 절연 박막을 포함하는 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015142179][한양대학교] | 금속 및 칼코겐을 포함하는 박막의 제조 방법, 및 이를 포함하는 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2015142507][한양대학교] | 핀 전계 효과 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2015142695][한양대학교] | 3차원 CMOS 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014047753][한양대학교] | 투명하고 플렉서블한 탄소나노튜브 박막 트랜지스터 및이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2018000521][한양대학교] | 투명 활성층, 이를 포함하는 박막 트랜지스터, 및 그 제조 방법(Transparent active layer, thin film transistor comprising the same, and method of fabricating of the thin film transistor) | 새창보기 |
| [KST2016009160][한양대학교] | p형 산화물 반도체의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조되는 p형 산화물 반도체(Method of manufacturing p-type semiconductor oxide and p-type semiconductor oxide) | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|