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구동 영역 및 화소 영역을 포함하는 기판;상기 구동 영역 상의 제1 트랜지스터;상기 화소 영역 상의 제2 트랜지스터;상기 제1 트랜지스터의 제1 활성층 및 제1 게이트 절연막 사이의 제1 수소 확산 방지막; 및 상기 제2 트랜지스터의 제2 활성층 및 제2 게이트 절연막 사이의 제2 수소 확산 방지막을 포함하는 표시 장치
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제1 항에 있어서,상기 제1 수소 확산 방지막 및 상기 제2 수소 확산 방지막은, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 갈륨 산화물 또는 실리콘 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치
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제1 항에 있어서,상기 제1 트랜지스터는, 상기 제1 게이트 절연막 상에 배치된 제1 게이트 전극, 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하고,상기 제1 게이트 전극, 상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 드레인 전극을 포함하는 구동 영역 상에 배치된 제1 절연막; 및상기 제1 게이트 전극, 상기 제1 소스 전극, 및 상기 제1 드레인 전극과 상기 제1 절연막의 사이에 배치된 제3 수소 확산 방지막을 더 포함하는 표시 장치
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제1 항에 있어서,상기 제2 트랜지스터는, 제2 게이트 전극을 포함하고,상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 게이트 전극 및 상기 기판 사이에 배치된 제1 절연막; 및상기 제1 절연막 및 상기 제2 게이트 전극의 사이에 배치된 제4 수소 확산 방지막을 더 포함하는 표시 장치
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제4 항에 있어서,상기 제2 트랜지스터는,상기 제4 수소 확산 방지막 상에 배치된 제2 활성층; 및상기 제2 게이트 절연막 상에 배치된 상기 제2 활성층의 양측과 각각 접촉하는 상기 제2 소스 전극 및 상기 제2 드레인 전극을 포함하고,상기 제2 트랜지스터를 포함하는 상기 기판 상의 페시베이션 막; 및상기 제2 활성층 및 상기 페시베이션 막의 사이에 배치된 제5 수소 확산 방지막을 더 포함하는 표시 장치
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구동 영역 및 화소 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계;상기 구동 영역 상에 제1 트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 화소 영역 상에 제2 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하되,상기 제1 트랜지스터의 제1 활성층 및 제1 게이트 절연막 사이에 제1 수소 확산 방지막이 제공되고,상기 제2 트랜지스터의 제2 활성층 및 제2 게이트 절연막 사이에 제2 수소 확산 방지막이 제공되는 것을 포함하는 표시장치의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 트랜지스터를 형성하는 단계는,상기 구동 영역 상에 예비 활성층을 형성하는 단계;상기 예비 활성층을 결정화하여 상기 제1 활성층을 형성하는 단계;상기 제1 활성층 상에 상기 제1 수소 확산 방지막을 형성하는 단계;상기 구동 영역 상의 상기 제1 수소 확산 방지막 상에 상기 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 활성층 상에 배치된 상기 제1 게이트 절연막 상에 제1 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 게이트 절연막을 관통하여 상기 제1 활성층의 양측과 각각 접촉하는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 제1 트랜지스터를 제조하는 단계 후에, 상기 제1 게이트 절연막 상에 배치된 상기 제1 게이트 전극, 상기 제1 소스 전극 및 상기 제1 드레인 전극 상에 제3 수소 확산 방지막을 형성하는 단계;상기 제3 수소 확산 방지막을 형성한 후, 상기 기판의 상기 구동 영역 및 상기 화소 영역 상에 제1 절연막을 형성하는 단계; 및상기 화소 영역 상의 상기 제1 절연막 상에 제4 수소 확산 방지막을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 제2 트랜지스터를 형성하는 단계는,상기 화소 영역 상에 제2 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 화소 영역 상의 상기 제2 게이트 전극 상에 상기 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 제2 게이트 절연막 상에 상기 제2 수소 확산 방지막을 형성하는 단계;상기 제2 수소 확산 방지막 상에 상기 제2 활성층을 형성하는 단계; 및상기 제2 수소 방지막 상의 상기 제2 활성층 상에, 상기 제2 활성층의 양측과 각각 접촉하는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 제2 트랜지스터를 제조하는 단계 후에,상기 제2 활성층 상에 제5 수소 확산 방지막을 형성하는 단계; 및상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터를 포함하는 상기 기판 상에 페시베이션 층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 수소 확산 방지막을 형성하는 단계 및 상기 제2 수소 확산 방지막을 형성하는 단계는, 열 원자층증착법(Thermal ALD) 또는 플라즈마 원자층증착법(PEALD)에 의해 수행되는 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 제1 수소 확산 방지막을 형성하는 단계 및 상기 제2 수소 확산 방지막을 형성하는 단계는,챔버 내에 금속을 포함하는 전구체를 제공하는 단계; 및반응 가스를 제공하는 단계를 포함하되,상기 금속은 알루미늄, 티타늄, 주석, 갈륨 또는 실리콘 중에서 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 반응 가스는 아산화질소(N2O) 또는 산소(O2) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 수소 확산 방지막은, 제1 활성층과 접촉하고,상기 제2 수소 확산 방지막은, 제2 활성층과 접촉하되,상기 제1 수소 확산 방지막 및 상기 제2 수소 확산 방지막은, 비주석 산화물인 것을 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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