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미세 구조체를 가지는 유기 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015141578
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 미세 구조체인 활성 유도층이 펜타센으로 대표되는 활성층 하부에 형성된 유기 박막 트랜지스터가 개시된다. 드레인 영역 및 소스 영역 하부에 형성되고, 패턴화된 활성 유도체는 그 상부의 펜타센의 배향을 변화시킨다. 변화된 배향으로 인해 호핑 동작에 의한 전하의 이동은 채널 영역으로 집중된다. 따라서, 트랜지스터 소자의 전류 구동 능력 및 온/오프 비율은 향상된다. 또한, 활성층 하부의 활성 유도층은 아일랜드 형태의 팰럿으로 제공될 수도 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01)
출원번호/일자 1020120119583 (2012.10.26)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1393161-0000 (2014.04.30)
공개번호/일자 10-2013-0047617 (2013.05.08) 문서열기
공고번호/일자 (20140512) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110111753   |   2011.10.31
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재훈 대한민국 경기 용인시 수지구
2 유창재 대한민국 서울 동대문구
3 이유진 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0875454-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0106866-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0058765-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0282156-25
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0282115-64
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0279929-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고, 제2 방향으로 신장된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성된 활성 유도층;상기 게이트 절연막과 상기 활성 유도층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 소스 전극; 및상기 소스 전극에 상기 제2 방향과 직각인 제1 방향으로 대향하며, 상기 소스 전극과 상기 제1 방향으로 이격되는 드레인 전극을 포함하고,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 상기 제1 방향으로 이격되어 상기 활성층의 채널 영역을 노출시키며,상기 활성 유도층은 상기 소스 전극 하부의 상기 활성층인 소스 영역 및 상기 드레인 전극 하부의 상기 활성층인 드레인 영역의 하부에만 형성되고, 상기 채널 영역 하부에서 상기 활성 유도층의 형성은 회피되며,상기 활성 유도층은 상기 활성층의 분자 배향을 변경시키며, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 활성층의 배향과 상기 채널 영역 내의 활성층의 배향은 서로 상이한 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 금속 또는 도전성 산화물로 구성되며,상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 니켈(Ni) 또는 팔라듐(Pd)을 포함하고,상기 도전성 산화물로는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 유기 절연물이며, 상기 유기 절연물은 폴리이미드(Polyimide), 폴리아미드(Polyamide), 폴리비닐클로라이드(Polyvinyl chloride), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol) 또는 폴리비닐페놀(PVP)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서, 상기 활성층은 펜타센을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
5 5
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6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 활성 유도층은 상기 제1 방향으로 신장되고, 상기 제2 방향으로 일정한 이격거리를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
8 8
제1항에 있어서, 상기 활성 유도층은 상기 제2 방향으로 신장되고, 상기 제1 방향으로 일정한 이격거리를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.