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복수의 희생층을 이용한 멤스 구조물 및 그 제조방법(MEMS Device Using Multiple Sacrificial Layers and Manufacturing Method Thereof)
- 기술번호 : KST2017007739
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 실시예는 복수의 희생층을 이용함으로써 구조층과 희생층 간의 상호작용을 조절하고 구조층이 받는 영향을 최소화할 수 있는 멤스 구조물 및 그 제조방법을 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | B81B 7/02 (2017.01.01) B81C 1/00 (2006.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) |
| CPC | B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020150153238 (2015.11.02) |
| 출원인 | 아이디 퀀티크 에스.에이., 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2017-0051835 (2017.05.12) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 취하 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | N |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 아이디 퀀티크 에스.에이. | 스위스 | 스위스 씨에이치-**** 까루즈 슈만 드 라 말브러 |
| 2 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김태현 | 대한민국 | 서울특별시 중구 |
| 2 | 조동일 | 대한민국 | 서울시 강남구 |
| 3 | 홍석준 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 4 | 이민재 | 대한민국 | 서울시 송파구 |
| 5 | 천홍진 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 6 | 박윤재 | 대한민국 | 충청북도 충주시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이철희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로**길 **(역삼동) 베리타스빌딩, *-*층(베리타스국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2015.11.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1064780-17 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2015.11.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-5031850-57 |
| 3 | 보정요구서 Request for Amendment |
2015.11.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2015-0171441-91 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2015.11.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1096927-15 |
| 5 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2015.11.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1117460-33 |
| 6 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2015.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1264991-79 |
| 7 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2018.09.19 | 1-1-2018-0932568-95 | |
| 8 | [반환신청]서류반려요청(반환신청)서 |
2018.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0939825-32 |
| 9 | 수수료 반환 안내서 Notification of Return of Official Fee |
2018.09.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2018-0148349-62 |
| 10 | [반환신청]서류반려요청(반환신청)서 |
2019.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0009902-82 |
| 11 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2019.01.04 | 1-1-2019-0009851-41 | |
| 12 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2019.01.04 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2019-0009870-19 |
| 13 | [반환신청]서류반려요청(반환신청)서 |
2019.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0009889-75 |
| 14 | [출원인지분변경]권리관계변경신고서 [Applicant Share Change] Report on Change of Proprietary Status |
2019.01.04 | 1-1-2019-0009819-90 | |
| 15 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2019.01.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0060251-08 |
| 16 | [반려요청]서류반려요청(반환신청)서 [Request for Return] Request for Return of Document |
2019.01.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0059284-79 |
| 17 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2019.01.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0011260-64 |
| 18 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2019.01.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0012221-62 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 내부공간부를 포함하는 제1구조층;상기 내부공간부의 일부 공간을 채우고 상기 제1구조층의 표면의 적어도 일부를 커버하는 제1희생층(Sacrificial Layer); 및상기 내부공간부의 다른 일부 공간을 채우고 상기 제1희생층의 표면의 적어도 일부를 커버하는 제2희생층을 포함하되,상기 제1희생층이 상기 제1구조층과 상기 제2희생층 간의 물리적 특성 차이를 줄이는 것을 특징으로 하는 멤스 구조물 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제1구조층의 표면의 적어도 일부 및 상기 제2희생층의 표면의 적어도 일부를 커버하는 제2구조층을 추가로 포함하는 멤스 구조물 |
| 3 |
3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제1구조층을 형성하는 물질이 폴리실리콘; 비결정질 실리콘; 실리콘 질화막; 실리콘 산화막; 탄화 실리콘, 옥타플루오로시클로부탄 등의 탄소화합물; 및 알루미늄, 구리, 텅스텐, 금 등의 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스 구조물 |
| 4 |
4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제1희생층 또는 상기 제2희생층를 형성하는 물질이 폴리실리콘; 비결정질 실리콘; 실리콘 산화막; 옥타플루오로시클로부탄 등의 탄소화합물; 포토레지스트, 폴리이미드 등의 고분자화합물; 및 알루미늄, 구리, 텅스텐, 금 등의 금속 중 적어도 어느 하나를 포함하되,상기 제1구조층을 형성하는 물질과 상기 제2구조층을 형성하는 물질이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 멤스 구조물 |
| 5 |
5 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제1희생층의 표면에너지 및 상기 제2희생층의 표면 에너지가 서로 상이한 것을 특징으로 하는 멤스 구조물 |
| 6 |
