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확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015136588
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법으로서, 전면 발광형(Top emission type)의 유기전계발광소자(OLED)에 있어서, 기판 상면에 분포되어 반구형으로 형성된 확률론적 나노 구조(Stochastic nanostructure)들을 포함하는 확률론적 나노 구조물; 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 주름진 층으로 형성된 금속 전극층을 포함하는 하부 전극층; 상기 하부 전극층의 상부에 상기 하부 전극층의 형태를 따라 주름진 층으로 형성되며, 전계 인가에 따라 색을 발광하기 위한 발광 물질을 포함하는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층의 상부에 상기 유기 발광층의 형태를 따라 주름진 층으로 형성된 투명 전극층인 상부 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자와 이를 제조하는 방법을 개시하며, 이와 같은 본 발명에 의하면 확률론적 나노 구조를 이용하여 주름진 형태의 레이어로 형성된 OLED를 제공함으로써, 전극에 여기되어 소모되는 표면 플라즈몬 폴라리톤을 빛으로 끌어내어 이를 통해 OLED의 외부로 빛을 발산하는 외부 양자 효과(EQE)를 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 51/502(2013.01)
출원번호/일자 1020130139949 (2013.11.18)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1623093-0000 (2016.05.16)
공개번호/일자 10-2014-0090070 (2014.07.16) 문서열기
공고번호/일자 (20160523) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020130001596   |   2013.01.07
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.18)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황기웅 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-1047602-86
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0150726-92
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0007306-50
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0105678-95
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.02.12 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2014-0135320-14
6 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2014.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0026895-03
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2014.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0044797-48
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0317234-09
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0877933-20
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0081376-94
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0081375-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0434918-67
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0844820-06
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0942491-43
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-1051210-11
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1168271-95
19 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0180943-10
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-1282240-21
21 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1282224-01
22 등록결정서
Decision to grant
2016.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0315116-99
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전면 발광형(Top emission type)의 유기전계발광소자(OLED)에 있어서,기판 상면에 반구형의 나노 구조물 간의 이격 거리, 구조물의 높이 및 최장 단면직경이 기설정된 기준치로부터 정규분포된 확률분포를 가지도록 형성된 확률론적 나노 구조(Stochastic nanostructure)들을 포함하여, 전자파의 산란 현상을 이용하여 표면 전자기파인 표면 플라즈몬 폴라리톤을 전면으로 방출되는 광으로 끌어내기 위한 확률론적 나노 구조물;상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 주름진 층으로 형성된 금속 전극층을 포함하는 하부 전극층;상기 하부 전극층의 상부에 상기 하부 전극층의 형태를 따라 주름진 층으로 형성되며, 전계 인가에 따라 색을 발광하기 위한 발광 물질을 포함하는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층의 상부에 상기 유기 발광층의 형태를 따라 주름진 층으로 형성된 투명 전극층인 상부 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 확률론적 나노 구조들은, 최장 단면직경의 크기가 50~400nm의 범위, 높이가 10~70nm의 범위 및 구조들간 간격이 100~500nm의 범위에서 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 발광 물질은,적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 또는 백색(White) 중 선택된 어느 하나의 인광체 또는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기판은, 유리 기판 또는 폴리머(Polymer) 기판인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
6 6
제 1 항 또는 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하부 전극층과 상기 상부 전극층 중 어느 하나는 캐소드 전극이고 다른 하나는 애노드 전극인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
7 7
전면 발광형의 유기전계발광소자(OLED)를 제조하는 방법에 있어서,기판의 상부에 금속 필름을 형성하는 금속 필름 형성 단계;RTA(Rapid Thermal Annealing) 열공정으로 상기 금속 필름을 처리하여 금속 물질의 자가 응집화를 통한 금속 입자들이 분산되어 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 확률론적 나노 구조물 형성 단계; 및상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 순차적으로 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 주름진 금속 전극층, 유기 발광층 및 투명 전극층을 형성하는 OLED 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 금속 필름 형성 단계는,유리 기판 또는 폴리머 기판의 상부에 금속 필름을 형성하며,상기 확률론적 나노 구조물 형성 단계는,상기 기판의 특성을 고려하여 RTA 열공정을 섭씨 200~700도 이내의 온도 조건으로 수행하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 금속 필름 형성 단계는,그 두께를 5 nm ~ 30 nm로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 금속 필름 형성 단계에서 금속 물질은,은(Ag), 금(Au) 또는 구리(Cu) 중 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법
11 11
전면 발광형의 유기전계발광소자(OLED)를 제조하는 방법에 있어서,기판의 상부에 폴리머(Polymer)층을 형성하는 폴리머층 형성 단계;혼합가스로 상기 기판 상부의 폴리머층을 플라즈마 식각하여 상기 기판의 상부에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 확률론적 나노 구조물 형성 단계; 및상기 확률론적 나노 구조물의 상부에 순차적으로 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 주름진 금속 전극층, 유기 발광층 및 투명 전극층을 형성하는 OLED 형성 단계를 포함하며,상기 확률론적 나노 구조물 형성 단계는,스퍼터링이나 전자빔 증착을 통해 상기 폴리머층 상부에 분산된 금속 핵(Metallic nucleation)을 형성시키고 상기 금속 핵을 성장시켜 금속 아일랜드(Metallic island)를 생성하는 단계; 및상기 금속 아일랜드가 형성된 상기 폴리머층의 표면을 플라즈마 식각하여 상기 기판의 상부에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
전면 발광형의 유기전계발광소자(OLED)를 제조하는 방법에 있어서,폴리머 기판을 준비하는 기판 준비 단계;혼합가스로 상기 폴리머 기판의 표면을 플라즈마 식각하여 상기 폴리머 기판의 표면에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 확률론적 나노 구조물 형성 단계; 및상기 확률론적 나노 구조물이 형성된 폴리머 기판 상부에 순차적으로 상기 확률론적 나노 구조물의 형태를 따라 주름진 금속 전극층, 유기 발광층 및 투명 전극층을 형성하는 OLED 형성 단계를 포함하며,상기 확률론적 나노 구조물 형성 단계는,스퍼터링이나 전자빔 증착을 통해 상기 폴리머 기판 상면에 분산된 금속 핵을 형성시키고 상기 금속 핵을 성장시켜 금속 아일랜드를 생성하는 단계; 및상기 금속 아일랜드가 형성된 상기 폴리머 기판을 플라즈마 식각하여 상기 폴리머 기판의 표면에 반구형의 확률론적 나노 구조들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법
16 16
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17 17
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.