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웨이퍼 레벨의 마이크로-LED 어레이를 제조하는 단계; 상기 복수개의 웨이퍼 레벨의 마이크로-LED 어레이를 웨이퍼 레벨 전사 공정으로 디스플레이 기판 상에 전사하는 단계; 상기 전사된 마이크로-LED 어레이 상에 평탄층을 형성하여 평탄화하는 단계;상기 평탄층에 비아홀을 형성하는 단계; 및 상기 평탄화된 마이크로-LED 어레이 상에 TFT 어레이를 배열 및 증착하여 마이크로-LED 어레이와 TFT 어레이를 집적하는 단계;를 포함하는, 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로-LED 어레이를 제조하는 단계는,웨이퍼 레벨의 질화물 반도체 기반의 LED층을 형성하는 단계 및 상기 웨이퍼 레벨의 LED층을 복수개의 마이크로-LED 픽셀로 식각하는 단계를 포함하는 것인, 디스플레이의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 질화물 반도체 기반의 LED층을 형성하는 단계는, 웨이퍼 기판 상부에 버퍼층, n-형 질화물 반도체층, 활성층 및 p-형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하고, 상기 마이크로-LED 픽셀로 식각하는 단계는, p-형 질화물 반도체층에서부터 상기 n형 질화물 반도체층의 일부분까지 메사(Mesa) 식각하여 마이크로-LED 픽셀을 형성하고, n형 질화물 반도체층을 노출하는 것인, 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 디스플레이의 제조방법은, 중 및 소형 디스플레이를 대량 제조하고,대형 디스플레이를 제공하는 것인, 디스플레이의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 마이크로-LED 픽셀로 식각하는 단계는, 50 nm 내지 200 um 직경 및 50 nm 내지 200 um 피치 간격의 마이크로-LED 픽셀로 식각하고, 상기 웨이퍼 레벨은, 2 inch 이상의 면적을 갖는 것인,디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로-LED 어레이를 웨이퍼 레벨 전사 공정으로 디스플레이 기판 상에 전사하는 단계는,상기 웨이퍼 레벨의 마이크로-LED 어레이를 단일 디스플레이 모양 및 크기로 다이싱하는 단계 및 상기 다이싱된 상기 웨이퍼 레벨의 마이크로-LED 어레이를 디스플레이 기판 상에 전사하는 단계를 포함하는 것인, 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로-LED 어레이를 웨이퍼 레벨 전사 공정으로 디스플레이 기판 상에 전사하는 단계는,상기 웨이퍼 레벨의 마이크로-LED 어레이를 단일 디스플레이 모양 및 크기로 다이싱하는 단계; 상기 다이싱된 상기 웨이퍼 레벨의 마이크로-LED 어레이의 웨이퍼 기판 상, 하단 또는 이 둘에 캐리어 필름을 부착하는 단계; 및 상기 웨이퍼 레벨의 마이크로-LED 어레이를 점착 또는 접착 필름이 부착된 디스플레이 기판 상에 전사하는 단계;를 포함하는 것인, 디스플레이의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 캐리어 필름을 부착하는 단계 이전에, 상기 웨이퍼 레벨의 마이크로-LED 어레이의 웨이퍼 기판을 제거하거나 또는 얇게 하는 레이저 리프트 오프 단계, 폴리싱 단계 또는 이 둘;을 더 포함하는 것인, 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 디스플레이 기판은, TFT 공정이 진행되는 기판이고, 상기 디스플레이 기판은, 2 G 이상 또는 4 G 이상의 면적을 갖는 것인, 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 비아홀 내에서 마이크로-LED가 노출되고, 상기 비아홀을 통해서 TFT와 마이크로-LED가 전기적으로 접촉하는 것인, 디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로-LED 어레이와 TFT 어레이를 집적하는 단계는,상기 복수개의 웨이퍼 레벨의 마이크로-LED 어레이의 전체에 걸쳐 TFT 어레이가 집적되어 복수개의 단위 디스플레이가 단일 공정으로 집적되고, 상기 웨이퍼 레벨의 마이크로-LED 어레이 및 TFT 어레이가 집적된 단위 디스플레이를 형성하는 것인, 디스플레이의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 복수개 웨이퍼 레벨 마이크로-LED 어레이 위에 형성되는 TFT의 전체가 전기적으로 형성되며 대면적 디스플레이가 제작되는 것인,디스플레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 TFT 어레이는, Si 반도체 이거나 금속 산화물 반도체를 갖는 TFT 구조를 포함하는 것인, 디스플레이의 제조방법
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제1항의 방법으로 제조되고, TFT를 통해서 능동 구동되는, 마이크로-LED 기반인, 디스플레이
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제14항에 있어서,상기 디스플레이는, 마이크로-LED 와 모놀리식 방식으로 TFT가 집적된 복수개의 웨이퍼 레벨의 단위 디스플레이를 포함하는 것인,디스플레이
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제14항에 있어서,상기 디스플레이는, 중형, 소형 또는 대형 디스플레인 것인, 디스플레이
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제16항에 있어서,상기 대형 디스플레이는 2 G 이상 또는 4 G 이상의 면적을 갖는 것인, 디스플레이
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