| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 배치되고, 금속 산질화물(metal oxynitride)을 포함하는 활성 패턴(active pattern);상기 활성 패턴 상에 배치되고, 비질화물(non nitride)을 포함하는 보호 패턴;상기 활성 패턴과 중첩된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극 및 상기 활성 패턴 사이의 게이트 절연막을 포함하되, 상기 보호 패턴과 상기 기판 사이에 상기 활성 패턴은 상기 보호 패턴보다 높은 이동도를 가지고, 상기 게이트 전극에 인가되는 전압에 의해 상기 활성 패턴 내에 채널이 형성되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 보호 패턴은 반도체성 비질화물로 형성되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서, 상기 보호 패턴을 덮는 페시베이션 막;상기 페시베이션 막을 관통하여, 상기 게이트 전극 일측에 인접한 상기 보호 패턴의 일부분과 접촉되는 소스 전극; 및상기 페시베이션 막을 관통하여, 상기 게이트 전극 타측에 인접한 상기 보호 패턴의 일부분과 접촉되는 드레인 전극을 더 포함하는 박막 트랜지스터
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서, 상기 게이트 전극 일측의 소스 전극, 및 상기 게이트 전극 타측의 드레인 전극을 더 포함하되, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은, 상기 게이트 전극 상기 일측 및 상기 타측에 인접한 상기 보호 패턴의 일부분들과 각각 접촉되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서, 상기 활성 패턴은, 상기 보호 패턴 및 상기 게이트 전극 사이에 배치되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서, 상기 보호 패턴은, 상기 활성 패턴 및 상기 게이트 전극 사이에 배치되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서, 상기 활성 패턴은 금속, 산소, 및 질소의 화합물로 형성되고, 상기 보호 패턴은 상기 활성 패턴 내의 금속과 동일한 금속 및 산소의 화합물로 형성되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서, 상기 보호 패턴의 두께는 상기 활성 패턴의 두께보다 얇은 것을 포함하는 박막 트랜지스터
|
| 10 |
10
제1 항에 있어서, 상기 보호 패턴은 상기 활성 패턴과 직접적으로 접촉(directly contact)되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
|
| 11 |
11
기판 상에 금속 산질화물(metal oxynitride)을 포함하는 활성막을 형성하는 단계;상기 활성막 상에 비질화물을 포함하는 보호막을 형성하는 단계; 및상기 보호막 및 상기 활성막 차례로 패터닝하여, 상기 기판 상에 적층된 활성 패턴 및 보호 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 보호막은, 상기 활성막의 패터닝을 위한 용액 공정으로부터 상기 활성막을 보호하고, 상기 활성 패턴은 상기 보호 패턴보다 높은 이동도를 가지고, 상기 활성 패턴 내에 채널이 형성되는 것을 포함하는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서, 상기 활성막은, 금속을 포함하는 제1 소스, 산소를 포함하는 제2 소스, 및 질소를 포함하는 제3 소스를 이용하여 형성되고, 상기 보호막은, 상기 제1 소스 및 상기 제2 소스를 이용하여, 상기 활성막의 제조법과 동일한 제조법으로 형성되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 13 |
13
제11 항에 있어서, 상기 활성막을 형성하기 전, 상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 14 |
14
제11 항에 있어서, 상기 활성막을 형성한 후, 상기 보호 패턴 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
