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나노채널과 그 형성방법

  • 기술번호 : KST2015118246
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노채널 및 그 형성방법에 관한 것이다.이러한 본 발명의 나노채널은 기판상에 형성된 절연막과, 상기 절연막상에 패터닝된 산화 기지막 및 상기 산화 기지막의 측벽에 형성된 산화막을 포함하고, 상기 절연막과 상기 산화막 사이에 빈 공간이 형성되어 있다.본 발명의 나노채널의 형성방법은 기판에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 산화 기지막을 형성하는 단계와, 상기 산화 기지막 상에 폴리머 패턴을 형성하는 단계와, 상기 폴리머 패턴을 마스크로 하여 상기 산화 기지막을 식각하는 단계와, 상기 폴리머 패턴을 제거하는 단계 및 상기 식각된 산화 기지막의 측벽을 산화하여 산화막과 상기 절연막으로 둘러싸인 빈 공간을 형성하는 단계를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면 대면적에 균일하게 나노채널을 형성할 수 있는 등의 효과가 있다.나노채널, 빈 공간, 산화 기지막, 절연막, 제1 절연막, 제2 절연막
Int. CL H01L 27/12 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020060045115 (2006.05.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0684989-0000 (2007.02.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.19)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장성일 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤준보 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0350611-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000325-21
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0082133-55
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성된 절연막; 상기 절연막상에 패터닝된 산화 기지막; 및 상기 산화 기지막의 측벽에 형성된 산화막을 포함하고, 상기 절연막과 상기 산화막 사이에 빈 공간이 형성된 나노채널
2 2
기판상에 형성되고, 음각 패턴을 갖는 절연막; 상기 절연막상에 패터닝된 산화 기지막; 및 상기 산화 기지막의 측벽에 형성된 산화막을 포함하고, 상기 절연막과 상기 산화막 사이에 상기 음각 패턴을 포함하는 빈 공간이 형성된 나노채널
3 3
기판상에 형성된 제1 절연막; 상기 제1 절연막상에 패터닝된 산화 기지막; 상기 산화 기지막 상에 형성된 제2 절연막 및 상기 산화 기지막의 측벽에 형성된 산화막을 포함하고, 상기 제1 절연막과 상기 산화막 사이에 빈 공간이 형성된 나노채널
4 4
기판상에 형성되고, 음각 패턴을 갖는 제1 절연막; 상기 제1 절연막상에 패터닝된 산화 기지막; 상기 산화 기지막 상에 형성된 제2 절연막 및 상기 산화 기지막의 측벽에 형성된 산화막을 포함하고, 상기 제1 절연막과 상기 산화막 사이에 상기 음각 패턴을 포함하는 빈 공간이 형성된 나노채널
5 5
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화막은 상기 산화 기지막의 양쪽 측벽으로부터 형성되어, 서로 접촉하는 나노채널
6 6
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화 기지막은 단결정 실리콘과 비정질실리콘과 다결정 실리콘 중 어느 하나로 이루어진 나노채널
7 7
기판에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 산화 기지막을 형성하는 단계; 상기 산화 기지막 상에 폴리머 패턴을 형성하는 단계; 상기 폴리머 패턴을 마스크로 하여 상기 산화 기지막을 식각하는 단계; 상기 폴리머 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 식각된 산화 기지막의 측벽을 산화하여 산화막과 상기 절연막으로 둘러싸인 빈 공간을 형성하는 단계; 를 포함하는 나노채널의 형성방법
8 8
기판에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 산화 기지막을 형성하는 단계; 상기 산화 기지막 상에 폴리머 패턴을 형성하는 단계; 상기 폴리머 패턴을 마스크로 하여 상기 산화 기지막을 식각하는 단계; 상기 폴리머 패턴과 상기 식각된 산화 기지막을 마스크로 하여 상기 절연막의 일부를 식각하는 단계; 상기 폴리머 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 식각된 산화 기지막의 측벽을 산화하여 산화막과 상기 식각된 절연막으로 둘러싸인 빈 공간을 형성하는 단계; 를 포함하는 나노채널의 형성방법
9 9
기판에 제1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 절연막 상에 산화 기지막과 제2 절연막을 적층하는 단계; 상기 제2 절연막 상에 폴리머 패턴을 형성하는 단계; 상기 폴리머 패턴을 마스크로 하여 상기 제2 절연막과 상기 산화 기지막을 식각하는 단계; 상기 폴리머 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 식각된 산화 기지막의 측벽을 산화하여 산화막과 상기 제1 절연막으로 둘러싸인 빈 공간을 형성하는 단계; 를 포함하는 나노채널의 형성방법
10 10
기판에 제1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 절연막 상에 산화 기지막과 제2 절연막을 적층하는 단계; 상기 제2 절연막 상에 폴리머 패턴을 형성하는 단계; 상기 폴리머 패턴을 마스크로 하여 상기 제2 절연막과 상기 산화 기지막을 식각하는 단계; 상기 폴리머 패턴과 상기 식각된 제2 절연막 및 산화 기지막을 마스크로 하여 상기 제1 절연막의 일부를 식각하는 단계; 상기 폴리머 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 식각된 산화 기지막의 측벽을 산화하여 산화막과 상기 식각된 제1 절연막으로 둘러싸인 빈 공간을 형성하는 단계; 를 포함하는 나노채널의 형성방법
11 11
제7 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화막은 상기 산화 기지막의 양쪽 측벽으로부터 형성되어, 서로 접촉되는 나노채널의 형성방법
12 12
제7 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화 기지막은 단결정 실리콘과 비정질 실리콘과 다결정 실리콘 중 어느 하나로 이루어진나노채널의 형성방법
13 13
제7 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리머 패턴은 음각 패턴이고, 상기 음각 패턴의 폭은 1 nm 이상 500 nm 이하인 나노채널의 형성방법
14 14
제13 항에 있어서, 상기 폴리머 패턴은 광학적 리소그래피(Photo Lithography) 또는 전자빔 리소그래피(Electron Beam Lithography) 또는 극자외선 리소그래피(Extream Ultraviolet Lithography) 또는 X선 리소그래피(X-Ray Lithography) 또는 나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography) 방법을 이용하여 형성되는 나노채널의 형성방법
15 15
제9 항 또는 제10 항에 있어서, 상기 빈 공간을 형성한 후 상기 제2 절연막을 제거하는 단계를 더 포함하는 나노채널의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.