맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019031154
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법은 기판 상에 버퍼층, 매립 소스층, 에치 스탑층, 활성 소스층, 채널층, 드레인층을 성장시키는 단계, 상기 드레인층 상에 금속층을 증착한 후 메사 구조 형태로 패턴을 형성하는 단계, 상기 에치 스탑층, 상기 활성 소스층, 상기 채널층 및 상기 드레인층의 일단에 수직 게이트를 형성하는 단계, 상기 활성 소스층을 상기 기판으로부터 격리(isolation) 시켜 제1 에어브릿지를 형성하는 단계, 상기 드레인층을 상기 기판으로부터 격리시켜 제2 에어브릿지를 형성하는 단계; 및 상기 수직 게이트를 상기 기판으로부터 격리시켜 제3 에어브릿지를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/73 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/732 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01) H01L 29/7311(2013.01)
출원번호/일자 1020180081688 (2018.07.13)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2055945-0000 (2019.12.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20191216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.13)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최창환 서울특별시 성동구
2 임동환 서울특별시 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0693042-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0600356-51
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0858037-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0858050-77
7 등록결정서
Decision to grant		 2019.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0839832-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 버퍼층, 매립 소스층, 에치 스탑층, 활성 소스층, 채널층, 드레인층을 성장시키는 단계;상기 드레인층 상에 금속층을 증착한 후 메사 구조 형태로 패턴을 형성하는 단계;상기 에치 스탑층, 상기 활성 소스층, 상기 채널층 및 상기 드레인층의 일단에 수직 게이트를 형성하는 단계;상기 활성 소스층을 상기 기판으로부터 격리(isolation) 시켜 제1 에어브릿지를 형성하는 단계;상기 드레인층을 상기 기판으로부터 격리시켜 제2 에어브릿지를 형성하는 단계; 및상기 수직 게이트를 상기 기판으로부터 격리시켜 제3 에어브릿지를 형성하는 단계; 를 포함하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 에어 브릿지는 상기 매립 소스층 및 상기 에치 스탑층의 일부를 상기 버퍼층까지 식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 에어 브릿지는 상기 드레인층 및 상기 채널층의 일부를 상기 활성 소스층까지 식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 제2 에어 브릿지는 상기 제1 에어 브릿지와 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제3 에어 브릿지는 상기 수직 게이트 하부의 상기 매립 소스층의 일부를 상기 버퍼층까지 식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 에치 스탑층, 상기 활성 소스층, 상기 채널층 및 상기 드레인층의 일단에 게이트 절연막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 수직 게이트는 리프트-오프(lift-off) 공정 또는 식각(etch) 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 활성 소스층 상에 오믹 금속(ohmic metal)을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 수직 게이트는 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 채널층의 삼면을 둘러싸는 트리플 게이트(triple-gate) 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 게르마늄(SiGe), 인듐비소(InAs), 갈륨안티몬(GaSb), 게르마늄주석(GeSn), 인화인듐(InP), 인듐갈륨비소(InGaAs), 갈륨비소인(GaAsP), 알루미늄인듐비소(AlInAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs), 갈륨인듐비소(GaInAs) 및 갈륨인화인듐(GaInP) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
패밀리 정보가 없습니다

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2020176592 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 산업기술혁신사업 / 산업융합원천기술개발사업 / 미래반도체소자원천기술개발사업(민간투자금) [민간] 0.7 V 이하 저전압 구동을 위한 Post-CMOS 미래 반도체소자 원천기술 개발
2 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 0.7 V 이하 저전압 구동을 위한 Post-CMOS 미래 반도체소자 원천기술 개발