맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

p형 산화물 반도체의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조되는 p형 산화물 반도체(Method of manufacturing p-type semiconductor oxide and p-type semiconductor oxide)

  • 기술번호 : KST2016009160
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 p형 산화물 반도체의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조되는 p형 산화물 반도체에 관한 것으로서, n형 산화물 반도체 나노구조체를 준비하는 단계, 및 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계를 포함함에 따라 p형 및 n 형을 모두 갖는 단일 소재를 제공할 수 있다. 또한, 별도의 p형 도펀트 없이 p형 산화물 반도체를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020140138799 (2014.10.15)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0044618 (2016.04.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.15)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김현우 대한민국 서울특별시 서대문구
2 김상섭 대한민국 인천광역시 연수구
3 나한길 대한민국 인천광역시 서구
4 조홍연 대한민국 서울특별시 중구
5 권용중 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0979821-38
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2015-0050308-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0823419-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0058220-86
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0058208-37
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0396645-51
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 산화물 반도체 나노구조체를 준비하는 단계; 및상기 n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계를 포함하는 p형 산화물 반도체의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 빔은 전자빔, 이온빔, 중성자빔 또는 양성자빔인 것을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계에서, 상기 빔의 조사량은 10kGy 이상인 p형 산화물 반도체의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계에서, 상기 빔의 조사량은 150kGy 내지 500kGy인 p형 산화물 반도체의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 n형 산화물 반도체 나노구조체를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계에서,상기 빔의 에너지는 0
6 6
제1항에 있어서,상기 나노구조체는 나노와이어 또는 나노두께의 박막인 것을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 나노와이어는 기체-액체-고체(vapor-liquid-solid, VLS)합성법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 n형 산화물 반도체는 산화주석(SnO2) 및 그래핀산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 p형 산화물 반도체의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 n형 산화물 반도체 나노구조체에 빔을 조사함에 따라 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체에 공공결함(vacancy defect) 및 정공이 생성하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체가 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화되는 것을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법
10 10
제1항 내지 제9항에서 선택되는 어느 한 항의 p형 산화물 반도체의 제조방법에 의해 제조되는 p형 산화물 반도체
11 11
n형 산화물 반도체 나노구조체를 준비하는 단계; 및상기 n형 산화물 반도체 나노구조체의 일부에 빔을 조사하여 상기 n형 산화물 반도체 나노구조체의 일부를 p형 산화물 반도체 나노구조체로 변화시키는 단계를 포함하는 p-n 접합 구조 산화물 반도체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 핵심연구 환원성 독성가스 센싱을 위한 실리콘 나노선 기반 구조 개발