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기판;상기 기판상에 형성되는 n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층과 연결 형성되는 발광 구조체층; 상기 n-형 반도체층의 적어도 일부 영역과 전기적으로 연결되는 n-형 전극층; 상기 발광 구조체층 상에 상기 발광 구조체층의 전체 또는 일부가 내부에 묻히도록 형성되는 p-형 반도체층;상기 p-형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되는 p-형 전극층; 및상기 p-형 반도체층 및 상기 p-형 전극층 사이에 형성되고, 상기 p-형 반도체층 및 상기 발광 구조체층의 전체 또는 일부가 내부에 묻히도록 형성되는 전류 분산층;을 포함하는 발광부와 액티브 매트릭스 방식으로 구동하는 구동 회로부를 포함하고,상기 발광 구조체층은, 각각 서로 다른 파장의 빛을 발하는 복수 개의 구분되는 영역들을 포함하고, 상기 구분되는 영역들 각각은 단일 또는 복수 개의 3차원 발광 구조체들을 포함하고, 액티브 매트릭스 방식으로 서로 다른 파장의 빛의 발광 여부의 개별적 제어가 가능한 것이고,상기 p-형 반도체층의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 p-형 반도체층의 상부는 평탄한 면을 형성하는 것인,액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서, 상기 전류 분산층의 상부는 평탄한 면을 형성하는 것인,액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 구동 회로부는, CMOS 회로, TFT 회로 또는 둘 다를 포함하는 것인, 액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 p-형-반도체층의 두께는 상기 발광 구조체의 최대 높이의 1
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제1항에 있어서,상기 발광 구조체층은, 각각 복수 개의 발광 구조체를 포함하며 각기 다른 파장의 빛을 발하는 적어도 셋 이상의 구분되는 영역들을 포함하고,상기 구분되는 영역들 각각은 상기 발광 구조체 간의 간격, 밀도 또는 둘 다가 서로 상이한 것인,액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들은 상기 활성층의 평균 두께가 상이한 것인, 액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들 각각의 발광 구조체들은 형태가 서로 상이한 것인, 액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 발광 구조체층의 복수 개의 구분되는 영역들의 발광 구조체들은 동시에 성장하여 형성되는 것인,액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들 각각의 면적은 1 ㎛2 내지 1 cm2 인 것인,액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 발광 구조체는 높이가 50 nm 내지 50 ㎛ 인 것인액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들은, 상기 활성층 내의 In-마이그레이션(migration) 정도가 상이하도록 제어되어 형성된 것인, 액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들은, 상기 활성층 내의 Ga 대비 In의 평균 농도, 상기 활성층의 평균 두께, 또는 둘 모두가 서로 상이한 것인, 액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 활성층은 BAlGaN, GaAlNP, GaAlNAs, InAlGaN, GaAlNSb, GaInNP, GaInNAs, 및 GaInNSb 중 적어도 하나 이상을 더 포함하는 것인,액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 활성층은 초격자층(super lattice layer)을 더 포함하는 것인,액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 발광부는 상기 복수 개의 구분되는 영역들의 사이 중 적어도 일부에 형성되어 상기 구분되는 영역들 각각 간의 전기적 절연을 형성하는 전류 차단층(passivation layer);을 하나 이상 포함하는 것인,액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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제1항에 있어서,상기 발광부와 상기 구동 회로부를 전기적으로 접속하는 범프를 하나 이상 포함하는 것인, 액티브 매트릭스 구동 방식의 마이크로 LED
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