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1
기판;상기 기판 상에 형성되며 레드(RED) 광을 발광하는 유기발광소자층; 및상기 유기발광소자층 상에 형성된 히트싱크층을 포함하고,상기 유기발광소자층은,상기 기판 상에 형성된 제1 봉지막층;상기 제1 봉지막층 상에 형성된 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 형성된 정공 주입층;상기 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층;상기 정공 수송층 상에 형성되며 레드(RED) 광을 발광하는 유기 발광층;상기 유기 발광층 상에 형성된 전자 수송층;상기 전자 수송층 상에 형성된 전자 주입층;상기 전자 주입층 상에 형성된 제2 전극층; 및상기 제2 전극층 상에 형성된 제2 봉지막층을 포함하며,상기 레드(RED) 광을 발광하는 유기 발광층의 두께나 재료를 변경하지 않고도, 상기 정공 수송층의 두께를 조절함으로써 상기 유기발광소자층에서 발광되는 광의 피크 파장이 변경되는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자
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2
기판;상기 기판 상에 형성된 히트싱크층; 및상기 히트싱크층 상에 형성되며 레드(RED) 광을 발광하는 유기발광소자층을 포함하고,상기 유기발광소자층은,상기 히트싱크층 상에 형성된 제2 봉지막층;상기 제2 봉지막층 상에 형성된 제2 전극층;상기 제2 전극층 상에 형성된 전자 주입층;상기 전자 주입층 상에 형성된 전자 수송층;상기 전자 수송층 상에 형성된 레드(RED) 광을 발광하는 유기 발광층;상기 유기 발광층 상에 형성된 정공 수송층;상기 정공 수송층 상에 형성된 정공 주입층;상기 정공 주입층 상에 형성된 제1 전극층; 및상기 제1 전극층 상에 형성된 제1 봉지막층을 포함하며,상기 레드(RED) 광을 발광하는 유기 발광층의 두께나 재료를 변경하지 않고도, 상기 정공 수송층의 두께를 조절함으로써 상기 유기발광소자층에서 발광되는 광의 피크 파장이 변경되는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자
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| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 기판은 투명하거나 반투명한, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자
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| 4 |
4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,광 치료 최적화를 위한 발광 파장의 반치폭을 최적화하기 위하여 상기 제1 전극층은 10 내지 100㎚의 두께를 갖는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자
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5
청구항 4에 있어서,상기 제1 전극층은 금속 실버(Ag), Mg:Ag, Al, Cu, ITO, IZO, Mg, 및 Ca로 이루어진 군 중에서 선택된 하나로 형성되는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자
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| 6 |
6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1 전극층은 투명 또는 반투명한, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자
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| 7 |
7
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 정공 수송층은 50 내지 100㎚의 두께를 갖는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자
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8
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 유기 발광층은 10 내지 100㎚의 두께를 갖고, 600 내지 750㎚의 파장을 갖는 레드(RED) 광을 발광하는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자
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9
청구항 8에 있어서,상기 유기 발광층은 Ir(piq)3, Ir(tiq)3, Ir(fliq)3, Ir(btpy)3, 및 Ir(t-5t-py)3로 이루어진 군 중에서 선택된 하나로 형성된, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자
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10
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제2 전극층은 광을 전부 반사하는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자
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11
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 히트싱크층은 탄소 계열 물질, 메탈 계열 물질, 및 그래핀으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 형성된, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자
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| 12 |
12
(a) 기판 상에 레드(RED) 광을 발광하는 유기발광소자층을 형성하는 단계; 및(b) 상기 유기발광소자층 상에 히트싱크층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기발광소자층을 형성하는 단계는,(a-1) 상기 기판 상에 제1 봉지막층을 형성하는 단계;(a-2) 상기 제1 봉지막층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계;(a-3) 상기 제1 전극층 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;(a-4) 상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;(a-5) 상기 정공 수송층 상에 레드(RED) 광을 발광하는 유기 발광층을 형성하는 단계;(a-6) 상기 유기 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계;(a-7) 상기 전자 수송층 상에 전자 주입층을 형성하는 단계;(a-8) 상기 전자 주입층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및(a-9) 상기 제2 전극층 상에 제2 봉지막층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 레드(RED) 광을 발광하는 유기 발광층의 두께나 재료를 변경하지 않고도, 상기 정공 수송층의 두께를 조절함으로써 상기 유기발광소자층에서 발광되는 광의 피크 파장이 변경되는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자 제조 방법
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13
(a) 기판 상에 히트싱크층을 형성하는 단계; 및(b) 상기 히트싱크층 상에 레드(RED) 광을 발광하는 유기발광소자층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기발광소자층을 형성하는 단계는,(b-1) 상기 히트싱크층 상에 제2 봉지막층을 형성하는 단계;(b-2) 상기 제2 봉지막층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계;(b-3) 상기 제2 전극층 상에 전자 주입층을 형성하는 단계;(b-4) 상기 전자 주입층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계;(b-5) 상기 전자 수송층 상에 레드(RED) 광을 발광하는 유기 발광층을 형성하는 단계;(b-6) 상기 유기 발광층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;(b-7) 상기 정공 수송층 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;(b-8) 상기 정공 주입층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계; 및(b-9) 상기 제1 전극층 상에 제1 봉지막층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 레드(RED) 광을 발광하는 유기 발광층의 두께나 재료를 변경하지 않고도, 상기 정공 수송층의 두께를 조절함으로써 상기 유기발광소자층에서 발광되는 광의 피크 파장이 변경되는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자 제조 방법
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14
청구항 12에 있어서,상기 기판은 투명하거나 반투명한, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자 제조 방법
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15
청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,광 치료 최적화를 위한 발광 파장의 반치폭을 최적화하기 위하여 상기 제1 전극층은 10 내지 100㎚의 두께를 갖는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자 제조 방법
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16
청구항 15에 있어서,상기 제1 전극층은 금속 실버(Ag), Mg:Ag, Al, Cu, ITO, IZO, Mg, 및 Ca로 이루어진 군 중에서 선택된 하나로 형성되는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자 제조 방법
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17
청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,상기 제1 전극층은 투명 또는 반투명한, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자 제조 방법
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18
청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,상기 정공 수송층은 50 내지 100㎚의 두께를 갖는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자 제조 방법
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19
청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,상기 유기 발광층은 10 내지 100㎚의 두께를 갖고, 600 내지 750㎚의 파장을 갖는 레드(RED) 광을 발광하는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자 제조 방법
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20
청구항 19에 있어서,상기 유기 발광층은 Ir(piq)3, Ir(tiq)3, Ir(fliq)3, Ir(btpy)3, 및 Ir(t-5t-py)3로 이루어진 군 중에서 선택된 하나로 형성된, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자 제조 방법
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청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,상기 제2 전극층은 광을 전부 반사하는, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자 제조 방법
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22
청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,상기 히트싱크층은 탄소 계열 물질, 메탈 계열 물질, 및 그래핀으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 형성된, 상처 치유 및 세포 증식을 위한 광 치료용 유기발광소자 제조 방법
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