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백―바이어스를 이용하여 ＳＯＩ 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하기 위한 플래시 메모리 소자의 제조 방법, 그 소거 방법 및 그 구조

  • 기술번호 : KST2015112331
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플래시 메모리에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 백-바이어스(back-bias)를 이용하여 플래시 블록을 소거하는 방법 및 그 구조에 관한 것이다.본 발명에 따른 SOI 기판상에 형성된 플래시 블록에서 백-바이어스를 이용하여 플래시 블록을 소거할 수 있는 구조 및 그 제작 방법은 실리콘 기판, 하부 절연막 및 실리콘을 순차적으로 형성하는 단계, 실리콘에 플래시 블록(flash block)을 형성한 후, 보호 산화막(passivation oxide)을 증착하는 단계 및 플래시 블록과 대향 되는 상기 실리콘 기판의 백-사이드(Backside)에 보디-전극(body-electrode)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.플래시, 백-바이어스, SOI, 보디-전극, 블록 소거
Int. CL H01L 27/115 (2000.01) H01L 27/12 (2000.01)
CPC H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01)
출원번호/일자 1020050035142 (2005.04.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0725112-0000 (2007.05.29)
공개번호/일자 10-2006-0112572 (2006.11.01) 문서열기
공고번호/일자 (20070604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.27)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 이현진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0221170-91
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0379938-34
3 의견서
Written Opinion		 2006.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0621674-06
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0621710-52
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0713805-17
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0090238-36
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0168505-84
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0243891-75
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.03.28 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-0243563-15
10 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document		 2007.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0041816-72
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0315612-76
12 의견서
Written Opinion		 2007.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0315634-70
13 서류반려안내서
Notification for Return of Document		 2007.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0060096-95
14 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0287313-74
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 기판, 하부 절연막 및 실리콘을 순차적으로 형성하여 SOI 기판을 형성하는 단계; (b) 상기 실리콘에 플래시 블록(flash block)을 형성한 후, 보호 산화막(passivation oxide)을 증착하는 단계; 및(c) 상기 플래시 블록과 대향 되는 상기 실리콘 기판의 백-사이드(Backside)에 보디-전극(body-electrode)을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (a)단계에서의 실리콘 기판은 1017cm-3 이상 1020cm-3 이하의 도핑농도로 도핑되는, 백-바이어스를 이용하여 SOI 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하기 위한 플래시 메모리 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 (a)단계에서의 하부 절연막의 두께를 0
5 5
삭제
6 6
제1항의 백-바이어스를 이용하여 SOI 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하기 위한 플래시 메모리 제조 방법으로 제조된, 플래시 메모리
7 7
제1항의 백-바이어스를 이용하여 SOI 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하기 위한 플래시 메모리 제조 방법으로 제조된 플래시 메모리 소거 방법에 있어서,상기 보디-전극에 +전압, 상기 SOI 기판 전면의 제어 게이트에 0V를 걸어 줌으로써, 게이트 산화막에 F-N 터널 전류가 발생하게 하여 전자가 부유 게이트에서 실리콘 기판으로 흐르게 하여 상기 SOI 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하는, 플래시 메모리 소거 방법
8 8
(a) 실리콘 기판, 하부 절연막, 실리콘 및 B
9 9
제8항에 있어서,상기 (a)단계에서의 하부 절연막의 두께를 0
10 10
삭제
11 11
제8항에 있어서,상기 (a)단계에서의 B
12 12
(a) 실리콘 기판, 하부 절연막, 실리콘 및 B
13 13
제12항에 있어서,상기 (a)단계에서의 하부 절연막의 두께를 0
14 14
삭제
15 15
제12항에 있어서,상기 (a)단계에서의 B
16 16
제8항의 백-바이어스를 이용하여 SOI 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하기 위한 플래시 메모리 제조 방법으로 제조된, 플래시 메모리
17 17
제8항의 백-바이어스를 이용하여 SOI 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하기 위한 플래시 메모리 제조 방법으로 제조된 플래시 메모리 소거 방법에 있어서,상기 보디-콘택트 전극에 +전압, 상기 SOI 기판 전면의 제어 게이트에 0V를 걸어 줌으로써, 게이트 산화막에 F-N 터널 전류가 발생하게 하여 전자가 부유 게이트에서 실리콘 기판으로 흐르게 하여 상기 SOI 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하는, 플래시 메모리 소거 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP18310860 JP 일본 FAMILY
2 US07491597 US 미국 FAMILY
3 US20060246660 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100456454 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1855448 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2006310860 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2006246660 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US7491597 US 미국 DOCDBFAMILY
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