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챔버 내에 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 제1 물질층을 형성하는 단계; 및상기 제1 물질층 상에 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하는 제2 물질층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제1 물질층을 형성하는 단계 및 상기 제2 물질층을 형성하는 단계는 플라즈마 원자층증착법(PEALD)에 의한 봉지 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 물질층을 형성하는 단계는, 상기 챔버 내에 실리콘을 포함하는 제1 전구체를 제공하는 단계;질소 가스를 이용하여, 상기 챔버 내에 잔존된 상기 제1 전구체를 퍼지하는 단계;상기 질소 가스가 제공된 분위기에서 제1 플라즈마를 제공하여 상기 기판 상에 흡착된 상기 제1 전구체를 상기 질소 가스와 반응시켜, 상기 제1 물질층을 형성하는 단계; 및상기 질소 가스를 이용하여, 상기 챔버 내의 잔여물을 퍼지하는 단계를 포함하되,상기 제1 전구체를 제공하는 단계, 상기 제1 전구체를 퍼지하는 단계, 상기 제1 물질층을 형성하는 단계, 및 상기 잔여물을 퍼지하는 단계는, 하나의 단위 공정으로 정의되고, 상기 단위 공정이 반복하여 수행되는 것을 포함하는 봉지 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 물질층을 형성하는 단계는, 상기 챔버 내에 실리콘을 포함하는 제2 전구체를 제공하는 단계;아르곤 가스를 이용하여, 상기 챔버 내에 잔존된 제2 전구체를 퍼지하는 단계;상기 챔버 내에 상기 아르곤 및 산소를 포함하는 혼합 가스를 제공하는 단계;상기 혼합 가스가 제공된 분위기에서 제2 플라즈마를 제공하여 상기 기판 상에 흡착된 제2 전구체를 상기 산소 가스와 반응시켜 상기 제2 물질층을 형성하는 단계; 및상기 아르곤 가스를 이용하여, 상기 챔버 내의 잔여물을 퍼지하는 단계를 포함하되,상기 제2 전구체를 제공하는 단계, 상기 제2 전구체를 퍼지하는 단계, 상기 혼합 가스를 제공하는 단계, 상기 제2 물질층을 형성하는 단계, 및 상기 잔여물을 퍼지하는 단계는, 하나의 단위 공정으로 정의되고, 상기 단위 공정이 반복하여 수행되는 것을 포함하는 봉지 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 물질층을 형성하는 단계는, 제1 플라즈마를 제공하는 단계를 포함하고,상기 제2 물질층을 형성하는 단계는, 제2 플라즈마를 제공하는 단계를 포함하되,상기 제1 플라즈마는 제1 압력(P1) 조건에서 제공되고,상기 제2 플라즈마는 상기 제1 압력(P1)보다 낮은 제2 압력(P2) 조건에서 제공되는 것을 포함하는 봉지 구조체의 제조 방법
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제4 항에 있어서,상기 제1 플라즈마는 제1 시간 동안 제공되고,상기 제2 플라즈마는 상기 제1 시간보다 짧은 제2 시간 동안 제공되는 것을 포함하는 봉지 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 물질층을 형성하는 단계 이후에, 질소(N2) 또는 암모니아(NH3) 분위기를 갖는 제4 플라즈마를 제공하는 단계를 더 포함하는 봉지 구조체의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 제1 물질층 상에 제2 물질층을 형성하는 단계 이후에, 상기 제2 물질층 상에 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 제3 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 봉지 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제2 물질층을 형성하는 단계 이후에, 산소(O2) 및 아르곤(Ar) 분위기를 갖는 제5 플라즈마를 제공하는 단계를 더 포함하는 봉지 구조체의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 제3 물질층을 형성하는 단계는, 상기 챔버 내에 실리콘을 포함하는 제3 전구체를 제공하는 단계; 질소 가스를 이용하여, 상기 챔버 내에 잔존된 상기 제3 전구체를 퍼지하는 단계;상기 질소 가스가 제공된 분위기에서 제3 플라즈마를 제공하여 상기 기판 상에 흡착된 제3 전구체를 상기 질소 가스와 반응시켜, 상기 제3 물질층을 형성하는 단계; 및상기 질소 가스를 이용하여, 상기 챔버 내의 잔여물을 퍼지하는 단계를 포함하되,상기 제3 전구체를 제공하는 단계, 상기 제3 전구체를 퍼지하는 단계, 상기 제3 물질층을 형성하는 단계, 및 상기 잔여물을 퍼지하는 단계는, 하나의 단위 공정으로 정의되고, 상기 단위 공정이 반복하여 수행되는 것을 포함하되,상기 제3 플라즈마는 상기 제1 플라즈마와 동일한 압력 조건에서 제공되고,상기 제3 플라즈마는 상기 제1 플라즈마와 동일한 시간 동안 제공되는 것을 포함하는 봉지 구조체의 제조 방법
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기판;상기 기판 상에 형성된 실리콘 질화물(SiNx)를 포함하는 제1 물질층; 상기 제1 물질층 상에 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하는 제2 물질층; 및상기 제2 물질층 상에 실리콘 질화물(SiNx)를 포함하는 제3 물질층을 포함하되,상기 제1 물질층의 두께(n1)가 제3 물질층의 두께(n3)에 비하여 더 두꺼운 것을 포함하는 봉지 구조체
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제10 항에 있어서,수분 투과도(WVTR)가 7x10-4g/m2/day 내지 5x10-3g/m2/day인 봉지 구조체
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12
플렉서블(flexible) 기판;상기 플렉서블(flexible) 기판 상의 제1 봉지 구조체;상기 제1 봉지 구조체 상의 선택 소자층;상기 선택 소자층 상의 유기 발광 다이오드(OLED);상기 유기 발광 다이오드(OLED) 상의 제2 봉지 구조체; 및상기 제2 봉지 구조체 상의 보호 유리층을 포함하되,상기 제1 봉지 구조체 또는 제2 봉지 구조체 중 적어도 어느 하나는, 제10 항에 따른 봉지 구조체를 포함하는 표시 장치
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13
챔버 내에 기판을 준비하는 단계;상기 챔버 내에 금속을 포함하는 전구체를 제공하는 단계; 및반응 가스를 제공하여, 상기 기판 상에 흡착된 상기 전구체를 상기 반응 가스와 반응시켜, 산화물 층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 반응 가스를 제공하는 단계는, 하나의 단위 공정으로 정의되고,상기 단위 공정이 반복하여 수행되는 것을 포함하되,상기 전구체는 실리콘, 티타늄, 주석 또는 갈륨을 중에서 적어도 어느 하나의 금속을 포함하고,상기 반응 가스는 산소 또는 아산화질소 중에서 적어도 어느 하나이고,상기 산화물 층의 두께는 60nm 이상인 봉지 구조체의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 산화물 층을 형성하는 단계는, 열 원자층증착법(Thermal ALD) 또는 플라즈마 원자층증착법(PEALD)에 의해 수행되는 것을 포함하되,상기 플라즈마 원자층증착법(PEALD)에 의해 수행되는 경우,상기 산화물 층을 형성하는 단계는,상기 반응 가스 및 아르곤 가스의 혼합 가스를 제공하는 단계; 및상기 혼합 가스가 제공된 분위기에서 플라즈마를 제공하여 상기 기판 상에 흡착된 전구체를 상기 반응 가스와 반응시켜, 산화물 층을 형성하는 단계를 포함하는 봉지 구조체의 제조 방법
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