6 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제1구조층과 상기 제1희생층 간의 접착력 및 상기 제1희생층과 상기 제2희생층 간 접착력이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 멤스 구조물 |
| 7 |
7 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제1희생층의 물리적 경도 및 상기 제2희생층의 물리적 경도가 서로 상이하고, 상기 제1구조층의 물리적 경도 및 상기 제2희생층의 물리적 경도가 서로 유사하여,상기 제1희생층과 상기 제2희생층 간의 물리적 경도차가 상기 제1구조층과 상기 제2희생층 간의 물리적 경도차보다 큰 것을 특징으로 하는 멤스 구조물 |
| 8 |
8 제 2 항에 있어서,상기 제1희생층 또는 상기 제2희생층의 적어도 일부가 제거된 후, 상기 제1구조층 및 상기 제2구조층의 형상에 변화가 없는 것을 특징으로 하는 멤스 구조물 |
| 9 |
9 제 2 항에 있어서,상기 제1희생층 또는 상기 제2희생층의 적어도 일부가 제거된 후, 상기 제1구조층의 임의의 단면을 바라볼 때 상기 제1구조층의 일부와 맞닿는 가상의 직선을 기준으로 상기 제2구조층의 일부가 상기 가상의 직선을 넘어 돌출된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 멤스 구조물 |
| 10 |
10 제 2 항에 있어서,상기 제1구조층을 형성하기 위한 하부층을 추가로 포함하되,상기 제1구조층은 상기 하부층의 표면의 적어도 일부를 커버하고, 상기 제1희생층 또는 상기 제2희생층의 적어도 일부가 제거된 후, 상기 제2구조층의 일부가 상기 하부층의 일부로부터 이격된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 멤스 구조물 |
| 11 |
11 내부공간부를 포함하도록 제1구조층을 형성하고 패터닝하는 과정;상기 내부공간부의 일부 공간을 채우고 상기 제1구조층의 표면의 적어도 일부를 커버하는 제1희생층(Sacrificial Layer)을 형성하는 과정; 및상기 내부공간부의 다른 일부 공간을 채우고 상기 제1희생층의 표면의 적어도 일부를 커버하는 제2희생층을 형성하는 과정;을 포함하되,상기 제1희생층이 상기 제1구조층과 상기 제2희생층 간의 물리적 특성 차이를 줄이는 것을 특징으로 하는 멤스 구조물 제조방법 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 제1구조층의 표면의 적어도 일부 및 상기 제2희생층의 표면의 적어도 일부를 커버하는 제2구조층을 형성하고 패터닝하는 과정을 추가로 포함하는 멤스 구조물 제조방법 |
| 13 |
13 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 제1구조층, 상기 제1희생층, 및 상기 제2희생층 중 적어도 하나의 표면을 연마하는 과정을 추가로 포함하는 멤스 구조물 제조방법 |
| 14 |
14 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 제1희생층 또는 상기 제2희생층 중 적어도 하나의 적어도 일부를 식각하는 과정을 추가로 포함하는 멤스 구조물 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 미래창조과학부 | 에스케이텔레콤 | 정보통신.방송 연구개발 사업 | 통신장비에 적용을 위한 양자이론 기반의 퀸텀리피터 기술 연구 |
| 2 | 미래창조과학부 | 고려대학교 산학협력단 | 대학 ICT 연구센터 육성지원사업 | 무결점 보안을 위한 지상/위성 양자통신기술개발 |
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2015.11.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1064780-17 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 | 2015.11.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-5031850-57 |
| 3 | 보정요구서 | 2015.11.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2015-0171441-91 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2015.11.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1096927-15 |
| 5 | [출원서등 보정]보정서 | 2015.11.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1117460-33 |
| 6 | [출원서등 보정]보정서 | 2015.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1264991-79 |
| 7 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2018.09.19 | 1-1-2018-0932568-95 | |
| 8 | [반환신청]서류반려요청(반환신청)서 | 2018.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0939825-32 |
| 9 | 수수료 반환 안내서 | 2018.09.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2018-0148349-62 |
| 10 | [반환신청]서류반려요청(반환신청)서 | 2019.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0009902-82 |
| 11 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2019.01.04 | 1-1-2019-0009851-41 | |
| 12 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2019.01.04 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2019-0009870-19 |
| 13 | [반환신청]서류반려요청(반환신청)서 | 2019.01.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0009889-75 |
| 14 | [출원인지분변경]권리관계변경신고서 | 2019.01.04 | 1-1-2019-0009819-90 | |
| 15 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2019.01.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0060251-08 |
| 16 | [반려요청]서류반려요청(반환신청)서 | 2019.01.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0059284-79 |
| 17 | 서류반려이유통지서 | 2019.01.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0011260-64 |
| 18 | 서류반려통지서 | 2019.01.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2019-0012221-62 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1711026432 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R0992-15-1017 |
| 연구과제명 | 무결점 보안을 위한 지상/위성 양자통신 기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2015 |
| 연구기간 | 201506~201812 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1711029261 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R0101-15-0068 |
| 연구과제명 | 통신장비에 적용을 위한 양자이론 기반의 퀀텀리피터 기술연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2015 |
| 연구기간 | 201209~201708 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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| [1020150153238] | 복수의 희생층을 이용한 멤스 구조물 및 그 제조방법(MEMS Device Using Multiple Sacrificial Layers and Manufacturing Method Thereof) | 새창보기 |
중요키워드
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| 심판사항 정보가 없습니다 |
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