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나노소자 논리회로 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174158
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 공핍형 모드(depletion mode)와 증식형 모드(enhancement mode) 나노와이어 트랜지스터로 구성된 나노소자 논리회로 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명은 논리회로 제작을 위해 기판상 일부 영역에 제1 나노와이어를 배치하고 이를 소스 전극과 드레인 전극으로 연결하여 공핍형 나노와이어 트랜지스터를 구성한다. 또한, 기판상 다른 영역에 제2 나노와이어를 배치하고 이를 소스 전극과 드레인 전극으로 연결하여 증식형 나노와이어 트랜지스터를 구성한다. 상기 공핍형 나노와이어 트랜지스터의 소스 전극과 상기 증식형 나노와이어 트랜지스터의 드레인 전극을 배선부로 연결하여 나노소자 논리회로를 제공할 수 있다. 나노소자, 논리회로, 공핍형, 증식형, 나노와이어, 트랜지스터
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/336 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020090010875 (2009.02.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1076767-0000 (2011.10.19)
공개번호/일자 10-2010-0091598 (2010.08.19) 문서열기
공고번호/일자 (20111026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조건호 대한민국 광주광역시 북구
2 홍웅기 대한민국 광주광역시 북구
3 이탁희 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0083290-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0076985-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0580470-67
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0117042-90
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0117036-15
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0512207-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 소자영역 및 제2 소자영역을 구비하는 소자기판; 상기 제1 소자영역 상에 배치되며, 제1 소스 전극, 제1 드레인 전극, 상기 제1 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극 사이에 위치하는 제1 나노와이어, 및 상기 제1 나노와이어에 중첩하는 제1 게이트 전극을 포함하는 공핍형 나노와이어 트랜지스터; 상기 제2 소자영역 상에 배치되며, 제2 소스 전극, 제2 드레인 전극, 상기 제2 소스 전극과 상기 제2 드레인 전극 사이에 위치하고 상기 제1 나노와이어에 비해 표면이 거친 제2 나노와이어, 및 상기 제2 나노와이어에 중첩하는 제2 게이트 전극을 포함하는 증식형 나노와이어 트랜지스터; 및 상기 제1 소스 전극과 상기 제2 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 배선부를 포함하는 나노소자 논리회로
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 배선부는 연장되어 상기 제1 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 나노소자 논리회로
5 5
제1 소자영역 및 제2 소자영역을 구비하는 소자기판을 제공하는 단계; 상기 제1 소자영역 및 상기 제2 소자영역 상에, 제1 나노와이어 및 상기 제1 나노와이어에 비해 거친 표면을 갖는 제2 나노와이어를 각각 배치시키는 단계; 상기 제1 나노와이어의 양단들에 각각 제1 소스 전극과 제1 드레인 전극을 형성하고, 상기 제2 나노와이어의 양단들에 각각 제2 소스 전극과 제2 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 나노와이어, 상기 제1 소스 및 드레인 전극들, 상기 제2 나노와이어, 상기 제2 소스 및 드레인 전극들 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 상에 상기 제1 나노와이어 및 상기 제2 나노와이어에 각각 중첩하는 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1 소스 전극과 상기 제2 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 배선부를 형성하는 단계를 포함하는 나노소자 논리회로 제조방법
6 6
삭제
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 광주과학기술원 원자력연구개발사업 양성자 가속기 이용자 프로그램 개발 및 운영