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반도체 적외선 도파로 광 검출기(SEMICONDUCTOR INFRARED WAVEGUIDE PHOTO-DETECTOR)

  • 기술번호 : KST2018007041
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 검출기는 SOI(Silicon-On-Insulator) 기판; 상기 SOI 기판의 표면이 식각되어 형성되는 실리콘 도파로(waveguide); 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 생성되어, 접합 중앙에 형성된 공핍 영역을 포함하는 PN 접합; 및 상기 PN 접합과 연결되는 전극을 포함하고, 상기 PN 접합은 상기 전극에서 인가하는 역전압에 응답하여 상기 공핍 영역에서 발생되는 전기장에 의해, 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 진행되는 광자를 흡수한다.
Int. CL H01L 27/14 (2006.01.01) H01L 27/12 (2006.01.01) H01L 27/098 (2006.01.01)
CPC H01L 27/12(2013.01) H01L 27/12(2013.01) H01L 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020140170548 (2014.12.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1615826-0000 (2016.04.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20160428) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.02)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유경식 대한민국 대전광역시 유성구
2 유종범 대한민국 대전광역시 유성구
3 신주현 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-1172649-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0002059-38
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0144459-77
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0201426-06
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0201418-30
10 등록결정서
Decision to grant		 2016.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0185389-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
SOI(Silicon-On-Insulator) 기판; 상기 SOI 기판의 표면이 식각되어 형성되는 실리콘 도파로(waveguide); 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 생성되어, 접합 중앙에 형성된 공핍 영역을 포함하는 PN 접합; 및 상기 PN 접합과 연결되는 전극을 포함하고, 상기 PN 접합은 상기 전극에서 인가하는 역전압에 응답하여 상기 공핍 영역에서 발생되는 전기장에 의해, 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 진행되는 광자를 흡수하며, 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에는 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 진행되는 광자의 도파 군 속도를 조절하기 위한, 격자 형태 또는 원통 형태를 갖는 적어도 하나의 광 결정이 형성되는 광 검출기
2 2
제1항에 있어서,상기 PN 접합은 상기 공핍 영역에서 발생되는 전기장에 의해, 상기 흡수된 광자로부터 생성된 자유 운반자(free carrier)를 증식하는 광 검출기
3 3
제1항에 있어서,상기 PN 접합은 미리 설정된 기준치 도핑 농도의 저 농도 도핑 영역; 및 상기 저 농도 도핑 영역의 외곽에 배치되어 상기 저 농도 도핑 영역보다 높은 농도로 도핑되는 고 농도 도핑 영역을 포함하고, 상기 전극은 상기 PN 접합의 상기 고 농도 도핑 영역과 연결되는 광 검출기
4 4
제3항에 있어서,상기 미리 설정된 기준치 도핑 농도는 상기 PN 접합의 광자 검출 효율을 최대화하도록 조절되는 광 검출기
5 5
삭제
6 6
SOI(Silicon-On-Insulator) 기판; 상기 SOI 기판의 표면이 식각되어 형성되는 실리콘 도파로(waveguide); 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 생성되어, 접합 중앙에 형성된 공핍 영역을 포함하는 PN 접합; 및 상기 PN 접합과 연결되는 전극을 포함하고, 상기 PN 접합은 상기 전극에서 인가하는 역전압에 응답하여 상기 공핍 영역에서 발생되는 전기장에 의해, 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 진행되는 광자를 흡수하며, 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에는 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 진행되는 광자의 도파 군 속도를 조절하기 위한, 격자 형태 또는 원통 형태를 갖는 적어도 하나의 광 결정이 형성되고,상기 적어도 하나의 광 결정은 상기 PN 접합의 커패시턴스(capacitance)를 낮추기 위하여, 상기 PN 접합의 면적을 축소하도록 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 형성되는 광 검출기
7 7
제6항에 있어서,상기 적어도 하나의 광 결정은 상기 PN 접합의 광자 검출 효율, 상기 PN 접합의 광자 편광 상태 또는 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 진행되는 광자의 반사 및 산란 정도 중 적어도 어느 하나에 기초하여 미리 설정된 크기 또는 개수를 갖도록 형성되는 광 검출기
8 8
SOI(Silicon-On-Insulator) 기판; 상기 SOI 기판의 표면이 식각되어 형성되는 실리콘 도파로(waveguide); 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 생성되어, 접합 중앙에 형성된 제1 공핍 영역을 포함하는 제1 PN 접합; 상기 제1 PN 접합과 연결되는 전극; 및 상기 제1 PN 접합의 N 영역 중 미리 설정된 기준치 도핑 농도의 저 농도 도핑 영역 및 상기 저 농도 도핑 영역의 외곽에 배치되어 상기 저 농도 도핑 영역보다 높은 농도로 도핑되는 고 농도 도핑 영역 사이에 생성되어, 접합 중앙에 형성된 제2 공핍 영역을 포함하는 제2 PN 접합을 포함하고, 상기 제1 PN 접합은 상기 전극에서 인가하는 역전압에 응답하여 상기 제1 공핍 영역에서 발생되는 전기장에 의해, 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 진행되는 광자를 흡수하고 상기 흡수된 광자로부터 생성된 자유 운반자(free carrier)를 증식하고, 상기 제2 PN 접합은 상기 전극에서 인가하는 역전압에 응답하여 상기 제2 공핍 영역에서 발생되는 전기장에 의해, 상기 제1 PN 접합에서 흡수되고 증식된 자유 운반자를 추가적으로 증식하는 광 검출기
9 9
제8항에 있어서,상기 미리 설정된 기준치 도핑 농도는 상기 제1 PN 접합의 광자 검출 효율을 최대화하도록 조절되는 광 검출기
10 10
제8항에 있어서,상기 제2 PN 접합은 상기 제2 PN 접합의 자유 운반자 증식 이득을 특정 인가전압에서 최대화하도록 상기 제1 PN 접합의 저 농도 도핑 영역의 도핑 농도보다 높거나 낮은 농도로 도핑되는 광 검출기
11 11
제8항에 있어서,상기 전극은 상기 제1 PN 접합의 상기 고 농도 도핑 영역과 연결되는 광 검출기
12 12
제8항에 있어서,상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에는 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 진행되는 광자의 도파 군 속도를 조절하기 위한, 격자 형태 또는 원통 형태를 갖는 적어도 하나의 광 결정이 형성되는 광 검출기
13 13
제12항에 있어서,상기 적어도 하나의 광 결정은 상기 제1 PN 접합의 커패시턴스(capacitance)를 낮추기 위하여, 상기 제1 PN 접합의 면적을 축소하도록 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 형성되는 광 검출기
14 14
제12항에 있어서,상기 적어도 하나의 광 결정은 상기 제1 PN 접합의 광자 검출 효율, 상기 제1 PN 접합의 광자 편광 상태 또는 상기 실리콘 도파로 중 적어도 일부 영역에 진행되는 광자의 반사 및 산란 정도 중 적어도 어느 하나에 기초하여 미리 설정된 크기 또는 개수를 갖도록 형성되는 광 검출기
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 글로벌프론티어사업(다차원 스마트 IT 융합 시스템 연구) 초고속 데이터 전송 집적 소자