| 1 |
1
기판 상에 배치되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치되는 전자 수송층;상기 전자 수송층 상에 배치되며, 페로브스카이트를 포함하는 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 배치되는 정공 수송층; 및 상기 정공 수송층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하며,상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 중 적어도 어느 하나는 탄소나노튜브 상에 적층된 그래핀옥사이드(graphene oxide)를 포함하는페로브스카이트 광전자 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 전자 수송층은 폴리에틸렌이민(polyetherimine) 또는 풀러렌계(fullerene) 물질인 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 정공 수송층은 p 형 유기 반도체 또는 전도성 고분자 물질인 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 정공 수송층은 Spiro-OMETAD(2,2',7,7'-tetrakis(N,N-di-p-methoxyphenylamino)-9,9'-spirobifluorene) 및 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrene sulfonate))을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전자 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광전자 소자는상기 하부 전극 및 상기 상부 전극에 상기 탄소나노튜브 상에 적층된 상기 그래핀옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광전자 소자는상기 탄소나노튜브, 상기 그래핀옥사이드, 상기 전자 수송층, 상기 광흡수층, 상기 정공 수송층 및 상기 상부 전극이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 상부 전극은 백금(Pt), 금(Au), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 인듐(In), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir) 및 오스뮴(Os)으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자
|
| 9 |
9
제4항에 있어서,상기 페로브스카이트 광전자 소자는상기 하부 전극, 상기 전자 수송층, 상기 광흡수층, 상기 Spiro-OMETAD, 상기 PEDOT:PSS, 상기 그래핀옥사이드 및 상기 탄소나노튜브가 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광전자 소자는상기 상부 전극 상에 배치되는 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자
|
| 11 |
11
(a) 제1기판 상에 하부 전극, 전자 수송층, 및 페로브스카이트를 포함하는 광흡수층을 순차적으로 형성하는 단계;(b) 제2기판 상에 탄소나노튜브, 그래핀옥사이드, 및 정공 수송층을 순차적으로 형성하는 단계; 및(c) 상기 (a) 단계의 적층체 상에 상기 (b) 단계의 적층체를 형성하는 단계를 포함하는페로브스카이트 광전자 소자의 제조방법
|
| 12 |
12
(a) 제1기판 상에 탄소나노튜브를 형성하는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브 상에 그래핀옥사이드를 형성하는 단계;(c) 상기 그래핀옥사이드 상에 전자 수송층을 형성하는 단계;(d) 상기 전자 수송층 상에 페로브스카이트를 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계;(e) 상기 광흡수층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 및(f) 상기 정공 수송층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는페로브스카이트 광전자 소자의 제조방법
|
| 13 |
13
(a) 제1기판 상에 하부 전극, 전자 수송층, 및 페로브스카이트를 포함하는 광흡수층, 및 제1정공 수송층을 순차적으로 형성하는 단계;(b) 제2기판 상에 탄소나노튜브, 그래핀옥사이드, 및 제 2정공 수송층을 순차적으로 형성하는 단계; 및(c) 상기 (a) 단계의 적층체 상에 상기 (b) 단계의 적층체를 형성하는 단계를 포함하는페로브스카이트 광전자 소자의 제조방법
|
| 14 |
14
(a) 제1기판 상에 탄소나노튜브, 그래핀옥사이드, 전자 수송층, 페로브스카이트를 포함하는 광흡수층, 및 제1정공 수송층을 순차적으로 형성하는 단계;(b) 제2기판 상에 탄소나노튜브, 그래핀옥사이드, 및 제 2정공 수송층을 순차적으로 형성하는 단계; 및(c) 상기 (a) 단계의 적층체 상에 상기 (b) 단계의 적층체를 형성하는 단계를 포함하는페로브스카이트 광전자 소자의 제조방법
|
| 15 |
15
제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자 수송층은 폴리에틸렌이민(polyetherimine) 또는 풀러렌계 물질인 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자의 제조방법
|
| 16 |
16
제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자의 제조방법
|
| 17 |
17
제11항 또는 제12항에 있어서,상기 정공 수송층은 p 형 유기 반도체 또는 전도성 고분자 물질인 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자의 제조방법
|
| 18 |
18
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 제1정공 수송층은 Spiro-OMETAD(2,2',7,7'-tetrakis(N,N-di-p-methoxyphenylamino)-9,9'-spirobifluorene)을 포함하며, 상기 제2정공 수송층은 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrene sulfonate))을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광전자 소자의 제조방법
|
| 19 |
19
제12항에 있어서,상기 상부 전극은 백금(Pt), 금(Au), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 인듐(In), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir) 및 오스뮴(Os)으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자의 제조방법
|
| 20 |
20
제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2기판은 폴리머 기판인 것을 특징으로 하는페로브스카이트 광전자 소자의 제조방법
|
