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n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 p형 클래드층 위에 첨가원소가 도핑된 주석산화물로 형성된 오믹콘택트층과; 상기 오믹콘택트층 상부에 광을 반사하는 소재로 형성된 반사층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 첨가원소는 안티몬, 불소, 인, 비소 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 첨가원소의 첨가비는 0
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제1항에 있어서, 상기 반사층은 은, 로듐 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 반사층 위에 안티몬, 불소, 인, 비소 중 적어도 하나를 포함하는 첨가원소가 도핑된 주석산화물, 니켈, 금, 아연, 구리, 아연-니켈 합금, 구리-니켈 합금, 니켈-마그네슘 합금 중 어느 하나로 형성된 확산방지층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
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n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 가
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제6항에 있어서, 상기 오믹콘택트층에 적용되는 상기 첨가원소는 안티몬, 불소, 인, 비소 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 반사층은 은, 로듐 중 적어도 하나를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 반사층 위에 안티몬, 불소, 인, 비소 중 적어도 하나를 포함하는 첨가원소가 도핑된 주석산화물, 니켈, 금, 아연, 구리, 아연-니켈 합금, 구리-니켈 합금, 니켈-마그네슘 합금 중 어느 하나로 확산방지층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 열처리단계는 200도 내지 800도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 형성단계는 산소를 포함한 기체 분위기에서 증착에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
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11
제6항에 있어서, 상기 오믹컨택트층 형성단계는 산소를 포함한 기체 분위기에서 증착에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
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