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기판 상에 버퍼층, 매립 소스층, 에치 스탑층, 활성 소스층, 채널층, 드레인층을 성장시키는 단계;상기 드레인층 상에 금속층을 증착한 후 메사 구조 형태로 패턴을 형성하는 단계;상기 에치 스탑층, 상기 활성 소스층, 상기 채널층 및 상기 드레인층의 일단에 수직 게이트를 형성하는 단계;상기 활성 소스층을 상기 기판으로부터 격리(isolation) 시켜 제1 에어브릿지를 형성하는 단계;상기 드레인층을 상기 기판으로부터 격리시켜 제2 에어브릿지를 형성하는 단계; 및상기 수직 게이트를 상기 기판으로부터 격리시켜 제3 에어브릿지를 형성하는 단계; 를 포함하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 에어 브릿지는 상기 매립 소스층 및 상기 에치 스탑층의 일부를 상기 버퍼층까지 식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 에어 브릿지는 상기 드레인층 및 상기 채널층의 일부를 상기 활성 소스층까지 식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 제2 에어 브릿지는 상기 제1 에어 브릿지와 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제3 에어 브릿지는 상기 수직 게이트 하부의 상기 매립 소스층의 일부를 상기 버퍼층까지 식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 에치 스탑층, 상기 활성 소스층, 상기 채널층 및 상기 드레인층의 일단에 게이트 절연막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 수직 게이트는 리프트-오프(lift-off) 공정 또는 식각(etch) 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 활성 소스층 상에 오믹 금속(ohmic metal)을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 수직 게이트는 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 채널층의 삼면을 둘러싸는 트리플 게이트(triple-gate) 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 게르마늄(SiGe), 인듐비소(InAs), 갈륨안티몬(GaSb), 게르마늄주석(GeSn), 인화인듐(InP), 인듐갈륨비소(InGaAs), 갈륨비소인(GaAsP), 알루미늄인듐비소(AlInAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs), 갈륨인듐비소(GaInAs) 및 갈륨인화인듐(GaInP) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 3차원 구조의 터널링 전계 효과 트랜지스터
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